本发明涉及碘领域，具体是一种以含碘磷矿石碘为原料提取碘的方法。
背景技术：
现有技术中，用于现代科学领域如半导体、碘硫化锑(SbSI)这类化合物晶体作为具有潜在应用前景的一类材料，其合成路线的探索及控制生长越来越受到人们的关注。到目前为止，研究者们已经利用化学气相沉积法(CVD)，超声化学法和高温水热方法制备出SbSI等晶体。如用CVD方法可通过单质反应源在温度超过600℃的条件下生长出碘硫化锑(SbSI)晶体。
据荷兰《声学》(Ultrasonics Sonochemistry，2008年15卷709页)介绍，利用超声化学方法在低于100℃的温和条件下可制备出SbSI的纳米尺寸晶体，但这样生长出来的纳米晶体表面通常会伴生着一层未晶化的非晶层，该非晶层会影响和限制晶体的性能。
发明专利内容
本发明专利提供一种以含碘磷矿石碘为原料提取碘的方法，以解决上述背景技术中提出的不节能环保的问题。
实现本发明第一个目的的技术方案是：本发明以含碘磷矿石碘为原料提取碘的方法，(1)将以含碘磷矿石为原料提取碘的悬浮溶液在碘结晶器内真空过滤进行初步脱水；(2)将初步脱水的悬浮溶液在搅拌下加入浓硫酸进行干燥脱水；(3)待干燥脱水完成后，对上一步的混合物料进行加热将碘晶体与浓硫酸分开，使碘升华出来，制得粗碘。
所述初步脱水的真空度控制在5×10-3～1×10-5MPa；所述脱水时间控制在30min。所述加入的浓硫酸是质量分数为93％～100.6％的硫酸；所述控制浓硫酸与粗碘的质量比为6∶1；所述控制搅拌器的搅拌速率为200r/min，所述干燥脱水30min。
所述混合物料的加热温度控制在150℃～200℃。
具体实施方式
本发明以含碘磷矿石碘为原料提取碘的方法，(1)将以含碘磷矿石为原料提取碘的悬浮溶液在碘结晶器内真空过滤进行初步脱水；(2)将初步脱水的悬浮溶液在搅拌下加入浓硫酸进行干燥脱水；(3)待干燥脱水完成后，对上一步的混合物料进行加热将碘晶体与浓硫酸分开，使碘升华出来，制得粗碘。
所述初步脱水的真空度控制在5×10-3～1×10-5MPa；所述脱水时间控制在30min。所述加入的浓硫酸是质量分数为93％～100.6％的硫酸；所述控制浓硫酸与粗碘的质量比为6∶1；所述控制搅拌器的搅拌速率为200r/min，所述干燥脱水30min。
所述混合物料的加热温度控制在150℃～200℃。
显然，本发明的上述实施例仅仅是为清楚地说明本发明所作的举例，而并非是对本发明的实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明权利要求的保护范围之内。