半导体基板、半导体器件、电子设备的制作方法

本发明涉及半导体基板、半导体器件、电子设备。

背景技术：

1、利用了gan(氮化镓)的半导体装置的电力变换效率一般比包含si(硅)的半导体装置高。由此，利用了gan的半导体装置由于电力损失比包含si的半导体装置小，因此，期待节能效果。过去，为了制造利用了gan的半导体装置，进行与形成gan系半导体元件的技术相关的研究。例如，在专利文献1中公开了使用elo(epitaxial lateral overgrowth，横向外延过生长)法来在gan系基板或异种基板(例如蓝宝石基板)上形成gan系半导体层的手法。

2、在先技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：jp特开2013-251304号公报

技术实现思路

1、本公开所涉及的半导体基板具备：主基板，晶格常数与gan系半导体不同；掩模层，位于比所述主基板更上层，具有开口部以及掩模部；晶种部，在俯视观察下与所述开口部重叠；和半导体层，配置在所述晶种部上以及掩模部上，包含gan系半导体，所述半导体层包含俯视观察下位于所述开口部与所述掩模部的中央之间的有效部，所述有效部的上表面包含在沿着所述开口部的宽度方向的第1方向上具有10μm的尺寸、在与所述第1方向正交的第2方向上具有10μm的尺寸的至少1个低缺陷区域，在所述低缺陷区域中，通过cl法没有测到线状缺陷。

技术特征：

1.一种半导体基板，具备：

2.根据权利要求1所述的半导体基板，其中，

3.根据权利要求1或2所述的半导体基板，其中，

4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体基板，其中，

5.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体基板，其中，

6.一种半导体基板，具备：

7.根据权利要求6所述的半导体基板，其中，

8.一种半导体基板，具备：

9.根据权利要求6～8中任一项所述的半导体基板，其中，

10.根据权利要求9所述的半导体基板，其中，

11.一种半导体基板，具备：

12.根据权利要求11所述的半导体基板，其中，

13.根据权利要求11或12所述的半导体基板，其中，

14.根据权利要求11～13中任一项所述的半导体基板，其中，

15.根据权利要求11～14中任一项所述的半导体基板，其中，

16.根据权利要求11～15中任一项所述的半导体基板，其中，

17.根据权利要求11～16中任一项所述的半导体基板，其中，

18.根据权利要求1～17中任一项所述的半导体基板，其中，

19.根据权利要求1～18中任一项所述的半导体基板，其中，

20.根据权利要求1～19中任一项所述的半导体基板，其中，

21.根据权利要求1～20中任一项所述的半导体基板，其中，

22.根据权利要求21所述的半导体基板，其中，

23.根据权利要求22所述的半导体基板，其中，

24.根据权利要求1～23中任一项所述的半导体基板，其中，

25.根据权利要求1～24中任一项所述的半导体基板，其中，

26.根据权利要求1～25中任一项所述的半导体基板，其中，

27.根据权利要求1～25中任一项所述的半导体基板，其中，所述半导体层是在所述掩模部上没有边缘面的一体形状。

28.根据权利要求1～27中任一项所述的半导体基板，其中，在所述半导体层上设有功能层。

29.一种半导体器件，

30.一种电子设备，

31.一种电子设备，

技术总结
具备：异种基板(1)；具有开口部(KS)以及掩模部(5)的掩模层(6)；与开口部重叠的晶种部(3S)；和配置于晶种部上以及掩模部上的包含GaN系半导体的半导体层(8)，在半导体层的有效部(YS)的上表面包含在沿着开口部的宽度方向的第1方向上具有10μm的尺寸、在与第1方向正交的第2方向上具有10μm的尺寸的至少1个低缺陷区域(AL)，在低缺陷区域(AL)中，通过CL法没有测到线状缺陷。

技术研发人员：神川刚,正木克明,小林敏洋,林雄一郎
受保护的技术使用者：京瓷株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15