一种氟石膏处理方法及处理装置与流程

文档序号:36964346发布日期:2024-02-07 13:10阅读:45来源:国知局
一种氟石膏处理方法及处理装置与流程

本发明涉及一种氟石膏的处理方法,尤其涉及一种氟石膏的处理方法及处理装置,属于应用化工领域。


背景技术:

1、无水氟化氢作为一种重要的基础化工原料,常用于生产氟盐、氟卤烷烃,氟制冷剂、蚀刻玻璃、浸渍木材,电解元素氟等,被广泛应用于原子能、化工,石油等行业,并且其经提纯至电子级后可被用于光伏行业中,因此,无水氟化氢具有广阔的应用前景。

2、无水氟化氢由氟化氢气体提纯制得。工业上一般通过萤石粉末与硫酸在回转反应炉中加热反应制备氟化氢气体,并得到主要成分为硫酸钙、硫酸、氟化氢,温度为300-400℃的氟石膏。

3、由于氟石膏中仍含有较多氟化氢,而现阶段并无技术手段可将氟石膏中的氟化氢有效回收,导致现阶段氟化氢生产流程存在氟化氢收率较低的缺陷。

4、因此,开发一种可回收氟化氢、提高氟化氢生产流程中氟化氢收率的氟石膏处理方法成为研究方向。


技术实现思路

1、本发明提供一种氟石膏的处理方法,该处理方法具有可回收氟化氢、提高氟化氢生产流程中氟化氢收率的特点。

2、本发明还提供一种氟石膏的处理装置,该方法具有可回收氟化氢的特点。

3、本发明提供一种氟石膏的处理方法,其中,包括对氟石膏进行负压处理,得到无酸氟石膏。

4、如上所述的处理方法,其中,还包括对氟石膏进行搅拌处理。

5、如上所述的处理方法,其中,还包括使用固态碱性物质对氟石膏进行石灰中和处理。

6、如上所述的处理方法,其中,还包括对氟石膏进行换热处理。

7、如上所述的处理方法,其中,所述负压处理的处理压力为-0.0005mpag至-0.01mpag,处理温度为150-350℃。

8、如上所述的处理方法,其中,所述固态碱性物质包括生石灰、熟石灰中的至少一种。

9、如上所述的处理方法,其中,所述石灰中和处理中,所述固态碱性物质与氟石膏的质量比为1:100-1:1000。

10、本发明还提供一种氟石膏处理装置,其中,包括容置单元和负压单元;

11、所述负压单元用于使所述容置单元处于负压状态;

12、所述容置单元包括第一负压出口;所述负压单元包括第一负压入口;

13、所述第一负压出口和所述第一负压入口连通;

14、所述负压单元的工作压力为-0.0005mpag至-0.01mpag。

15、如上所述的处理装置,其中,还包括石灰存储单元和输送单元;

16、所述石灰存储单元的第一石灰出口与所述容置单元的第一石灰入口连通,和/或,所述石灰存储单元的第二石灰出口与所述输送单元的第二石灰入口连通,和/或,所述输送单元的第二负压出口与所述负压单元的第二负压入口连通。

17、如上所述的处理装置,其中,还包括换热单元,所述换热单元用于与所述容置单元和/或所述输送单元进行能量交换。

18、本发明提供的氟石膏的处理方法,通过对氟化氢生产流程副产氟石膏进行负压处理,利用负压使其中含有的氟化氢挥发并被收集,从而使该处理方法具有可回收氟化氢、提高氟化氢生产流程中氟化氢收率的特点。



技术特征:

1.一种氟石膏的处理方法,其特征在于,包括对氟石膏进行负压处理,得到无酸氟石膏。

2.根据权利要求1所述的处理方法,其特征在于,还包括对氟石膏进行搅拌处理。

3.根据权利要求1或2所述的处理方法,其特征在于,还包括使用固态碱性物质对氟石膏进行石灰中和处理。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的处理方法,其特征在于,还包括对氟石膏进行换热处理。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的处理方法,其特征在于,所述负压处理的处理压力为-0.0005mpag至-0.01mpag,处理温度为150-350℃。

6.根据权利要求3-5中任一项所述的处理方法,其特征在于,所述固态碱性物质包括生石灰、熟石灰中的至少一种。

7.根据权利要求3-6中任一项所述的处理方法,其特征在于,所述石灰中和处理中,所述固态碱性物质与氟石膏的质量比为1:100-1:1000。

8.一种氟石膏处理装置,用于执行权利要求1-7中任一项所述的处理方法,其特征在于,包括容置单元和负压单元;

9.根据权利要求8所述的处理装置,其特征在于,还包括石灰存储单元和输送单元;

10.根据权利要求8或9所述的处理装置,其特征在于,还包括换热单元,所述换热单元用于与所述容置单元和/或所述输送单元进行能量交换。


技术总结
本发明公开了一种氟石膏处理方法及处理装置。所述处理方法包括对氟石膏进行负压处理,得到无酸氟石膏。本发明提供的氟石膏处理方法具有可回收氟化氢、提高氟化氢生产流程中氟化氢收率的特点。

技术研发人员:尚剑,董文胜,王永东,谢文,奚志骏,洪钟,杨虹,骆彩萍,冯权,张蕊,王一焯
受保护的技术使用者:华陆工程科技有限责任公司
技术研发日:
技术公布日:2024/2/6
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