技术总结
本发明提供了一种硅通孔中一步法化学接枝有机绝缘膜的方法，包括以下步骤：将带有硅通孔的硅片进行预处理后，置于电解质溶液中进行化学镀，即可；所述电解质溶液包括以下浓度的各组分：所述表面活性剂的浓度为不超过20g/L，所述有机单体的浓度为不超过其溶解度，所述重氮盐的浓度为0.1～10g/L，所述氟离子的浓度为0.1～8mol/L。本发明方法在F‑离子作用下，不需要其他的外加设备和温度条件，即可在硅通孔内壁上制备出均一且保型性较好的具有大深宽比的有机膜；且所述步骤简单易于操作，成本较低，适用于半导体领域和工业生产。
技术研发人员：张珊珊;李明;高兰雅;张俊红
受保护的技术使用者：上海交通大学
文档号码：201610510599
技术研发日：2016.06.30
技术公布日：2016.11.16