1.一种多晶硅还原炉，其特征在于，包括：
底盘，所述底盘上设有进气管和出气管；
高阻值硅芯，所述高阻值硅芯设在所述底盘上；
还原炉筒体，所述还原炉筒体适于罩设在所述底盘上，所述还原炉筒体内限定有空腔；
气体加热器，所述气体加热器上形成有气体进口和气体出口；
物料系统换热器，所述物料系统换热器上形成有物料系统进口和物料系统出口；
气体管道，所述气体管道被构造成与所述气体出口和所述物料系统出口中的其中一个连通；
其中，经所述气体加热器加热后的气体适于经由所述气体管道和所述进气管进入所述空腔内以加热所述高阻值硅芯。
2.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉，其特征在于，所述气体为高纯惰性气体。
3.根据权利要求2所述的多晶硅还原炉，其特征在于，所述高纯惰性气体为氮气。
4.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉，其特征在于，所述气体为高纯氢气。
5.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉，其特征在于，所述气体出口处设有第一开关阀，所述物料系统出口处设有第二开关阀，所述第一开关阀和所述第二开关阀中的其中一个关闭且另一个打开。
6.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉，其特征在于，所述气体管道上设有温度检测件以检测经所述进气管进入所述空腔内的气体的温度。
7.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉，其特征在于，所述气体管道上设有压力检测件以检测经所述进气管进入所述空腔内的气体的压力。
8.根据权利要求1-7中任一项所述的多晶硅还原炉，其特征在于，所述高阻值硅芯的电阻率不低于1000ω·cm。
9.一种根据权利要求1-8中任一项所述的多晶硅还原炉的启炉方法，其特征在于，，包括：
将高阻值硅芯安装至所述多晶硅还原炉的底盘上，并在所述底盘上罩设还原炉筒体；
向所述还原炉内以第一预定流量通入第一预定时间的气体以置换所述还原炉内的空气；
开启气体加热器，将所述气体加热至预定温度并将加热后的气体以第二流量通入所述还原炉内第二预定时间；
关闭所述气体加热器，停止向所述还原炉内进气，并将所述还原炉内的压力维持在预定压力；
将经加热气体处理后的高阻值硅芯进行击穿处理。
10.根据权利要求9所述的多晶硅还原炉的启炉方法，其特征在于，
所述第一预定时间为0.25h-0.5h；和/或
所述第二预定时间为1.5h-2.0h；和/或
所述预定温度为250℃-300℃；和/或
所述第一流量为150nm3；和/或
所述第二流量为150nm3；和/或
所述预定压力为0.05mpa。