1.一种硅通孔中一步法化学接枝有机绝缘膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：将带有硅通孔的硅片进行预处理后，置于电解质溶液中进行化学镀，即可。
2.如权利要求1所述的硅通孔中一步法化学接枝有机绝缘膜的方法，其特征在于，所述电解质溶液包括以下浓度的各组分：所述表面活性剂的浓度为不超过20g/L，所述有机单体的浓度为不超过其溶解度，所述重氮盐的浓度为0.1～10g/L，所述氟离子的浓度为0.1～8mol/L。
3.如权利要求2所述的硅通孔中一步法化学接枝有机绝缘膜的方法，其特征在于，所述表面活性剂包括十二烷基磺酸钠、硫酸化蓖麻油中的至少一种；所述有机单体包括聚甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸、2-(全氟辛基)乙基甲基丙烯酸酯、甲基丙烯酸三氟乙酯中的至少一种；所述重氮盐包括四氟硼酸重氮盐，吡唑重氮内盐，三蝶烯重氮盐中的至少一种。
4.如权利要求1或2所述的硅通孔中一步法化学接枝有机绝缘膜的方法，其特征在于，所述电解质溶液的pH值不超过3。
5.如权利要求1所述的硅通孔中一步法化学接枝有机绝缘膜的方法，其特征在于，所述化学镀的温度为5-30℃，时间为0.1-10h。
6.如权利要求1所述的硅通孔中一步法化学接枝有机绝缘膜的方法，其特征在于，所述硅通孔的孔径为1-500μm，深度为1-500μm。
7.如权利要求1所述的硅通孔中一步法化学接枝有机绝缘膜的方法，其特征在于，所述硅片为n型或者p型，电阻率在0-1000Ω/m。
8.如权利要求1所述的硅通孔中一步法化学接枝有机绝缘膜的方法，其特征在于，所述真空预处理具体采用以下步骤：将带有硅通孔的硅片依次用丙酮、酒精、去离子水超声清洗5-15分钟。
9.如权利要求1所述的硅通孔中一步法化学接枝有机绝缘膜的方法，其特征在于，所述有机绝缘膜在硅通孔侧壁的厚度为0.01-3μm，在硅通孔底部的厚度为0.01-10μm。
10.如权利要求9所述的硅通孔中一步法化学接枝有机绝缘膜的方法，其特征在于，所述有机绝缘膜的击穿电压为0.5-1.5MV/cm。