本实用新型涉及碳化硅生产设备技术领域,具体涉及一种热反射屏高度可调的坩埚。
背景技术:
现有的液相法生长碳化硅晶体技术,都是通过加热的方式将硅在高纯石墨坩埚中融化,形成碳在硅中的溶液,再将头部贴付有籽晶的石墨轴伸入到溶液中进行生长;
为了使上述反应有一个稳定的温度条件,可以在坩埚内设置热反射屏,这样可以将向外辐射的热量反射回熔融体系中,降低反应的能耗,但是现有技术中的热反射屏需要在坩埚内设置对应的支架才能实现,但是该支架必须在制备时与坩埚置为一体,这样就无法实现位置的可调,这就导致了在不同的晶体生长调节下,热反射屏的位置是固定的,不利于热量的反射,无法起到更好的节能和稳定反应温度的作用;而且在实际操作中操作人员手上不可避免的存在油脂,操作时很容易沾染到热反射屏上去,从而给晶体生长带来杂质,因此如何解决这一系列的问题成为现有技术中的难题。
技术实现要素:
本实用新型针对现有技术的不足,提供了一种热反射屏高度可调的坩埚,该坩埚包括坩埚体和坩埚盖以及调节杆,所述坩埚体内壁设置有内螺纹,所述坩埚体内设置有热反射屏,所述热反射屏外侧设置有外螺纹,并通过该外螺纹与坩埚体内壁设置的内螺纹配合连接,所述热反射屏中心设置有通孔,所述通孔一侧设置有一对对应设置的通孔槽,通孔另一侧设置有一对对应设置的盲孔槽;采用这种结构的坩埚,使用时可以根据不同晶体生长的需要在调节杆的带动下将热反射屏调节到不同的高度,整个结构更加简单,可以适应不同晶体的生长需要。
本实用新型的具体技术方案是:
一种热反射屏高度可调的坩埚,该坩埚包括坩埚体和坩埚盖以及调节杆,所述坩埚体内壁设置有内螺纹,所述坩埚体内设置有热反射屏,所述热反射屏外侧设置有外螺纹,并通过该外螺纹与坩埚体内壁设置的内螺纹配合连接,所述热反射屏中心设置有通孔,所述通孔一侧设置有一对对应设置的通孔槽,通孔另一侧设置有一对对应设置的盲孔槽,所述的通孔槽和盲孔槽交错设置且大小一致;所述调节杆底部设置有与通孔槽大小对应的凸块;
这种结构的坩埚,由于采用了专用的调节杆,可以避免用手触及热反射屏,也就可以避免手上的油脂等残留在热反射屏上,避免晶体生长时杂质的进入,而调节杆底部设置有与通孔槽大小对应的凸块,而通孔另一侧设置有一对对应设置的盲孔槽,所述的通孔槽和盲孔槽交错设置,使用时可以将凸块通过通孔槽伸入到热反射屏另一侧,然后将调节杆旋转一定角度后上提,此时凸块嵌入盲孔槽中,从而与热反射屏嵌套为一体,这样就可以对热反射屏进行旋转,调节其具体位置,调节结束后还可以方便的将调节杆取出,不会触及托盘;这样就可直接通过外螺纹与内螺纹在托盘杆的带动下将热反射屏旋入坩埚体内的预定高度,将上盖扣好后即可开始晶体的生长;
所述坩埚盖上也设置有通孔,方便籽晶轴的进出;
综上所述,采用这种结构的坩埚,使用时可以根据不同晶体生长的需要在调节杆的带动下将热反射屏调节到不同的高度,整个结构更加简单,可以适应不同晶体的生长需要。
附图说明
图1为本实用新型所述坩埚使用时的结构剖视图;
图2为本实用新型所述坩埚的结构剖视图;
图3为本实用新型所述热反射屏的俯视图;
图4为本实用新型所述调节杆的结构示意图;
图中1为主体,2为内螺纹,3为热反射屏,4为通孔,5为外螺纹,6为坩埚盖,7为通孔槽,8为盲孔槽,9为调节杆,10为凸块。
具体实施方式
一种热反射屏高度可调的坩埚,该坩埚包括坩埚体1和坩埚盖6以及调节杆9,所述坩埚体1内壁设置有内螺纹2,所述坩埚体1内设置有热反射屏3,所述热反射屏3外侧设置有外螺纹5,并通过该外螺纹5与坩埚体内壁设置的内螺纹2配合连接,所述热反射屏3中心设置有通孔4,所述通孔4一侧设置有一对对应设置的通孔槽7,通孔4另一侧设置有一对对应设置的盲孔槽8,所述的通孔槽7和盲孔槽8交错设置且大小一致;所述调节杆9底部设置有与通孔槽7大小对应的凸块10;
所述坩埚盖6上设置有方便籽晶轴的进出的通孔。