技术总结
本发明提供了用于生产第III族氮化物半导体单晶的方法，其被设计成生长具有高度再现性的半导体单晶。用于生产第III族氮化物半导体单晶的方法包括向坩埚中添加籽晶基底、Ga和Na，以及生长第III族氮化物半导体单晶。在第III族氮化物半导体单晶的生长中，使用测量装置探测Ga与Na的反应。在坩埚的温度调整在80℃至200℃的第一温度范围内的情况下，Ga与Na反应。在测量装置探测到Ga与Na反应之后，将坩埚的温度升高至第III族氮化物半导体单晶的生长温度。
技术研发人员：守山实希
受保护的技术使用者：丰田合成株式会社
文档号码：201610727174
技术研发日：2016.08.25
技术公布日：2017.03.08