技术特征：
1.一种碳化硅衬底的制造方法，包括：进行激光加工以通过对碳化硅衬底照射激光而去除所述碳化硅衬底的一部分的加工步骤，和通过对所述碳化硅衬底进行热处理而去除通过所述加工步骤引入到所述碳化硅衬底中的应变层的应变层去除步骤。2.根据权利要求1所述的碳化硅衬底的制造方法，其中，所述加工步骤是在所述碳化硅衬底上形成贯通孔的步骤。3.根据权利要求1或2所述的碳化硅衬底的制造方法，其中，所述应变层去除步骤是在准封闭空间内蚀刻所述碳化硅衬底的步骤。4.根据权利要求1至3中任一项所述的碳化硅衬底的制造方法，其中，所述应变层去除步骤是在硅气氛下蚀刻所述碳化硅衬底的步骤。5.一种碳化硅衬底，通过根据权利要求1至4中任一项所述的制造方法来制造。6.一种去除通过激光加工引入到碳化硅衬底中的应变层的方法，包括对碳化硅衬底进行热处理的应变层去除步骤。7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述应变层去除步骤是在准封闭空间内蚀刻所述碳化硅衬底的步骤。8.根据权利要求6或7所述的方法，其中，所述应变层去除步骤是在硅气氛下蚀刻所述碳化硅衬底的步骤。
技术总结
本发明要解决的问题是提供一种能够去除通过激光加工引入到碳化硅衬底中的应变层的新颖技术。本发明是一种碳化硅衬底的制造方法，包括：进行激光加工以通过对碳化硅衬底照射激光而去除所述碳化硅衬底的一部分的加工步骤，和通过对所述碳化硅衬底进行热处理而去除通过所述加工步骤引入到所述碳化硅衬底中的应变层的应变层去除步骤。此外，本发明是一种去除通过激光加工引入到碳化硅衬底中的应变层的方法，其包括对碳化硅衬底进行热处理的应变层去除步骤。应变层去除步骤。应变层去除步骤。
技术研发人员：金子忠昭 堂岛大地
受保护的技术使用者：丰田通商株式会社
技术研发日：2021.03.30
技术公布日：2022/11/25