一种多晶硅还原炉电极结构的制作方法
【专利摘要】本实用新型涉及一种多晶硅还原炉电极结构，包括嵌设在底座内腔的四氟套，下端插设在所述四氟套内的电极体，和穿套在所述电极体周围的绝缘瓷筒，所述绝缘瓷筒部分露出所述底座以上，所述电极体露于所述绝缘瓷筒以上的头部径向成型有外肩，所述绝缘瓷筒露于底座以上的部分外套有绝缘瓷环，所述绝缘瓷环上、下两端分别与所述外肩和底座的配合面上分别设置有密封垫。该多晶硅还原炉电极结构，实现了绝缘瓷筒、四氟套与反应炉腔的有效隔离，消除了清理死角，方便将电极清理干净；另外，避免了反应炉腔内的高温气体对四氟套的影响，有助于延长四氟套的使用寿命。
【专利说明】一种多晶硅还原炉电极结构
【技术领域】
[0001 ] 本实用新型涉及一种多晶硅还原炉电极结构。
【背景技术】
[0002]目前国内改良西门子法生产多晶硅的启动方法都是采用高电压击穿，利用8000?10000伏的高电压将硅芯瞬间击穿启动，该启动方法对电极的绝缘要求较高，所以都采用了四氟绝缘套+绝缘陶瓷的组合绝缘方式。另外改良西门子法生产多晶硅，需要一个洁净的高温环境，由于高温环境会加速四氟套老化，所以需要将四氟绝缘套隔热冷却，现有还原炉电极结构一般如图1所示，其四氟套和绝缘陶瓷之间存在间隙，且与反应炉腔相通，所以每次启动前都需要将间隙内清理干净，费时费力不说，如果间隙内还存有一些未清理的杂质的话还将影响多晶硅品质。同时高温气体易由间隙与四氟套接触，使四氟套更易受高温影响，很快就出现老化。
实用新型内容
[0003]本实用新型所要解决的技术问题是针对上述现有技术提供一种多晶硅还原炉电极结构，方便清理，同时能够有效隔绝四氟套，防止四氟套受高温气体的影响。
[0004]本实用新型解决上述问题所采用的技术方案为:一种多晶硅还原炉电极结构，包括嵌设在底座内腔的四氟套，下端插设在所述四氟套内的电极体，和穿套在所述电极体周围的绝缘瓷筒，所述绝缘瓷筒部分露出所述底座以上，所述电极体露于所述绝缘瓷筒以上的头部径向成型有外肩，所述绝缘瓷筒露于底座以上的部分外套有绝缘瓷环，所述绝缘瓷环上、下两端分别与所述外肩和底座的配合面上分别设置有密封垫。
[0005]优选地，所述绝缘瓷筒、绝缘瓷环分别为氮化硅绝缘瓷筒、氮化硅绝缘瓷环。
[0006]组装时，将四氟套安装在底座的内腔内，不露于底座以上，为电极体的下端提供绝缘；然后对应四氟套在底座上依次安放下密封垫、绝缘瓷环和上密封垫；再将穿套有绝缘瓷筒的电极体部分插设到四氟套内，通过固定件锁紧电极体，在绝缘瓷环的上下两端形成密封，从而将绝缘瓷筒和四氟套与反应腔有效隔离。
[0007]与现有技术相比，本实用新型的优点在于:通过设置密封瓷环和密封垫，将绝缘瓷筒及四氟套与反应炉腔有效隔离开，消除了还原炉电极上的清理死角，每次开炉前仅需清理绝缘瓷环外表面即可，方便将电极清理干净；另外，避免了反应炉腔内的高温气体对四氟套的影响，有助于延长四氟套的使用寿命。
【专利附图】
【附图说明】
[0008]图1为现有技术中多晶硅还原炉电极结构的示意图；
[0009]图2为本实用新型实施例中多晶硅还原炉电极结构的示意图。
【具体实施方式】
[0010]以下结合附图实施例对本实用新型作进一步详细描述。
[0011]如图2所示，本实施例中的多晶硅还原炉电极结构，包括嵌设在底座7内腔的四氟套6，下端插设在四氟套6内的电极体1，和穿套在电极体I周围的绝缘瓷筒4，绝缘瓷筒4部分露出底座7以上，电极体I露于绝缘瓷筒4以上的头部径向成型有外肩1.1，绝缘瓷筒4露于底座7以上的部分外套有绝缘瓷环3，绝缘瓷环3上、下两端分别与所述外肩1.1和底座7的配合面上分别设置有上、下密封垫2、5。
[0012]本实施例中，绝缘瓷筒4、绝缘瓷环3分别为氮化硅绝缘瓷筒、氮化硅绝缘瓷环。
[0013]组装时，将四氟套6安装在底座7的内腔内，不露于底座7以上，为电极体I的下端提供绝缘；然后对应四氟套6在底座7上依次安放下密封垫5、绝缘瓷环3和上密封垫2 ；再将穿套有绝缘瓷筒4的电极体I部分插设到四氟套6内，通过固定件锁紧电极体1，在绝缘瓷环3的上下两端形成密封，从而将绝缘瓷筒4和四氟套6与反应腔有效隔离。
[0014]上述结构的多晶硅还原炉电极结构，实现了绝缘瓷筒、四氟套与反应炉腔的有效隔离，消除了清理死角，方便将电极清理干净；另外，避免了反应炉腔内的高温气体对四氟套的影响，有助于延长四氟套的使用寿命。
【权利要求】
1.一种多晶硅还原炉电极结构，包括嵌设在底座(7)内腔的四氟套(6)，下端插设在所述四氟套(6)内的电极体(1)，和穿套在所述电极体(I)周围的绝缘瓷筒(4)，所述绝缘瓷筒(4)部分露出所述底座(7)以上，其特征在于:所述电极体(I)露于所述绝缘瓷筒(4)以上的头部径向成型有外肩(1.1)，所述绝缘瓷筒(4)露于底座(7)以上的部分外套有绝缘瓷环(3)，所述绝缘瓷环(3)上、下两端分别与所述外肩(1.1)和底座(7)的配合面上分别设置有密封垫(2、5)。
2.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉电极结构，其特征在于:所述绝缘瓷筒(4)、绝缘瓷环(3)分别为氮化硅绝缘瓷筒、氮化硅绝缘瓷环。
【文档编号】C01B33/035GK204198430SQ201420677153
【公开日】2015年3月11日 申请日期:2014年11月14日 优先权日:2014年11月14日
【发明者】赵建, 盛斌, 陈丞浩, 王中华, 朱敏 申请人:江苏双良新能源装备有限公司