本申请涉及玻璃,尤其是涉及一种低辐射玻璃及其制备方法。
背景技术:
1、低辐射玻璃(low-e玻璃)因具有对可见光具有较高的透过率的优点而被广泛应用。随着消费者对低辐射玻璃导电性要求的提高,低辐射玻璃的面电阻有待进一步降低。
技术实现思路
1、基于此,有必要提供一种具有较低面电阻的低辐射玻璃及其制备方法。
2、一种低辐射玻璃,包括玻璃基材,以及依次层叠设置在所述玻璃基材表面的阻挡层、第一介质层、含银功能层、第一应力弛豫层、金属滑移层以及第二应力弛豫层;所述第一应力弛豫层包括氧化铝锌、氧化锌、氧化锌锡以及氧化锡中的一种或多种,所述金属滑移层包括镍、铬、钼、钛、铌以及锆中的一种或多种组成的合金,所述第二应力弛豫层包括氧化铝锌、氧化锌、氧化锌锡以及氧化锡中的一种或多种。
3、上述低辐射玻璃中,通过在含银功能层表面设计第一应力弛豫层、金属滑移层以及第二应力弛豫层,可以释放玻璃基材表面膜层的内应力,降低内应力对含银功能层结晶度的影响,进而可以提高含银功能层的结晶度,降低低辐射玻璃的面电阻。
4、进一步地,通过第一应力弛豫层、金属滑移层以及第二应力弛豫层的设计,低辐射玻璃的面电阻得到了较大幅度的降低,不需要额外增加含银功能层的厚度来降低面电阻。因此可以降低低辐射玻璃制备过程中银的用量,有利于促进低辐射玻璃制造成本的降低。
5、在一些实施方式中,所述金属滑移层的厚度为0.5nm~3nm。
6、在一些实施方式中,所述第一应力弛豫层、所述金属滑移层以及所述第二应力弛豫层的总厚度为15nm~28nm。
7、在一些实施方式中,所述含银功能层包括银、银铜合金、银钛合金以及银铝合金中的一种或多种。
8、在一些实施方式中,所述含银功能层的厚度为10nm~15nm。
9、在一些实施方式中,所述阻挡层包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化钛、氮化钛、氧化锌、氮化锌、氧化锡、氮化锡、氧化铌以及氮化铌中的一种或多种。
10、在一些实施方式中,所述阻挡层的厚度为10nm~20nm。
11、在一些实施方式中,所述第一介质层包括氮化硅、氧化锌、氧化锡锌以及氧化铝锌中的一种或多种。
12、在一些实施方式中,所述第一介质层的厚度为15nm~25nm。
13、在一些实施方式中,所述低辐射玻璃还包括种子层,所述种子层位于所述第一介质层和所述功能层之间;所述种子层包括氧化锌、氧化铝锌、氧化钛锌以及氧化铟锡中的一种或多种。
14、在一些实施方式中,所述低辐射玻璃还包括抗氧化层,所述抗氧化层位于所述含银功能层和所述第一应力弛豫层之间;所述抗氧化层包括镍、铬、钛、铌以及锆中的一种或多种组成的合金。
15、在一些实施方式中,所述低辐射玻璃还包括第二介质层,所述第二介质层位于所述第二应力弛豫层的远离所述金属滑移层的表面;所述第二介质层包括氮化硅、氮氧化硅、氧化钛、氧化锆、氮化锆硅以及氧化锆硅中的一种或多种。
16、一种所述低辐射玻璃的制备方法,包括如下步骤:采用溅射的方式,在所述玻璃基材的表面依次形成所述阻挡层、所述第一介质层、所述含银功能层、所述第一应力弛豫层、所述金属滑移层以及所述第二应力弛豫层。
1.一种低辐射玻璃,其特征在于,包括玻璃基材,以及依次层叠设置在所述玻璃基材表面的阻挡层、第一介质层、含银功能层、第一应力弛豫层、金属滑移层以及第二应力弛豫层;所述第一应力弛豫层包括氧化铝锌、氧化锌、氧化锌锡以及氧化锡中的一种或多种,所述金属滑移层包括镍、铬、钼、钛、铌以及锆中的一种或多种组成的合金,所述第二应力弛豫层包括氧化铝锌、氧化锌、氧化锌锡以及氧化锡中的一种或多种。
2.根据权利要求1所述的低辐射玻璃,其特征在于,所述金属滑移层的厚度为0.5nm~3nm。
3.根据权利要求1所述的低辐射玻璃,其特征在于,所述第一应力弛豫层、所述金属滑移层以及所述第二应力弛豫层的总厚度为15nm~28nm。
4.根据权利要求1所述的低辐射玻璃,其特征在于,所述含银功能层包括银、银铜合金、银钛合金以及银铝合金中的一种或多种;和/或,
5.根据权利要求1所述的低辐射玻璃,其特征在于,所述阻挡层包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化钛、氮化钛、氧化锌、氮化锌、氧化锡、氮化锡、氧化铌以及氮化铌中的一种或多种;和/或,
6.根据权利要求1所述的低辐射玻璃,其特征在于,所述第一介质层包括氮化硅、氧化锌、氧化锡锌以及氧化铝锌中的一种或多种;和/或,
7.根据权利要求1~6中任一项所述的低辐射玻璃,其特征在于,所述低辐射玻璃还包括种子层,所述种子层位于所述第一介质层和所述功能层之间;所述种子层包括氧化锌、氧化铝锌、氧化钛锌以及氧化铟锡中的一种或多种。
8.根据权利要求1~6中任一项所述的低辐射玻璃,其特征在于,所述低辐射玻璃还包括抗氧化层,所述抗氧化层位于所述含银功能层和所述第一应力弛豫层之间;所述抗氧化层包括镍、铬、钛、铌以及锆中的一种或多种组成的合金。
9.根据权利要求1~6中任一项所述的低辐射玻璃,其特征在于,所述低辐射玻璃还包括第二介质层,所述第二介质层位于所述第二应力弛豫层的远离所述金属滑移层的表面;所述第二介质层包括氮化硅、氮氧化硅、氧化钛、氧化锆、氮化锆硅以及氧化锆硅中的一种或多种。
10.一种权利要求1~9中任一项所述的低辐射玻璃的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:采用溅射的方式,在所述玻璃基材的表面依次形成所述阻挡层、所述第一介质层、所述含银功能层、所述第一应力弛豫层、所述金属滑移层以及所述第二应力弛豫层。