技术总结
本发明公开了一种通过化学热沉强化冷却技术实现晶体快速生长的单晶炉，主要涉及输送反应物并在其内部进行化学吸热反应的反应装置。该反应装置由石墨筒和反应筒组成。反应筒采用惰性材料制成。反应物由进口通入，在高温下的反应筒中发生化学吸热反应，降低反应装置表面及其附近氩气区域的温度，快速移除晶体表面的热量，反应不完全的反应物和反应产物由出口排出炉体。本单晶炉结构设计合理，反应物在反应装置中发生反应，能够避免反应过程中炉体内杂质的引入。本发明装置通过化学吸热反应强化冷却生长中的晶体，快速移除晶体表面的热量，显著提升晶体内部的轴向温度梯度，从而提高晶体的生长速度，达到降低晶体制备成本的目的。
技术研发人员：刘立军;丁俊岭;赵文翰
受保护的技术使用者：西安交通大学
文档号码：201610854677
技术研发日：2016.09.27
技术公布日：2017.02.22