技术总结
一种导电玻璃基体氧化钨薄膜材料制备方法属于薄膜材料制备领域。本发明通过在导电玻璃基体旋涂上氧化钨晶种，利用水热法制备结构可控、排列高度有序的氧化钨片状结构薄膜材料。通过采用本工艺方法可以实现对氧化钨片状结构暴露面的有效调控，所得导电玻璃基体氧化钨薄膜材料具有高的光电响应效率和光电流密度，在可见光照射下，材料的光电流密度最高可达到1.77mA cm‑2。本发明提供的制备WO3薄膜材料的制备方法生产成本低，操作工艺简单，易于工业化生产。
技术研发人员：王金淑;郑广伟;李洪义;李萍萍;赵冰心;张志忻
受保护的技术使用者：北京工业大学
文档号码：201611199341
技术研发日：2016.12.22
技术公布日：2017.05.24