一种氧化锆晶体生产装置的制作方法

本实用新型涉及一种氧化锆晶体生产装置，属于氧化锆晶体制备技术领域。

背景技术：

传统氧化锆晶体的生产采用冷坩埚法，其特点是晶体生长不是在高熔点金属材料的坩埚中进行的，而是直接用原料本身作坩埚，使其内部熔化，外部则装有冷却装置，从而使表层未熔化，形成一层未熔壳，起到坩埚的作用。内部已融化的晶体材料，依靠坩埚下降脱离加热区，熔体温度逐渐下降并结晶长大。而锆晶体的整个加热控制都是工人根据平时生产经验进行的判断，虽然较稳定但随意性较大，并且若遇到下料比例改变的情况，或停电、电压波动等因素，根据经验判断的误差就很大，从而导致结晶的变化。而锆晶体生产的投入成本大，每一步骤的变化，都会造成巨大的损失。

技术实现要素：

有鉴于此，针对现有技术的不足，本实用新型提供一种工艺更加完善的氧化锆晶体生产装置。

为解决以上技术问题，本实用新型的技术方案为采用一种氧化锆晶体生产装置，它包括坩埚和高频线圈，坩埚套设在高频线圈内可上下移动，所述坩埚包括内部中空的坩埚盖和坩埚底以及由数根紫铜管排列形成的坩埚壁，坩埚盖的顶部开设有冷却水进口，坩埚底的底部开设有冷却水出口，紫铜管与坩埚盖和坩埚底连通，所述坩埚内设置有测温探头，测温探头连接温控器，所述高频线圈与高频控制柜连接，温控器与高频控制柜电连接。

进一步的，所述坩埚固定在升降台上，由升降台来控制坩埚的升降。

优选的是，所述坩埚盖的顶部的冷却水进口设置有两个，对称设置在坩埚盖的两边。

优选的是，所述坩埚底的底部的冷却水出口设置有两个，对称设置在坩埚底的两边。

进一步的，所述测温探头设置在坩埚盖中心点下方。

生产时，向坩埚内堆放氧化锆粉末原料，坩埚内通冷却水，高频控制柜启动控制高频电流通过高频线圈产生交变电磁场进行高频加热，开始熔融氧化锆原料，由于坩埚紫铜管内通有冷却水带走热量，所以外层的氧化锆粉末未熔，形成“冷坩埚熔壳”。在整个高频加热过程中，测温探头对坩埚内的温度进行测定，并及时反馈给温控器，温控器将信号反馈给高频控制柜从而控制高频电流的大小来调节坩埚内的温度实现均衡熔料。

与现有技术相比，本实用新型通过安装测温探头实时监控坩埚内的温度数据，科学控制熔料过程，从而有科学根据的对生产过程中的不足作出调整，不再凭经验判断，使氧化锆的生产工艺更加完善，坩埚内的粉料经过均衡的温度调节熔料，使炉内熔料能够充分均匀的熔化，从而提高成品品质。

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图。

图例说明：

1-坩埚，2-高频线圈，3-测温探头，4-温控器，5-高频控制柜，6-升降台；

11-紫铜管，12-坩埚盖，13-坩埚底，14-冷却水进口，15-冷却水出口。

具体实施方式

为了使本领域的技术人员更好地理解本实用新型的技术方案，下面结合附图对本实用新型作进一步的详细说明。

参见图1，本实用新型提供了一种氧化锆晶体生产装置，它包括坩埚1和高频线圈2，坩埚1套设在高频线圈2内可上下移动，所述坩埚1包括内部中空的坩埚盖12和坩埚底13以及由数根紫铜管11排列形成的坩埚壁，坩埚盖12的顶部开设有冷却水进口14，坩埚底13的底部开设有冷却水出口15，紫铜管11与坩埚盖12和坩埚底13连通，所述坩埚1内设置有测温探头3，优选的是，测温探头3设置在坩埚盖12的中心点下方，测温探头3连接温控器4，所述高频线圈2与高频控制柜5连接，温控器4与高频控制柜5电连接。坩埚1固定在升降台6上，由升降台6来控制坩埚的升降。

优选的是，所述坩埚盖12的顶部的冷却水进口14设置有两个，对称设置在坩埚盖的两边。

优选的是，所述坩埚底13的底部的冷却水出口15设置有两个，对称设置在坩埚底的两边。

生产时，向坩埚1内堆放氧化锆粉末原料，坩埚1内通冷却水，高频控制柜5启动控制高频电流通过高频线圈2产生交变电磁场进行高频加热，开始熔融氧化锆原料，由于坩埚紫铜管内通有冷却水带走热量，所以外层的氧化锆粉末未熔，形成“冷坩埚熔壳”。在整个高频加热过程中，测温探头3对坩埚内的温度进行测定，并及时反馈给温控器4，温控器4将信号反馈给高频控制柜5从而控制高频电流的大小来调节坩埚内的温度实现均衡熔料。

本实用新型结构简单，使用方便，提高了成品的品质。

应当指出的是，上述实施方式不应视为对本实用新型的限制，本实用新型的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型的精神和范围内，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本实用新型的保护范围。