1.通过化学热沉强化冷却技术实现晶体快速生长的单晶炉，其特征在于，包括炉体(1)，设置炉体(1)内侧底部的保温筒(6)，与保温筒(6)内侧顶部相连的导流筒(3)，以及设置在保温筒(6)顶部、导流筒(3)顶部与导流筒(3)内侧的供反应物进行化学吸热反应的反应装置(5)。
2.根据权利要求1所述的通过化学热沉强化冷却技术实现晶体快速生长的单晶炉，其特征在于，反应装置(5)包括紧贴导流筒(3)内侧的石墨筒(7)，以及设置在石墨筒(7)内并经过保温筒(6)顶部和导流筒(3)顶部引出至炉体(1)外的反应筒(8)，工作时，熔体(4)通过石英坩埚放置在保温筒(6)内，熔体(4)液面低于同平面设置的导流筒(3)底部和石墨筒(7)底部，通过反应装置(5)实现晶体(2)的生长，生长的晶体(2)穿过石墨筒(7)内腔并提升至炉体(1)外。
3.根据权利要求2所述的通过化学热沉强化冷却技术实现晶体快速生长的单晶炉，其特征在于，反应筒(8)由中空螺旋盘管(9)环绕而成，其两端伸出到炉体(1)外部，一端为反应物的进口(10)，另一端为反应不完全的反应物和反应产物的出口(11)，所述中空螺旋盘管(9)内部充有流动的进行化学吸热反应的反应物。
4.根据权利要求3所述的通过化学热沉强化冷却技术实现晶体快速生长的单晶炉，其特征在于，所述中空螺旋盘管(9)采用双层结构，反应物首先由进口(10)通入，依次经过内层盘管(12)和外层盘管(13)，后由出口(11)排出炉体(1)。
5.根据权利要求3所述的通过化学热沉强化冷却技术实现晶体快速生长的单晶炉，其特征在于，中空螺旋盘管(9)的壁厚为3-10mm，内径10-30mm。
6.根据权利要求3所述的通过化学热沉强化冷却技术实现晶体快速生长的单晶炉，其特征在于，中空螺旋盘管(9)采用钼、钨钼合金、钛合金或碳碳材料中任意一种制成。
7.根据权利要求3所述的通过化学热沉强化冷却技术实现晶体快速生长的单晶炉，其特征在于，通入发生化学吸热反应的反应物为质量比为1：(5-10)的碳粉和二氧化碳气体，或者癸烷。
8.根据权利要求2所述的通过化学热沉强化冷却技术实现晶体快速生长的单晶炉，其特征在于，所述石墨筒(7)为倒圆台形，其锥度为0°-60°。
9.根据权利要求2所述的通过化学热沉强化冷却技术实现晶体快速生长的单晶炉，其特征在于，石墨筒(7)的底部与晶体(2)之间的距离为10-40mm。
10.根据权利要求2所述的通过化学热沉强化冷却技术实现晶体快速生长的单晶炉，其特征在于，石墨筒(7)的底部与熔体(4)之间的距离为10-40mm。