一种空间限域法合成二硫化钼单层纳米片的方法与流程

文档序号:15158705发布日期:2018-08-14 08:22阅读:来源:国知局

技术特征:

技术总结
本发明提供一种空间限域法合成二硫化钼单层纳米片的方法,包括步骤:MoS42‑插层LDHs复合物的制备;将得到的MoS42‑插层LDHs复合物在惰性气体保护下煅烧,得MoS2单层纳米片/混合金属氧化物(MMO)复合物;经去除混合金属氧化物,得到MoS2单层纳米片。本发明的方法简单,成本低,易于实现,高产率,MoS2单层纳米片比率高,且易于工业化应用。

技术研发人员:侯万国;王德良;李海平;杜娜
受保护的技术使用者:山东大学
技术研发日:2018.03.06
技术公布日:2018.08.14
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