技术特征：
技术总结
本发明涉及一种晶硅及其晶体生长工艺。其中，晶硅的晶体生长工艺包括如下步骤：在单位时间内，根据熔体中掺杂元素的分凝系数K，控制加料重量和长晶重量的加料比率，使其为K的线性函数。上述晶硅的晶体生长工艺，能够使溶液中减少的杂质总量与进入晶体的杂质总量相等，从而得到电阻率分布均匀的晶硅材料。此外，还涉及一种采用上述晶体生长工艺制备得到的晶硅。
技术研发人员：刘海;张新皓;许一柠
受保护的技术使用者：江苏协鑫软控设备科技发展有限公司
技术研发日：2019.04.29
技术公布日：2019.08.23