技术总结
水平区熔法提纯生长超高纯锗单晶的石英舟，涉及超高纯锗单晶的生长器皿。尤其是一种既能提高锗材料的区熔提纯效果，又能减少锗金属污染的环节和可能性，最大程度的保证锗金属材料的纯度，在特定的加热温度下，有效控制较窄熔区，以缩短杂质扩散路径的应用于水平区熔法提纯生长超高纯锗单晶的石英舟。本实用新型的水平区熔法提纯生长超高纯锗单晶的石英舟，其特征在于该石英舟包括籽晶段、变径段以及等径段，籽晶段、变径段以及等径段顺序连接，所述的变径段呈圆锥状，锥度为45°；变径段尾部呈封闭状。
技术研发人员：李学洋;董汝昆;普世坤;惠峰;柳廷龙;钟文;赵燕;张朋;林作亮;陈代凤;滕文
受保护的技术使用者：云南中科鑫圆晶体材料有限公司;昆明云锗高新技术有限公司;云南鑫耀半导体材料有限公司
技术研发日：2018.11.15
技术公布日：2019.07.02