本发明涉及地坪领域，特别是涉及一种金刚砂耐磨地坪。
背景技术：
普通地面混凝土主要以强度在C20-C30的低强度混凝土为主，无法直接作为停车场地坪使用。随着我国经济及社会的发展，停车场的需求越来越大。因此，需要在普通混凝土上做耐磨层，目前耐磨地坪常用的工艺有环氧树脂地坪和金刚砂耐磨地坪。环氧树脂地坪具有美观、防尘、耐化学品腐蚀等优点，被广泛使用；但原材料及施工成本高、硬度差，容易被车辆机械设备等损伤，一般3- 5 年则需维护，综合费用高，且耐候性差，不适合涂装于地下潮湿的环境，也不适合用于室外场所的涂装。金刚砂耐磨地坪是以金刚砂或石英砂及高标号水泥等为主体的耐磨地坪，具有材料及施工成本低，能够承受各种车辆、机械设备磨擦等优点。
目前，金刚砂耐磨地坪里高活性矿物掺合料大多选用硅灰，用硅灰后地坪不仅收缩大，而且吸水量大，容易导致地坪耐久性出现问题。
技术实现要素：
本发明主要解决的技术问题是提供一种金刚砂耐磨地坪，收缩低，吸水量小，附着力好，耐久性优。
为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是：提供一种金刚砂耐磨地坪，其特征在于，包括如下重量百分比的组分：
金刚砂 50-70%，
石英砂 5-15%，
稻壳灰 0-3%，
矿粉 0-5%，
水泥 20-30%，
无机盐 0-1%，
减水剂 0-0.20%，
可再分散胶粉 0-1.5%，
余量为水。
在本发明一个较佳实施例中，所述的金刚砂的粒径为20-40目，采用天然高硬度金刚砂，能够提供很高的强度硬度及耐磨性。
在本发明一个较佳实施例中，所述的砂为石英砂，其粒径为30-50目 。
在本发明一个较佳实施例中，所述的掺和料为稻壳灰，粒径小、填充性好、高活性、低收缩，使其磨损和磨光速率不同，提高防滑性。
在本发明一个较佳实施例中，所述的无机盐为硅酸钠、氟硅酸镁、氟硅酸铝和氟硅酸钠中的一种，所用的高活性硅质无机盐活性高，生成物坚硬不溶于水，无金属盐产生，不会返碱，反而能抑制甚至消除返碱。
在本发明一个较佳实施例中，所述的减水剂为聚羧酸减水剂，减水性工作性施工性非常优良。
在本发明一个较佳实施例中，所述的可再分散胶粉为醋酸乙烯酯/乙烯二元共聚胶粉，能大大增强水泥集料粘接力，同时能防止地面起灰。
本发明是一种新型金刚砂耐磨地坪，由于采用了新型废物稻壳利用产生的高硅高活性高比表面积超细粒径稻壳灰材料和高活性硅质无机盐，是一种低水灰比不完全水化体系，硬化后体系中会存在相当数量的未反应氢氧化钙，这种特殊无机盐将与其反应，生成坚硬不容物堵塞空隙，这种配方制备的金刚砂耐磨地坪具备优良的防收缩和密实耐磨性能，原材料广泛易得且经济性强。
本发明的有益效果是：本发明具有强度高，密实度高，附着力好，耐久性优，收缩低，吸水量小，防滑性好和施工性好的优点，而且返碱可能性极低。
具体实施方式
下面将对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例1
一种金刚砂耐磨地坪，包括如下重量百分比的组分：粒径为20目的金刚砂70%，稻壳灰3.0%，矿粉5.0%，水泥22%，氟硅酸镁高活性硅质无机盐0.15%，聚羧酸减水剂0.09%，加水量9.0%，搅拌均匀，制得本发明金刚砂耐磨地坪。
实施例2
一种金刚砂耐磨地坪，包括如下重量百分比的组分：粒径为25目金刚砂70%，稻壳灰3.0%，矿粉5.0%，水泥22%，氟硅酸镁高活性硅质无机盐0.3%，聚羧酸减水剂0.09%，加水量9.0%，搅拌均匀，制得本发明金刚砂耐磨地坪。
实施例3
一种金刚砂耐磨地坪，包括如下重量百分比的组分：粒径为30目金刚砂60%，粒径为30目的石英砂11%，稻壳灰3.0%，矿粉4.0%，水泥22%，氟硅酸镁高活性硅质无机盐0.6%，聚羧酸减水剂0.11%，加水量9.5%，搅拌均匀，制得本发明金刚砂耐磨地坪。
实施例4
一种金刚砂耐磨地坪，包括如下重量百分比的组分：粒径为40目金刚砂50.3%，粒径为40目的石英砂14%，稻壳灰3.0%，矿粉4.0%，水泥27%，氟硅酸镁高活性硅质无机盐0.6%，聚羧酸减水剂0.11%，醋酸乙烯酯/乙烯二元共聚胶粉1.0%，加水量10%，搅拌均匀，制得本发明金刚砂耐磨地坪。
对比例1
对比例1为普通型金刚砂耐磨地坪，其与本发明进行比物理力学性能比较，说明金刚砂耐磨地坪的性能更优良。
取其组分重量百分比为：金刚砂70%、水泥22%、硅灰3.0%、矿粉5.0%、聚羧酸减水剂0.09%，加水量8.5%，搅拌均匀。
本发明实施例1~4制得的金刚砂耐磨地坪及对比例1的物理性能如表1所示。
表1
从表1可以看出，金刚砂耐磨地坪的综合物理力学性能均优于对比例，但是，高活性无机硅质盐最佳掺量不宜超过0.3%，不然对强度无多大益处且损害强度，且经济性不好。
以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其它相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。