技术特征：
1.一种化合物氟硼磷酸铷，其特征在于该化合物的分子式为rb3b
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f3，分子量为767.29，采用真空封装法制成。2.一种如权利要求1所述的化合物氟硼磷酸铷的制备方法，其特征在于采用真空封装法制备：所述真空封装法制备rb3b
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f3的具体操作按下列步骤进行：a、将含rb化合物、含b化合物、含p化合物、和含f化合物按摩尔比rb∶b∶p∶f＝3∶12∶1∶3混合均匀，转入到石英管中抽真空，真空度达到1
×
10-3 pa，然后用火焰喷枪密封，其中，含rb化合物为rboh、rb2co3、rbno3、rbhco3或rbpf6；含b化合物为h3bo3、b2o3；含p化合物为rbpf6；含f化合物为rbpf6；b、将步骤a中的石英管置于马弗炉中，以5-10℃/h的速率升温至300-400℃，保温1-3天，降至室温，即得到rb3b
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f3化合物。3.一种氟硼磷酸铷非线性光学晶体，其特征在于该晶体的分子式为rb3b
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f3，分子量为767.29，该晶体属三方晶系，空间群为r3；其晶胞参数为a = b = 11.3715(1)
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， c = 12.0240(3)
ꢀå
，α =β = 90
°
，γ = 120
°
，z = 3，v = 1346.53(4)
ꢀå3。4.一种权利要求3所述的氟硼磷酸铷非线性光学晶体的制备方法，其特征在于采用密封熔盐法或坩埚下降法制备：所述密封熔盐法制备rb3b
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f3非线性光学晶体的具体操作按下列步骤进行：a、将含rb化合物、含b化合物、含p化合物、和含f化合物按摩尔比rb∶b∶p∶f＝3∶12∶1∶3混合均匀，转入到高压水热釜的铂金内衬或黄金内衬，将高压水热釜密封，其中，含rb化合物为rboh、rb2co3、rbno3、rbhco3或rbpf6；含b化合物为h3bo3、b2o3；含p化合物为rbpf6；含f化合物为rbpf6；b、以5-10℃/h速率升温并将炉温控制在450-600℃，恒温1-3天，再以1-5℃/d速率缓慢降温至室温，打开石英管或高压水热釜，即得到厘米级rb3b
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f3的非线性光学晶体；所述坩埚下降法制备rb3b
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f3非线性光学晶体，具体操作按下列步骤进行：a、将含rb化合物、含b化合物、含p化合物、和含f化合物按摩尔比rb∶b∶p∶f＝3∶12∶1∶3混合均匀，转入到石英管中抽至真空度为1
×
10-3 pa，然后用火焰喷枪密封；将石英管置于马弗炉中，以5-10℃/h的速率升温至300-400℃，保温1-3天，降至室温，即得到rb3b
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f3化合物，其中，含rb化合物为rboh、rb2co3、rbno3、rbhco3或rbpf6；含b化合物为h3bo3、b2o3；含p化合物为rbpf6；含f化合物为rbpf6；b、将含rb化合物、含b化合物、含p化合物、和含f化合物按摩尔比rb∶b∶p∶f＝3∶12∶1∶3混合均匀，转入到石英管中抽至真空度为1
×
10-3 pa，然后用火焰喷枪密封，石英管置于马弗炉中，以5-10℃/h速率升温并控制炉温在450-600℃，恒温1-3天，再以1-5℃/d缓慢降至室温，得到rb3b
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f3的籽晶；c、将步骤b中得到的籽晶放在石英管、铂金坩埚、黄金坩埚、铱坩埚或陶瓷坩埚的底部，再将步骤a得到的化合物纯相，放入坩埚中，然后将坩埚密封；d、将步骤c中的坩埚置于坩埚下降炉中，以5-10℃/h速率升温至500-600℃，保温10-20小时，调整坩埚位置，使接种温度在450-550℃，再以1-10mm/天的速度降低坩埚，保持生长温度不变，待生长结束后，将生长炉温度降至30℃，取出坩埚，即得到rb3b
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f3非线性光学晶体。
5.一种如权利要求3所述的氟硼磷酸铷非线性光学晶体在制备多波段的倍频器件或光学元件中的用途。6.一种权利要求3所述的氟硼磷酸铷非线性光学晶体在制备nd: yag激光器所输出的1064 nm的基频光进行2倍频或3倍频或4倍频、5倍频谐波激光输出中的用途。7.一种如权利要求3所述的氟硼磷酸铷非线性光学晶体在制备产生低于200nm的深紫外倍频光输出中的用途。8.一种权利要求3所述的氟硼磷酸铷非线性光学晶体在制备倍频发生器、上或下频率转换器或光参量振荡器中的用途。
技术总结
本发明涉及一种氟硼磷酸铷化合物和氟硼磷酸铷非线性光学晶体及制备方法和用途，该化合物的分子式为Rb3B
技术研发人员：潘世烈 李子健 程丙良 张方方
受保护的技术使用者：中国科学院新疆理化技术研究所
技术研发日：2022.03.31
技术公布日：2022/6/28