波能抑制管的制作方法

1.本实用新型涉及单晶硅棒制作领域，具体涉及波能抑制管。


背景技术：

2.在工艺生产过程中,能量供给采用微波能作为能源动力,该种动力提供虽具有高效、清洁等诸多特点，但在连续提供动力过程中由于波能传输过程的特殊性，腔体内部会有部分波能沿着抽空管线逃逸,由于波能逃逸的存在会出现波能浪费、对设备的损伤及对管线附带信号检测测头的干扰等不利因素，采用微波波能抑制管可有效将波能阻滞在腔体内部。
3.现有常规微波单晶生长工艺主要是通过减小抽气管线通径口径以达到波能抑制的目的,但现有措施极易导致管线进气端形成高温挥发物的积聚，甚者由于挥发物积聚效应导致有效抽气速率大幅降低，炉内压升过大，将原有的单一气流场影响成了涡流场为主导的气流场，最终形成挥发物回旋，部分宏观颗粒扰动到结晶前沿，导致长晶断线率骤升，严重者导致工艺失败。


技术实现要素：

4.鉴于现有技术中的上述缺陷或不足，期望提供波能抑制管。
5.根据本申请实施例提供的技术方案，波能抑制管，包括炉体、保温层、加热器、石墨坩埚、导流筒和坩埚托杆，所述炉体的内部安装有所述保温层，所述保温层的内部安装有所述加热器，所述加热器的内侧安装有所述石墨坩埚，所述石墨坩埚的上方安装有所述导流筒，所述石墨坩埚的底部安装在坩埚托杆上，所述炉体上安装有抑制管，所述抑制管分为三段，分别为管a、管b和管c，所述管a的直径大于所述管b，所述管b的直径大于所述管c，所述管a的一端与所述炉体连接，另一端与所述管b连接，所述管b的一端与所述管a连接，另一端与所述管c连接，所述管c的一端与所述管b连接，另一端与外部环境连通。
6.本实用新型中，所述抑制管采用超高密度等静压石墨制成。
7.本实用新型中，所述管a和管b水平连接。
8.本实用新型中，所述管b和管c垂直连接。
9.本实用新型中，所述抑制管的形状呈l形。
10.综上所述，本申请的有益效果：通过采用超高密度等静压石墨为基材，根据波能传输方式,在长晶设备腔体内部安装波能抑制管，将波能有效抑制于腔体内部，不但提高了能量利用率还降低了其对设备的损伤与干扰。
附图说明
11.通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本申请的其它特征、目的和优点将会变得更明显：
12.图1为本实用新型的整体结构示意图；
13.图2为本实用新型中抑制管的结构示意图。
14.图中标号：炉体
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1；保温层
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2；加热器
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3；石墨坩埚
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4；导流筒
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5；坩埚托杆
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6；抑制管
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7；管a
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71；管b
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72；管c
‑
73。
具体实施方式
15.下面结合附图和实施例对本申请作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释相关发明，而非对该发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与发明相关的部分。
16.需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本申请。
17.如图1和图2所示，波能抑制管，包括炉体1、保温层2、加热器3、石墨坩埚4、导流筒5和坩埚托杆6，所述炉体1的内部安装有所述保温层2，所述保温层2的内部安装有所述加热器3，所述加热器3的内侧安装有所述石墨坩埚4，所述石墨坩埚4的上方安装有所述导流筒5，所述石墨坩埚4的底部安装在坩埚托杆6上，所述炉体1上安装有抑制管7，所述抑制管7分为三段，分别为管a71、管b72和管c73，所述管a71的直径大于所述管b72，所述管b72的直径大于所述管c73，所述管a71的一端与所述炉体1连接，另一端与所述管b72连接，所述管b72的一端与所述管a71连接，另一端与所述管c73连接，所述管c73的一端与所述管b72连接，另一端与外部环境连通。所述抑制管7采用超高密度等静压石墨制成。所述管a71和管b72水平连接。所述管b72和管c73垂直连接。所述抑制管7的形状呈l形。
18.根据长晶设备腔体内部结构,采用这种逐渐减小口径的波能抑制管，波能抑制管的最细端远离了长晶设备腔体，能有效避免高温挥发物聚集在管线进气端导致挥发物回旋影响结晶，抽气速率也不会因此降低，同时也防止了腔体内部波能沿出气管路外泄,从而杜绝波能浪费、对设备的损伤及对管线附带信号检测测头的干扰，为长晶环境的顺利进行提供稳定的电气控制环境。
19.以上描述仅为本申请的较佳实施例以及对所运用技术原理等方案的说明。同时，本申请中所涉及的发明范围，并不限于上述技术特征的特定组合而成的技术方案，同时也应涵盖在不脱离所述发明构思的情况下，由上述技术特征或其等同特征进行任意组合而形成的其它技术方案。例如上述特征与本申请中公开的(但不限于)具有类似功能的技术特征进行互相替换而形成的技术方案。