一种硅砂制备工艺的制作方法

文档序号:19738417发布日期:2020-01-18 04:50阅读:874来源:国知局
一种硅砂制备工艺的制作方法

本发明涉及硅砂技术领域,特别涉及一种硅砂制备工艺。



背景技术:

硅砂,又名石英砂,是以石英为主要矿物成分、粒径在0.020mm-3.350mm的耐火颗粒物。硅砂是一种坚硬、耐磨、化学性能稳定的硅酸盐矿物,其主要矿物成分是sio2,作为重要的工业矿物原料,广泛用于玻璃、铸造、陶瓷及耐火材料、冶金、建筑、化工、塑料、橡胶、磨料等工业。

硅砂纯度不同,理化性能则不相同,而纯度较高的高精硅砂拥有较好的理化性能,应用于很多高精尖的行业,例如电子、it、国防等。随着科技的不断发展,高纯度高精硅砂的需求量也在不断增加。现有技术中对于高纯度高精硅砂的加工,工艺较复杂,效率低,成本高。因此,亟需一种操作简单、加工效率高的硅砂制备工艺。



技术实现要素:

本发明要解决的技术问题是提供一种硅砂制备工艺,操作流程简单,提高加工效率,降低生产成本,通过该工艺制备的硅砂纯度高,粒度集中、品位高,符合用户对高纯度高精硅砂理化性能的需求。

为了解决上述技术问题,本发明的技术方案为:

一种硅砂制备工艺,其特征在于,包括以下步骤:

步骤1)粉碎:将经清洗后的原矿进行粉碎处理,获得粒径<10mm的粉碎料;

步骤2)制砂:将步骤1)中所述粉碎料加入制砂机进行制砂,制砂后筛分过40-70目筛,并进行脱泥处理,获得初级筛分砂;

步骤3)轮磨:将步骤2)中所述初级筛分砂加入轮磨机进行研磨处理,研磨后筛分过8-10目筛,并进行脱泥处理,获得筛粉砂;

步骤4)磁选:将步骤3)中所述筛粉砂加入磁选机进行磁选,获得磁选砂;

步骤5)清洗、脱水:将步骤4)中所述磁选砂进行清洗处理,再经脱水处理后制得半成品;

步骤6)烘干:将步骤5)中所述半成品进行烘干处理,即得成品。

作为一优选的实施方式,步骤1)中所述粉碎采用多级粉碎的方式。

作为一优选的实施方式,所述多级粉碎包括粗碎及细碎。

作为一优选的实施方式,所述粗碎采用颚式破碎机,所述细碎采用反击破碎机。

作为一优选的实施方式,步骤4)中所述磁选反复进行多次。

作为一优选的实施方式,步骤4)中所述磁选采用强磁磁选机。

作为一优选的实施方式,所述强磁磁选机的磁场强度设置为15000-16000高斯。

作为一优选的实施方式,步骤5)中所述清洗处理采用去离子水。

作为一优选的实施方式,步骤5)中所述清洗处理采用超声波清洗装置。

作为一优选的实施方式,步骤6)中所述烘干处理的温度设置为300-400℃,烘干时间为2-3小时。

采用上述技术方案,原矿通过粉碎、制砂、轮磨、磁选、清洗、脱水、烘干的工艺流程,制备获得硅砂,流水化作业,工艺简单,操作流程简单,提高加工效率,降低生产成本;而通过该工艺制备的硅砂,经制砂、轮磨、多级筛分、多级脱泥、磁选、清洗的加工工序,纯度高,粒度集中、品位高,符合用户对高纯度高精硅砂理化性能的需求。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明一种硅砂制备工艺的工艺流程图。

具体实施方式

下面结合附图对本发明的具体实施方式作进一步说明。在此需要说明的是,对于这些实施方式的说明用于帮助理解本发明,但并不构成对本发明的限定。此外,下面所描述的本发明各个实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互组合。

在本发明的描述中,需要理解的是,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本发明的描述中,“多次”的含义是至少两次,例如两次,三次等,除非另有明确具体的限定。

结合附图对本发明进一步说明,使所属技术领域的技术人员更好的实施本发明,本发明实施例一种硅砂制备工艺,包括以下步骤:

步骤1)粉碎:将经清洗后的原矿进行粉碎处理,获得粒径<10mm的粉碎料;原矿经清洗后再进行加工,减少泥沙、杂质产生,利于后期硅砂的筛分、提纯处理,提高加工效率。

步骤2)制砂:将步骤1)中粉碎料加入制砂机进行制砂,制砂后筛分过40-70目筛,并进行脱泥处理,获得初级筛分砂;过筛后粒径较大的将返回制砂机,直至产出物料符合粒径需求。

步骤3)轮磨:将步骤2)中初级筛分砂加入轮磨机进行研磨处理,研磨后筛分过8-10目筛,并进行脱泥处理,获得筛粉砂;过筛后粒径较大的将返回轮磨机,直至产出物料符合粒径需求。

步骤4)磁选:将步骤3)中筛粉砂加入磁选机进行磁选,获得磁选砂;回收磁选矿物杂质,备作他用。

步骤5)清洗、脱水:将步骤4)中磁选砂进行清洗处理,再经脱水处理后制得半成品;

步骤6)烘干:将步骤5)中半成品进行烘干处理,即得成品。

采用上述技术方案,原矿通过粉碎、制砂、轮磨、磁选、清洗、脱水、烘干的工艺流程,制备获得硅砂,流水化作业,工艺简单,操作流程简单,提高加工效率,降低生产成本;而通过该工艺制备的硅砂,经制砂、轮磨、多级筛分、多级脱泥、磁选、清洗的加工工序,纯度高,粒度集中、品位高,符合用户对高纯度高精硅砂理化性能的需求。

本发明另一实施例一种硅砂制备工艺,包括以下步骤:

步骤1)粉碎:将经清洗后的原矿进行粉碎处理,获得粒径<10mm的粉碎料;原矿经清洗后再进行加工,减少泥沙、杂质产生,利于后期硅砂的筛分、提纯处理,提高加工效率。

粉碎采用多级粉碎的方式,多级粉碎包括粗碎及细碎,粗碎采用颚式破碎机,细碎采用反击破碎机。

原矿粒径<200mm,粗碎过程将原矿粉碎至50mm以下,进一步细碎后,获得所需粒径粉碎料。

步骤2)制砂:将步骤1)中粉碎料加入制砂机进行制砂,制砂后筛分过40-70目筛,并进行脱泥处理,获得初级筛分砂;过筛后粒径较大的将返回制砂机,直至产出物料符合粒径需求。

步骤3)轮磨:将步骤2)中初级筛分砂加入轮磨机进行研磨处理,轮碾磨球,研磨后筛分过8-10目筛,并进行脱泥处理,获得筛粉砂;过筛后粒径较大的将返回轮磨机,直至产出物料符合粒径需求。

步骤4)磁选:将步骤3)中筛粉砂加入磁选机进行磁选,获得磁选砂;回收磁选矿物杂质,备作他用。

步骤5)清洗、脱水:将步骤4)中磁选砂进行清洗处理,再经脱水处理后制得半成品;

步骤6)烘干:将步骤5)中半成品进行烘干处理,即得成品。

各步骤间相关设备、机器,通过输送设备,例如上料机、输送皮带、振动送料机、晒送机等连接,形成自动化生产线,保证作业效率。

本发明另一实施例一种硅砂制备工艺,包括以下步骤:

步骤1)粉碎:将经清洗后的原矿进行粉碎处理,获得粒径<10mm的粉碎料;原矿经清洗后再进行加工,减少泥沙、杂质产生,利于后期硅砂的筛分、提纯处理,提高加工效率。

步骤2)制砂:将步骤1)中粉碎料加入制砂机进行制砂,制砂后筛分过40-70目筛,并进行脱泥处理,获得初级筛分砂;过筛后粒径较大的将返回制砂机,直至产出物料符合粒径需求。

步骤3)轮磨:将步骤2)中初级筛分砂加入轮磨机进行研磨处理,研磨后筛分过8-10目筛,并进行脱泥处理,获得筛粉砂;过筛后粒径较大的将返回轮磨机,直至产出物料符合粒径需求。

步骤4)磁选:将步骤3)中筛粉砂加入磁选机进行磁选,获得磁选砂;回收磁选矿物杂质,备作他用。

磁选反复进行多次,例如两次、三次或更多次,可进一步提高磁选料的纯度,从而进一步提高硅砂产品的纯度。

反复多次磁选处理的磁场强度可依次递增,磁场强度可由8000高斯递增至16000高斯,形成梯度磁选,提升纯度。

步骤5)清洗、脱水:将步骤4)中磁选砂进行清洗处理,再经脱水处理后制得半成品;

步骤6)烘干:将步骤5)中半成品进行烘干处理,即得成品。

本发明另一实施例一种硅砂制备工艺步骤4)中磁选采用强磁磁选机,强磁磁选机的磁场强度设置为15000-16000高斯,通过强磁磁选的方式,获得高纯度磁选料。

本发明另一实施例一种硅砂制备工艺,其中,步骤5)中清洗处理采用去离子水,保证清洗效果。

本发明另一实施例一种硅砂制备工艺,其中,步骤5)中清洗处理采用超声波清洗装置,进一步提升清洗效果,去除杂质,提升硅砂纯度、精度。

本发明另一实施例一种硅砂制备工艺,其中,步骤6)中烘干处理的温度设置为300-400℃,烘干时间为2-3小时,具体设置方式:

烘干处理温度300℃,烘干时间3小时;

烘干处理温度400℃,烘干时间2小时;

烘干处理温度350℃,烘干时间2.5小时;

烘干处理温度375℃,烘干时间2.5小时。

通过上述各种实施方式获得的硅砂产品,纯度高,粒度集中、品位高,符合用户对高纯度高精硅砂理化性能的需求。

在本说明书的描述中,参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“另一实施例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中,对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且,描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外,在不相互矛盾的情况下,本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。

以上结合附图对本发明的实施方式作了详细说明,但本发明不限于所描述的实施方式。对于本领域的技术人员而言,在不脱离本发明原理和精神的情况下,对这些实施方式进行多种变化、修改、替换和变型,仍落入本发明的保护范围内。

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