一种用于单晶晶棒氧含量降低的装置的制作方法

文档序号:36081292发布日期:2023-11-18 01:33阅读:137来源:国知局
一种用于单晶晶棒氧含量降低的装置的制作方法

本技术属于单晶生产制造领域,具体涉及一种用于单晶晶棒氧含量降低的装置。


背景技术:

1、随着国家碳达峰、碳中和战略目标提出,光伏发电行业迅猛发展,单晶制造作为光伏发电最重要的生产环节,单晶生产在技术上更新迭代,炉型及热场更新换代频繁,产能进一步提升。

2、单晶晶棒产出对下游电池端影响最大的有氧含量、碳含量、少子寿命、电阻率,俗称四大电性能,其中氧含量影响主要会产生黑心,是目前影响电池效率的主要缺陷,目前的单晶炉在加热的过程中,由于温度高,使得单晶炉大很多热量会进入坩埚底部,从而对坩埚底部进行加热,加热时石英坩埚与熔硅反应,从而产生sio气体,少量的sio溶解在熔硅中,以氧原子形态存在于液体硅中,最终进入直拉单晶硅,而氧含量会导致单晶晶棒产生黑心。


技术实现思路

1、本实用新型的目的在于提供一种用于单晶晶棒氧含量降低的装置,旨在解决现有技术中的单晶炉在加热的过程中大量热量进入坩埚底部的问题。

2、为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:

3、一种用于单晶晶棒氧含量降低的装置,包括:

4、加热器外壳;

5、安装环,其固定连接于加热器外壳的圆周内壁上;

6、定位机构,其设置有两组,两组所述定位机构对称设置于安装环的顶部;

7、保温环,其设置有两个,每个所述保温环均设置于每组定位机构上;以及

8、固定机构,其设置有两组,两组所述固定机构对称设置于安装环上,每组所述固定机构均与每个保温环连接,所述固定机构用以固定保温环。

9、作为本实用新型一种优选的方案,每组所述定位机构均包括弧形定位块和定位槽,所述定位槽设置有多个,多个所述定位槽均开设于安装环的顶部,且多个定位槽均匀分布,所述弧形定位块设置有多个,每个所述弧形定位块均活动插接于每个定位槽内。

10、作为本实用新型一种优选的方案,每组所述固定机构均包括连接片、内六角碳碳螺丝和内螺纹槽,所述内螺纹槽设置有两个,两个所述内螺纹槽均开设于安装环的圆周内壁上,且两个内螺纹槽对称设置,所述连接片设置有两个,两个所述连接片均固定连接于保温环的底部,且两个连接片对称设置,所述内六角碳碳螺丝设置有两个,每个所述内六角碳碳螺丝均活动插接于每个连接片上,且每个内六角碳碳螺丝均螺纹连接于每个内螺纹槽内。

11、作为本实用新型一种优选的方案,每个所述保温环的表面均开设有两个第一卡槽,两个所述第一卡槽对称设置。

12、作为本实用新型一种优选的方案,所述安装环的圆周表面开设有两个第二卡槽,两个所述第二卡槽对称设置。

13、作为本实用新型一种优选的方案,每个所述连接片上均开设有椭圆孔。

14、作为本实用新型一种优选的方案,所述保温环的形状为半圆环。

15、与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:

16、1、本方案中,通过两个保温环的设置可以不影响坩埚升降的同时,使得炉内可通过保温环阻挡气流的流动,同时能减少底部热量辐射,最终减少埚底部温度,通过这种设计可减少坩埚受热,进而减少坩埚反应产生氧,通过弧形定位块活动插接于定位槽内,可以实现保温环的定位,使得保温环便于固定在安装环上,通过弧形定位块活动插接于定位槽内,使得保温环便于安装和拆卸。

17、2、本方案中,通过内六角碳碳螺丝活动插接于连接片上,且内六角碳碳螺丝螺纹连接于内螺纹槽内,可以固定住连接片,通过第一卡槽和第二卡槽的设置便于安装脚板。



技术特征:

1.一种用于单晶晶棒氧含量降低的装置,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的一种用于单晶晶棒氧含量降低的装置,其特征在于:每组所述定位机构均包括弧形定位块(6)和定位槽(7),所述定位槽(7)设置有多个,多个所述定位槽(7)均开设于安装环(2)的顶部,且多个定位槽(7)均匀分布,所述弧形定位块(6)设置有多个,每个所述弧形定位块(6)均活动插接于每个定位槽(7)内。

3.根据权利要求2所述的一种用于单晶晶棒氧含量降低的装置,其特征在于:每组所述固定机构均包括连接片(4)、内六角碳碳螺丝(5)和内螺纹槽(8),所述内螺纹槽(8)设置有两个,两个所述内螺纹槽(8)均开设于安装环(2)的圆周内壁上,且两个内螺纹槽(8)对称设置,所述连接片(4)设置有两个,两个所述连接片(4)均固定连接于保温环(3)的底部,且两个连接片(4)对称设置,所述内六角碳碳螺丝(5)设置有两个,每个所述内六角碳碳螺丝(5)均活动插接于每个连接片(4)上,且每个内六角碳碳螺丝(5)均螺纹连接于每个内螺纹槽(8)内。

4.根据权利要求3所述的一种用于单晶晶棒氧含量降低的装置,其特征在于:每个所述保温环(3)的表面均开设有两个第一卡槽(9),两个所述第一卡槽(9)对称设置。

5.根据权利要求4所述的一种用于单晶晶棒氧含量降低的装置,其特征在于:所述安装环(2)的圆周表面开设有两个第二卡槽(10),两个所述第二卡槽(10)对称设置。

6.根据权利要求5所述的一种用于单晶晶棒氧含量降低的装置,其特征在于:每个所述连接片(4)上均开设有椭圆孔。

7.根据权利要求6所述的一种用于单晶晶棒氧含量降低的装置,其特征在于:所述保温环(3)的形状为半圆环。


技术总结
本技术提供一种用于单晶晶棒氧含量降低的装置,属于单晶生产制造领域,包括:加热器外壳;安装环,其固定连接于加热器外壳的圆周内壁上;定位机构;保温环;固定机构,本方案中通过两个保温环的设置可以不影响坩埚升降的同时,使得炉内可通过保温环阻挡气流的流动,同时能减少底部热量辐射,最终减少埚底部温度,通过这种设计可减少坩埚受热,进而减少坩埚反应产生氧,通过弧形定位块活动插接于定位槽内,可以实现保温环的定位,使得保温环便于固定在安装环上,通过弧形定位块活动插接于定位槽内,使得保温环便于安装和拆卸,可以解决现有技术中的单晶炉在加热的过程中大量热量进入坩埚底部的问题。

技术研发人员:兰志勇,王军磊,王艺澄
受保护的技术使用者:包头美科硅能源有限公司
技术研发日:20230518
技术公布日:2024/1/15
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