本发明属于半导体电子清洗技术领域，尤其涉及一种清洗彻底且效率高的半导体硅片清洗剂及生产方法。
背景技术：
半导体硅片质量的优劣直接关系到终极产品的品质。由于经过切割后的硅片表面附着油污、指纹、金属杂质和粉尘等脏污，为保证半导体硅片质量，需要进行有效的清洗。目前，半导体硅片清洗液主要包含乳化剂、络合剂、有机碱、无机碱、溶剂、分散剂和助剂等成分，对于长碳链油污的处理能力有限，在实际清洗过程中只能延长清洗时间（单槽清洗时间通常大于3分钟）以保证清洗合格率，存在着清洗效率低的问题。
技术实现要素：
本发明是为了解决现有技术所存在的上述技术问题，提供一种清洗彻底且效率高的半导体硅片清洗剂及生产方法。
本发明的技术解决方案是：一种半导体硅片清洗液，其特征在于由A组分和B组份按体积比为1~4：1~4混合组成，所述A组分的原料及质量百分比如下：脂肪醇聚氧乙烯醚（AEO-9）3~10%、乙二胺四乙酸钠盐0.5~5%、氢氧化钾1~10%、磺化琥珀酸二辛酯钠盐0.1~0.5%、二乙二醇丁醚5-15%和纯水余量；所述B组分为质量百分比浓度0.5~2%的二氧化氯水溶液。
最佳配比为：A组分所用原料及质量百分比如下：脂肪醇聚氧乙烯醚7%、乙二胺四乙酸钠盐3%、氢氧化钾5%、磺化琥珀酸二辛酯钠盐0.2%、二乙二醇丁醚10%和纯水余量；B组分为质量百分比浓度1%的二氧化氯水溶液； A组分和B组分的体积比为2:1。
一种上述半导体硅片清洗液的生产方法，其特征在于所述A组分按照如下步骤进行：先将计算量的氢氧化钾和乙二胺四乙酸钠盐溶解在定量的纯水中，再依次注入计算量的磺化琥珀酸二辛酯钠盐和脂肪醇聚氧乙烯醚，搅拌15分钟后添加计算量的二乙二醇丁醚，继续搅拌20分钟。
本发明原料来源广泛，制备方法简单，各组分相互作用，不但具有较好的乳化、润湿、渗透和稳定性能，而且能够氧化硅片表面的长碳链油污，使难清洗的长碳链油污改性或分解成易清洗的短碳链油污，从而加速清洗进程，具有清洗彻底且效率高的显著特点。
具体实施方式
实施例1：
所用原料及质量百分比如下：A组分为脂肪醇聚氧乙烯醚（AEO-9）7%、乙二胺四乙酸钠盐3%、氢氧化钾5%、磺化琥珀酸二辛酯钠盐0.2%、二乙二醇丁醚10%和纯水74.8%；B组分为1%二氧化氯水溶液。
生产方法如下：A组分按照如下步骤进行：先将计算量的氢氧化钾和乙二胺四乙酸钠盐溶解在定量的纯水中，再依次注入计算量的磺化琥珀酸二辛酯钠盐和脂肪醇聚氧乙烯醚，搅拌速度为200转/分钟搅拌15分钟后添加计算量的二乙二醇丁醚，200转/分钟继续搅拌20分钟；B组分是将计算量的二氧化氯溶于纯水中即可。
以实施例1的清洗液采用加热超声的清洗方式，两槽工艺；单槽的温度设定为55℃，添加实施例1的清洗液6L，组分A和B体积比例为2:1。清洗时间为2.3分钟，清洗合格率高达99.85%。
实施例2：
所用原料及质量百分比如下：A组分为脂肪醇聚氧乙烯醚（AEO-9）3%、乙二胺四乙酸钠盐5%、氢氧化钾1%、磺化琥珀酸二辛酯钠盐0.5%、二乙二醇丁醚5%和纯水85.5%；B组分为2%二氧化氯水溶液。
生产方法同实施例1。
以实施例2的清洗液采用加热超声的清洗方式，两槽工艺；单槽的温度设定为55℃，添加实施例2的清洗液6L，组分A和B体积比例为4:1。清洗时间为2.5分钟，清洗合格率高达99.40%。
实施例3：
所用原料及质量百分比如下：A组分为脂肪醇聚氧乙烯醚（AEO-9）10%、乙二胺四乙酸钠盐0.5%、氢氧化钾2%、磺化琥珀酸二辛酯钠盐0.1%、二乙二醇丁醚10%和纯水77.4%；B组分为0.5%二氧化氯水溶液；A组分和B组分的质量比为2:1。
生产方法同实施例1。
以实施例3的清洗液采用加热超声的清洗方式，两槽工艺；单槽的温度设定为55℃，添加实施例3的清洗液6L，组分A和B体积比例为1:4。清洗时间为2分钟，清洗合格率高达99.55%。
实施例4：
所用原料及质量百分比如下：A组分为脂肪醇聚氧乙烯醚（AEO-9）4%、乙二胺四乙酸钠盐3%、氢氧化钾10%、磺化琥珀酸二辛酯钠盐0.2%、二乙二醇丁醚15%和纯水67.8%；B组分为0.5%二氧化氯水溶液；A组分和B组分的质量比为2:1。
生产方法同实施例1。
以实施例4的清洗液采用加热超声的清洗方式，两槽工艺；单槽的温度设定为55℃，添加实施例4的清洗液6L，组分A和B体积比例为1:1。清洗时间为2.5分钟，清洗合格率高达99.60%。