本发明涉及陶瓷材料领域，特别是涉及一种氮化铝陶瓷及其制备方法、静电卡盘和应用。
背景技术：
在传统的半导体晶片及液晶显示屏制作过程中，一般采用真空吸盘或者机械卡盘来固定晶片。由于在使用机械卡盘固定晶片加工过程中，往往由于压力、摩擦、碰撞等作用会造成晶片损坏，甚至还存在有效加工面积小、传热性差以及等离子轰击下易导致腐蚀颗粒沉积等缺陷。而真空吸盘存在传热能力差，并且不能在真空环境下工作等缺陷，因而极大地限制了其使用领域。而新型的静电卡盘陶瓷可以利用静电引力来固定晶片，较好的介电常数、体积电阻率、耐压性等可以实现较好的吸附力与被处理物的解吸附响应性。
aln因具有高热导率、低介电常数、低介电损耗、与si具有相匹配的线膨胀系数、绝缘性、机械性能等，而成为新一代静电卡盘材料的首选。然而，目前的氮化铝陶瓷存在着导热率较低的问题，而影响着其发展。
技术实现要素：
基于此，有必要提供一种导热性较好的氮化铝陶瓷的制备方法。
此外，还提供一种氮化铝陶瓷、静电卡盘和应用。
一种氮化铝陶瓷的制备方法，包括如下步骤：
将原料混合得到混合料，其中，所述原料包括氮化铝粉和助烧剂，按照质量百分含量计，所述氮化铝粉包括70％～80％的中位粒径为0.5微米～2微米的第一氮化铝颗粒和20％～30％的中位粒径为6微米～8微米的第二氮化铝颗粒；
将所述混合料成型，得到坯体；及
将所述坯体在还原气氛中烧结，得到氮化铝陶瓷。
在其中一个实施例中，所述还原气氛由还原性气体和保护气体混合形成，所述还原性气体和所述保护气体的质量比为10～30:70～90。
在其中一个实施例中，所述还原性气体选自一氧化碳及氢气中的至少一种。
在其中一个实施例中，所述助烧剂选自氧化锂、氧化钠、氧化镁、五氧化二铌及氧化钙中的至少一种；及/或，所述助烧剂与所述氮化铝粉的质量比为1:100～6:100。
在其中一个实施例中，所述将原料混合得到混合料的步骤包括：将所述助烧剂和所述氮化铝粉通过干法球磨混合，再经干燥，过300目筛～400目筛，得到所述混合料。
在其中一个实施例中，所述将所述坯体在还原气氛中烧结的方法为微波烧结；及/或，所述将所述坯体在还原气氛中烧结的烧结温度为1600℃～1800℃。
在其中一个实施例中，所述第一氮化铝颗粒和所述第二氮化铝颗粒均为球形。
一种氮化铝陶瓷，由上述任一种氮化铝陶瓷的制备方法制备得到。
一种静电卡盘，由上述氮化铝陶瓷加工处理得到。
上述静电卡盘在晶圆的加工处理中的应用。
上述氮化铝陶瓷的制备方法通过使用包括70％～80％的中位粒径为0.5微米～2微米的第一氮化铝颗粒和20％～30％的中位粒径为6微米～8微米的第二氮化铝颗粒的氮化铝粉为原料，以通过不同粒径的氮化铝颗粒混合成型制作成坯体，以使坯体的颗粒堆积较为紧密，以改善氮化铝陶瓷的致密度；同时，加入助烧剂能够促进氮化铝粉的烧结，以提高氮化铝陶瓷的致密化，改善氮化铝陶瓷的导热率；而通过将坯体在还原气氛中烧结，以使氮化铝表面和晶格中的杂质氧能够在还原气氛中发生还原反应，而达到去除氮化铝表面和氮化铝晶格中氧的目的，提高氮化铝在烧结过程中晶格的完整性，减少铝空位的形成，从而提高氮化铝陶瓷的导热率。
附图说明
图1为一实施方式的氮化铝陶瓷的制备方法的流程图。
具体实施方式
为了便于理解本发明，下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的较佳的实施例。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容的理解更加透彻全面。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
如图1所示，一实施方式的氮化铝陶瓷的制备方法，包括如下步骤：
步骤s110：将原料混合得到混合料。
其中，原料包括氮化铝(aln)粉和助烧剂，按照质量百分含量计，氮化铝粉包括70％～80％的中位粒径为0.5微米～2微米的第一氮化铝颗粒和20％～30％的中位粒径为6微米～8微米的第二氮化铝颗粒。
进一步地，第一氮化铝颗粒和第二氮化铝颗粒均为球形。球形的氮化铝颗粒具有较好的流动性，能够在混合的过程中获得较为均匀的混合料，且球形的氮化铝颗粒有利于氮化铝的致密化，减少氮化铝的缺陷，进一步提高氮化铝陶瓷的强度、导热率，并使整个氮化铝陶瓷具有较为均一的导热率和强度。
助烧剂为能够在烧结过程中与氧化铝反应生成液相的无机物。进一步地，助烧剂选自氧化锂、氧化钠、氧化镁、五氧化二铌及氧化钙中的至少一种。这些助烧剂能够与氮化铝中的氧化铝反应生成铝酸盐，在较低的温度下形成液相烧结，不仅能够降低氮化铝的烧结温度，而且生成的铝酸盐在1350℃左右挥发，还能减少氮化铝的晶格缺陷，改善氮化铝陶瓷的导热率。更进一步地，助烧剂为氧化锂，氧化锂对氧化铝具有更好的润湿性，能够更好地与氮化铝中的氧化铝反应，能够更多地减少氧化铝的晶格缺陷。
在其中一个实施例中，助烧剂与氮化铝粉的质量比为1:100～6:100。该配比的助烧剂不仅能够促进氮化铝的烧结，降低烧结温度，而且还能够使氮化铝陶瓷同时具有较高的致密度、较好的导热率和力学强度。
在其中一个实施例中，原料由氮化铝(aln)粉和助烧剂组成，氮化铝由70％～80％的中位粒径为0.5微米～2微米的第一氮化铝颗粒和20％～30％的中位粒径为6微米～8微米的第二氮化铝颗粒组成，助烧剂为氧化锂，且助烧剂与氮化铝粉的质量比为1:100～6:100。该配方的原料能够使氮化硅陶瓷具有更为优异的导热性能、较高的致密度、较高的强度、较低的介电常数和较低的电损耗。
在其中一个实施例中，将原料混合得到混合料的步骤包括：将助烧剂和氮化铝粉通过干法球磨混合，再经干燥，过300目筛～400目筛，得到混合料。
在其中一个实施例中，干法球磨混合后的干燥步骤为：在40℃～70℃下干燥12小时～24小时，以去除混合料中水，因为在干法球磨中，混合料具有吸收空气中的水的可能性。
在其中一个实施例中，干法球磨混合的时间为48小时～96小时。
进一步地，将助烧剂和氮化铝粉通过干法球磨混合的步骤之前，还包括将助烧剂和氮化铝粉在40℃～70℃下干燥12小时～24小时的步骤。通过球磨前后对粉体进行干燥，以去除粉料中的水，防止粉体吸水与氧化钠、氧化钾剧烈反应，影响氮化铝的性能。
需要说明的是，将原料混合得到混合料的步骤不限于为上述干法球磨混合的方式，还可以采用湿法球磨的方式，此时，可以使用无水有机物作为溶剂，例如无水乙醇或者水，若水作为溶剂，且使用了氧化锂及氧化钠中的一种作为助烧剂时，需要先将氧化锂及/或氧化钠先融入水中，变成氢氧化钠、氢氧化锂，因为这一过程大量放热、反应剧烈，再加入到粉料中，与其它助烧剂一起球磨，在高温下烧结氢氧化锂、氢氧化钠又变成氧化锂、氧化钠，从而继续起到助烧剂的作用。而干法球磨混合可防止氧化锂、氧化钠与溶剂反应而引入其它杂质。
步骤s120：将混合料成型，得到坯体。
具体地，将混合料成型的方法为干压或冷等静压成型。
步骤s130：将坯体在还原气氛中烧结，得到氮化铝陶瓷。
通过将坯体在还原气氛中烧结，以使氮化铝表面的氧和氮化铝晶格中的杂质氧能够在还原气氛中发生还原反应，而达到去除氮化铝表面和氮化铝晶格中氧的目的，提高氮化铝在烧结过程中晶格的完整性，减少铝空位的形成，从而提高氮化铝陶瓷的导热率。
在其中一个实施例中，还原气氛由还原性气体和保护气体混合形成，且还原性气体和保护气体的质量比为10～30:70～90，该还原气氛不仅能够达到去除氮化铝表面和氮化铝晶格中氧的目的，而且还能够保证反应过程的安全。需要说明的是，在其他是实施例中，还原气氛也可以由还原性气体构成。
在其中一个实施例中，还原性气体选自一氧化碳及氢气中的至少一种。进一步地，还原性气体为一氧化碳，一氧化碳对氮化铝表面和晶格中的杂质氧具有更好的亲和力，更有利于减少氮化铝中的含氧量，能够更好地保证氮化铝晶格的完整性。保护气体为氮气或氩气。
在其中一个实施例中，将坯体在还原气氛中烧结的方法为微波烧结，通过在还原气氛中进行微波烧结能够提高整个氮化铝陶瓷的导热率及强度的均一性，一般静电卡盘里面镀有一层电路，这层电路会根据表面的温度差异来决定某些地方是否加热，导热率不均一或者导热率低，将会影响静电卡盘的表面温度的均一性，进而影响静电卡盘的使用质量。
具体地，烧结温度为1600℃～1800℃。烧结时间为1小时～4小时。
上述氮化铝陶瓷的制备方法至少有以下优点：
氮化铝作为一种共价化合物，熔点高、自扩散系数小，因此，需要在高温下完成致密化烧结，由于氮化铝对氧具有较强的亲和力，在高温下部分氧会固溶到氮化铝的晶格中，从而形成铝空位，产生铝空位散射声子，降低声子的平均自由程，从而导致导热率下降，而上述氮化铝陶瓷的制备方法通过使用包括70％～80％的中位粒径为0.5微米～2微米的第一氮化铝颗粒和20％～30％的中位粒径为6微米～8微米的第二氮化铝颗粒的氮化铝粉为原料，以通过不同粒径的氮化铝颗粒混合成型制作成坯体，以使坯体的颗粒堆积较为紧密，以改善氮化铝陶瓷的致密度；同时，加入助烧剂能够促进氮化铝粉的烧结，以提高氮化铝陶瓷的致密化，改善氮化铝陶瓷的导热率；而通过将坯体在还原气氛中烧结，以使氮化铝表面和晶格中的杂质氧能够在还原气氛中发生还原反应，而达到去除氮化铝表面和氮化铝晶格中氧的目的，提高氮化铝在烧结过程中晶格的完整性，减少铝空位的形成，从而提高氮化铝陶瓷的导热率。同时，氮化铝陶瓷的高致密化程度和较少的铝空位，使得氮化铝陶瓷还具有较高的强度。
由于静电卡盘是在等离子的环境中使用的，在高能等离子轰击的环境中，这两项性能是衡量是否耐等离子轰击的性能指标，如果这两项性能不达标，则使用寿命会很低，而经实验证明，上述氮化铝陶瓷的制备方法制备得到的氮化铝陶瓷还兼具较低的介电常数和较低的电损耗，即具有较好的绝缘性能。
一实施方式的氮化铝陶瓷，由上述氮化铝陶瓷的制备方法制备得到，使得该氮化铝陶瓷不仅具有较高的导热率和较高的致密度，同时，还具有较高的强度、较低的介电常数和较低的电损耗。
一实施方式的静电卡盘，由上述氮化铝陶瓷加工处理得到。由于上述氮化铝陶瓷不仅具有较高的导热率和较高的致密度，同时，还具有较高的强度、较高的均一性、较低的介电常数和较低的电损耗，因此，该静电卡盘也不仅具有较高的导热率和较高的致密度，同时，还具有较高的强度、较低的介电常数和较低的电损耗。
在其中一个实施例中，将氮化铝陶瓷加工处理得到静电卡盘的方法包括如下步骤：在氮化铝陶瓷上形成电极槽，然后在电极槽内形成电极坯体层，将形成有电极坯体层的氮化铝陶瓷在1000℃～1400℃下共烧，得到静电卡盘。
在其中一个实施例中，在电极槽内形成电极层的方法为丝网印刷；电极层的材料为含有钼和锰的导电浆料。具体地，在氮化铝陶瓷上形成电极槽的步骤之前，还包括对氮化铝陶瓷进行抛光的步骤。
在其中一个实施例中，在氮化铝陶瓷上形成电极槽的方法为等离子蚀刻。
上述静电卡盘能够在晶圆的加工处理中的应用，用于固定晶圆，由于上述静电卡盘具有较好的导热性，使得晶圆在加工过程中能够更加均匀的受热，有利于提高晶圆的加工良率及质量。
以下为具体实施例部分(以下实施例如无特殊说明，则不含有除不可避免的杂质以外的其它未明确指出的组分。)：
实施例1
本实施例的氮化铝陶瓷的制备过程如下：
(1)称取原料，原料由球形的氮化铝粉和助烧剂组成，按照质量百分含量计，氮化铝粉由75％的中位粒径为1微米的第一氮化铝颗粒和25％的中位粒径为7微米的第二氮化铝颗粒组成，助烧剂为氧化锂，助烧剂与氮化铝粉的质量比为4:100。
(2)将助烧剂和氮化铝粉在55℃下干燥18小时，然后干法球磨混合72小时，再在55℃下干燥18小时，然后过350目筛，得到混合料。
(3)将混合料干压成型，得到坯体。
(4)在一氧化碳和氮气的混合气体的气氛中，将坯体在1700℃下微波烧结2小时，得到氮化铝陶瓷，其中，一氧化碳和氮气的质量比为20:80。
实施例2
本实施例的氮化铝陶瓷的制备过程如下：
(1)称取原料，原料由球形的氮化铝粉和助烧剂组成，按照质量百分含量计，氮化铝粉由70％的中位粒径为2微米的第一氮化铝颗粒和30％的中位粒径为6微米的第二氮化铝颗粒组成，助烧剂为氧化锂，助烧剂与氮化铝粉的质量比为1:100。
(2)将助烧剂和氮化铝粉在40℃下干燥24小时，然后干法球磨混合96小时，再在40℃下干燥24小时，然后过300目筛，得到混合料。
(3)将混合料干压成型，得到坯体。
(4)在一氧化碳和氮气的混合气体的气氛中，将坯体在1600℃下微波烧结4小时，得到氮化铝陶瓷，其中，一氧化碳和氮气的质量比为10:90。
实施例3
本实施例的氮化铝陶瓷的制备过程如下：
(1)称取原料，原料由球形的氮化铝粉和助烧剂组成，按照质量百分含量计，氮化铝粉由80％的中位粒径为0.5微米的第一氮化铝颗粒和20％的中位粒径为8微米的第二氮化铝颗粒组成，助烧剂为氧化锂，助烧剂与氮化铝粉的质量比为6:100。
(2)将助烧剂和氮化铝粉在70℃下干燥12小时，然后干法球磨混合48小时，再在70℃下干燥12小时，然后过400目筛，得到混合料。
(3)将混合料干压成型，得到坯体。
(4)在一氧化碳和氩气的混合气体的气氛中，将坯体在1800℃下微波烧结1小时，得到氮化铝陶瓷，其中，一氧化碳和氩气的质量比为30:70。
实施例4
本实施例的氮化铝陶瓷的制备过程如下：
(1)称取原料，原料由球形的氮化铝粉和助烧剂组成，按照质量百分含量计，氮化铝粉由75％的中位粒径为1.5微米的第一氮化铝颗粒和30％的中位粒径为6.5微米的第二氮化铝颗粒组成，助烧剂为氧化锂，助烧剂与氮化铝粉的质量比为2:100。
(2)将助烧剂和氮化铝粉在50℃下干燥20小时，然后干法球磨混合80小时，再在50℃下干燥20小时，然后过300目筛，得到混合料。
(3)将混合料冷等静压成型，得到坯体。
(4)在一氧化碳和氮气的混合气体的气氛中，将坯体在1700℃下微波烧结3小时，得到氮化铝陶瓷，其中，一氧化碳和氮气的质量比为15:85。
实施例5
本实施例的氮化铝陶瓷的制备过程如下：
(1)称取原料，原料由球形的氮化铝粉和助烧剂组成，按照质量百分含量计，氮化铝粉由78％的中位粒径为1微米的第一氮化铝颗粒和22％的中位粒径为8微米的第二氮化铝颗粒组成，助烧剂为氧化锂，助烧剂与氮化铝粉的质量比为5:100。
(2)将助烧剂和氮化铝粉在60℃下干燥18小时，然后干法球磨混合90小时，再在65℃下干燥15小时，然后过400目筛，得到混合料。
(3)将混合料冷等静压成型，得到坯体。
(4)在一氧化碳和氮气的混合气体的气氛中，将坯体在1650℃下微波烧结3.5小时，得到氮化铝陶瓷，其中，一氧化碳和氮气的质量比为25:75。
实施例6
本实施例的氮化铝陶瓷的制备过程如下：
(1)称取原料，原料由球形的氮化铝粉和助烧剂组成，按照质量百分含量计，氮化铝粉由75％的中位粒径为2微米的第一氮化铝颗粒和25％的中位粒径为7微米的第二氮化铝颗粒组成，助烧剂为氧化锂，助烧剂与氮化铝粉的质量比为3:100。
(2)将助烧剂和氮化铝粉在45℃下干燥22小时，然后干法球磨混合65小时，再在50℃下干燥20小时，然后过350目筛，得到混合料。
(3)将混合料冷等静压成型，得到坯体。
(4)在一氧化碳和氩气的混合气体的气氛中，将坯体在1750℃下微波烧结1.5小时，得到氮化铝陶瓷，其中，一氧化碳和氩气的质量比为22:78。
实施例7
本实施例的氮化铝陶瓷的制备过程与实施例1的氮化铝陶瓷的制备过程大致相同，区别在于，本实施例的助烧剂与实施例1不同，本实施例的助烧剂为氧化钠。
实施例8
本实施例的氮化铝陶瓷的制备过程与实施例1的氮化铝陶瓷的制备过程大致相同，区别在于，本实施例的助烧剂与实施例1不同，本实施例的助烧剂由质量比为1:1的氧化锂和氧化镁组成。
实施例9
本实施例的氮化铝陶瓷的制备过程与实施例1的氮化铝陶瓷的制备过程大致相同，区别在于，本实施例的助烧剂与实施例1不同，本实施例的助烧剂由质量比为1:1:1的氧化锂、氧化钠和氧化钙组成。
实施例10
本实施例的氮化铝陶瓷的制备过程与实施例1的氮化铝陶瓷的制备过程大致相同，区别在于，本实施例的助烧剂与实施例1不同，本实施例的助烧剂由质量比为1:1:1的氧化锂、氧化钠、五氧化二铌和氧化钙组成。
实施例11
本实施例的氮化铝陶瓷的制备过程与实施例1的氮化铝陶瓷的制备过程大致相同，区别在于，本实施例的助烧剂与实施例1不同，本实施例的助烧剂由质量比为1:1:1:1:1的氧化锂、氧化钠、氧化镁、五氧化二铌和氧化钙组成。
实施例12
本实施例的氮化铝陶瓷的制备过程与实施例1的氮化铝陶瓷的制备过程大致相同，区别在于，本实施例的助烧剂与实施例1不同，本实施例的助烧剂由质量比为1:1:1:1的氧化钠、氧化镁、五氧化二铌和氧化钙组成。
实施例13
本实施例的氮化铝陶瓷的制备过程与实施例1的氮化铝陶瓷的制备过程大致相同，区别在于，本实施例的助烧剂与实施例1不同，本实施例的助烧剂由质量比为1:1:1的氧化镁、五氧化二铌和氧化钙组成。
实施例14
本实施例的氮化铝陶瓷的制备过程与实施例1的氮化铝陶瓷的制备过程大致相同，区别在于，本实施例的步骤(4)的烧结方式不同，本实施例的步骤(4)为：将坯体在充满一氧化碳和氮气的混合气体的炉体中于1700℃下烧结2小时。
实施例15
本实施例的氮化铝陶瓷的制备过程与实施例1的氮化铝陶瓷的制备过程大致相同，区别在于，本实施例的助烧剂与氮化铝粉的质量比为0.5:100。
实施例16
本实施例的氮化铝陶瓷的制备过程与实施例1的氮化铝陶瓷的制备过程大致相同，区别在于，本实施例的助烧剂与氮化铝粉的质量比为7:100。
实施例17
本实施例的氮化铝陶瓷的制备过程与实施例1的氮化铝陶瓷的制备过程大致相同，区别在于，本实施例的步骤(4)是在氢气和氮气的混合气体的气氛中进行微波烧结的，其中，氢气和氮气的质量比为20:80。
实施例18
本实施例的氮化铝陶瓷的制备过程与实施例1的氮化铝陶瓷的制备过程大致相同，区别在于，本实施例的助烧剂为氧化钠，且步骤(4)是在氢气和氮气的混合气体的气氛中进行微波烧结的，其中，氢气和氮气的质量比为20:80。
实施例19
本实施例的氮化铝陶瓷的制备过程与实施例1的氮化铝陶瓷的制备过程大致相同，区别在于，本实施例的步骤(4)是在氢气、一氧化碳和氮气的混合气体的气氛中进行微波烧结的，其中，氢气和一氧化碳的质量比为1:1，氢气与一氧化碳的质量之和与氮气的质量比为20:80。
实施例20
本实施例的氮化铝陶瓷的制备过程与实施例1的氮化铝陶瓷的制备过程大致相同，区别在于，本实施例的助烧剂由质量比为1:1:1:1:1的氧化锂、氧化钠、氧化镁、五氧化二铌和氧化钙组成，且步骤(4)是在氢气、一氧化碳和氮气的混合气体的气氛中进行微波烧结的，其中，氢气和一氧化碳的质量比为1:1，氢气与一氧化碳的质量之和与氮气的质量比为20:80。
对比例1
对比例1的氮化铝陶瓷的制备过程与实施例1的氮化铝陶瓷的制备过程大致相同，区别在于，对比例1的氮化铝粉为100％的中位粒径为1微米的氮化铝颗粒组成。
对比例2
对比例2的氮化铝陶瓷的制备过程与实施例1的氮化铝陶瓷的制备过程大致相同，区别在于，对比例2的氮化铝粉为100％的中位粒径为7微米的第二氮化铝颗粒组成。
对比例3
对比例3的氮化铝陶瓷的制备过程与实施例1的氮化铝陶瓷的制备过程大致相同，区别在于，对比例3的氮化铝粉由85％的中位粒径为1微米的第一氮化铝颗粒和15％的中位粒径为7微米的第二氮化铝颗粒组成。
对比例4
对比例4的氮化铝陶瓷的制备过程与实施例1的氮化铝陶瓷的制备过程大致相同，区别在于，对比例4的氮化铝粉由60％的中位粒径为1微米的第一氮化铝颗粒和40％的中位粒径为7微米的第二氮化铝颗粒组成。
对比例5
对比例5的氮化铝陶瓷的制备过程与实施例1的氮化铝陶瓷的制备过程大致相同，区别在于，对比例5的步骤(4)是氮气的气氛中进行微波烧结的。
测试：
根据阿基米德排水法分别测试实施例1～20及对比例1～5的氮化铝陶瓷的致密度；根据三点弯曲实验分别测试实施例1～20及对比例1～5的氮化铝陶瓷的强度；采用激光闪光法分别测试实施例1～20及对比例1～5的氮化铝陶瓷的导热率；根据集中电路法方法分别测试实施例1～20及对比例1～5的氮化铝陶瓷的介电常数和介电损耗。
将实施例1～20及对比例1～5的氮化铝陶瓷经抛光，再在氮化铝陶瓷上等离子蚀刻形成电极槽，然后在电极槽内丝网印刷形成钼锰合金电极坯体层，将形成有电极坯体层的氮化铝陶瓷在1200℃下共烧，得到静电卡盘。采用激光闪光法测试实施例1～20及对比例1～5的氮化铝陶瓷制备得到的静电卡盘在不同位置上的导热率值，来衡量静电卡盘的均一性，值越大均一性越差，值越小均一性越好，其中，均一性＝(最大导热率值-最小导热率值)×100％/最大导热率值。
其中，实施例1～20及对比例1～5的氮化铝陶瓷的致密度、强度、导热率、介电常数、介电损耗以及均一性分别见表1。
表1
从表1中可以看出，实施例1～20的氮化铝陶瓷的导热率至少为150w/m·k，显然，远远高于对比例1～对比例5的氮化铝陶瓷的导热率，且实施例1～20的氮化铝陶瓷的致密度至少为98.05％，强度至少为370mpa，介电常数最多仅为7.67c2/(n*m2)，介电损耗最大为2.24×10-4kv/mm，也远远优于对比例1～对比例5，同时，实施例1～20的氮化铝陶瓷还具有较为优良的均一性。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。