PTFE膜表面处理方法及PTFE膜表面处理系统与流程

本发明涉及膜材表面处理技术领域，特别是涉及一种ptfe膜表面处理方法及ptfe膜表面处理系统。

背景技术：

随着5g时代的到来，在超大规模集成电路中，当集成电路的特征尺寸变得更小时，互连寄生的电阻，电容引起的延迟，串扰和能耗已成为发展高速、高密度、低功耗和多功能集成电路需解决的瓶颈问题。层间及线间介质需要应用新型的更低介电常数材质，来提高器件的集成度并进一步减小延迟时间。现在正在进行的5g技术试验主要以28ghz进行。由于电磁波具有频率越高，波长越短，越容易在传播介质中衰减的特点，频率越高，要求材质的损耗越小。

4g时代的天线制造材料最初采用pi(聚酰亚胺)膜。但pi膜在10ghz以上损耗明显，无法满足5g终端的需求。lcp(liquidcrystalpolymer，液晶聚合物)逐渐得到应用。由于lcp造价昂贵、工艺复杂，目前mpi(modifiedpolyimide，改良的聚酰亚胺)成为5g时代早期天线材料的主流选择之一。由于pi膜具有较高的技术门槛及材料特殊性，目前pi膜主要供应商仍为海外企业，包括杜邦(dupont)、日本宇部兴产(ube)、钟渊化学(kaneka)、韩国skck-olonpi和国内企业台湾地区的达迈科技等，这几家公司基本垄断了电子级聚酰亚胺薄膜以上的高性能聚酰亚胺薄膜市场。lcp天线多个环节技术壁垒较高，目前电子级lcp材料主要被日美企业垄断，主要生产企业包括日本的村田制作所、可乐丽、gore-tex、宝理塑料和美国杜邦公司，国内企业主要有沃特股份。但是，lcp和mpi在5g高频情况下(毫米波时)，由于介电损耗提高，也是无法满足终端需求的。这就需要开发适用于5g高频的新型低介电常数和低介电损耗的新材料。

聚四氟乙烯(ptfe)本身具有很低的介电常数(εr＝2.0)和超低的介电损耗(tanδ＝0.0002)，优良的电气性能、耐化学腐蚀、耐热、使用温度范围广、吸水性低，高频率范围内介电常数和介电损耗变化小，非常适用于作为5g高频的基板材质。但是，由于聚四氟乙烯材质本身极难与金属导电层进行粘合，因此，在微电子电路方面的应用受到了限制。如果能够很好地解决聚四氟乙烯材质粘结性差的问题，会让ptfe材质替代lcp材质和mpi材质，成为5g和6g时代未来发展的趋势。

技术实现要素：

本发明的目的是克服现有技术中的不足之处，提供一种ptfe膜表面处理方法及ptfe膜表面处理系统，能够有效改变ptfe膜表面的化学组成和物理形貌，改善ptfe膜表面的润湿性、亲水性和粗糙度，从而解决ptfe膜表面粘结性差的问题。

本发明的目的是通过以下技术方案来实现的：

一种ptfe膜表面处理方法，包括以下步骤：

在容器内设置导电活性网罩，将ptfe膜放入至所述导电活性网罩内，再密封所述容器；

对所述容器进行抽真空操作，接着向所述容器内通入处理气体；

所述容器设置有导电容器壁，等离子体设备向所述导电容器壁及所述导电活性网罩输电，使所述导电容器壁为阳极，使所述导电活性网罩为阴极，使所述处理气体电离产生等离子体，对所述ptfe膜进行等离子体处理。

在其中一种实施方式，所述等离子体设备为直流等离子体设备或交流等离子体设备，所述直流等离子体设备输出的射频为100mhz～100ghz，所述交流等离子体设备输出的微波为1ghz以上。

在其中一种实施方式，所述ptfe膜与所述导电活性网罩的距离为5mm～100mm。

在其中一种实施方式，所述等离子体处理的处理压力为10pa～500pa。

在其中一种实施方式，所述等离子体处理的处理温度为50℃～250℃。

在其中一种实施方式，所述等离子体处理的处理时间为5min～5h。

在其中一种实施方式，所述处理气体包括氮气、氢气、甲烷和氧气其中至少一种。

在其中一种实施方式，所述导电活性网罩的材质包括不锈钢、铜、银、镍和铝其中至少一种。

在其中一种实施方式，所述导电活性网罩由金属冲孔板弯曲形成，所述金属冲孔板的开孔面积为35％～60％，所述金属冲孔板的孔径为5mm～15mm。

在其中一种实施方式，在将所述ptfe膜放入至所述导电活性网罩内的操作之前，还对所述ptfe膜依次进行超声波清洗操作及烘干操作。

一种ptfe膜表面处理系统，包括：

容器，所述容器设置有导电容器壁；

导电活性网罩，所述导电活性网罩设置于所述容器内；

等离子体设备，所述等离子体设备与所述导电容器壁及所述导电活性网罩电连接；

抽真空设备，所述抽真空设备与所述容器连通；及

供气设备，所述供气设备与所述容器连通。

与现有技术相比，本发明至少具有以下优点：

本发明通过等离子体设备向导电容器壁及导电活性网罩输电，使导电容器壁为阳极，使导电活性网罩为阴极，使处理气体电离产生等离子体，对ptfe膜进行等离子体处理，在等离子体处理过程中，等离子体作用于ptfe膜表面，等离子体带有足够的能量引起ptfe膜的纳米级表层的聚合物分子内的化学键发生断裂或重新组合，反应引入新的亲水的羟基基团，以改善ptfe膜表面的润湿性和亲水性；并且等离子体会对ptfe膜的纳米级表层起到刻蚀作用，侵蚀或贯穿ptfe膜的纳米级表层，贯穿深度可达5nm～50nm，以在ptfe膜上形成一些极其微小的肉眼不可见的纳米级沟槽和凸出的纳米级短细条纹，来提高ptfe膜表面的粗糙度，从而能够提高ptfe膜表面的粘接性能。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本发明的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。

图1为本发明一实施方式的ptfe膜表面处理方法的步骤流程图。

图2为本发明一实施方式的ptfe膜表面处理系统的结构示意图。

图3为本发明一实施方式的ptfe膜表面处理系统的金属冲孔板的结构示意图。

图4为本发明一实施方式的ptfe膜表面处理系统的金属冲孔板的结构示意图。

图5为本发明一实施方式的ptfe膜表面处理系统的导电活性网罩的结构示意图。

图6为实施例1等离子体处理前后的ptfe膜的红外光谱图。

图7为实施例1等离子体处理前的ptfe膜的afm图像。

图8为实施例1等离子体处理后的ptfe膜的afm图像。

具体实施方式

为了便于理解本发明，下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的较佳实施方式。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施方式。相反地，提供这些实施方式的目的是使对本发明的公开内容理解的更加透彻全面。

需要说明的是，当元件被称为“固定于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施方式。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。

一实施方式，请参阅图2，一种ptfe膜表面处理系统10，包括容器110、导电活性网罩120、绝缘工作台130、等离子体设备140、抽真空设备150、供气设备160及温度测量装置170。所述容器110设置有导电容器壁，所述导电活性网罩120设置于所述容器110内，所述绝缘工作台130用于放置ptfe膜20，其设置于所述导电活性网罩120内，以使所述导电活性网罩120环绕整个ptfe膜20；所述温度测量装置170用于与所述ptfe膜20连接，用于控制处理温度；所述等离子体设备140用于提供高压电，改变高压电电压，其与所述导电容器壁及所述导电活性网罩120电连接，用于向所述导电容器壁及所述导电活性网罩120输电，以使所述导电容器壁为阳极，以使所述导电活性网罩120为阴极；所述抽真空设备150包括抽真空装置及出气管，所述抽真空装置通过所述出气管与所述容器110连通，用于对所述容器110进行抽真空操作；所述供气设备160包括气罐、进气管及电磁阀，所述气罐用于储存处理气体，其通过所述进气管与所述容器110连通，以向所述容器110内通入所述处理气体；所述电磁阀设置于所述进气管上，用于连通和阻断所述进气管。

一实施方式，请参阅图1，一种ptfe膜表面处理方法，包括以下步骤：

s110，对ptfe膜20依次进行超声波清洗操作及烘干操作。

如此，通过超声波清洗处理来清除ptfe膜20表面的油污，以避免ptfe膜20表面的油污会影响后续等离子体处理的处理效果。

s120，在容器110内设置导电活性网罩120，将所述ptfe膜20放入至所述导电活性网罩120内，再密封所述容器110。

如此，使得导电活性网罩120环绕整个ptfe膜20，并通过密封容器110以利于后续抽真空操作的进行。

s130，对所述容器110进行抽真空操作，接着向所述容器110内通入处理气体。

如此，通过抽真空操作来排除容器110内部的其他气体，以利于向容器110内通入处理气体，以及保证容器110内气体的纯净度。

s140，所述容器110设置有导电容器壁，等离子体设备140向所述导电容器壁及所述导电活性网罩120输电，使所述导电容器壁为阳极，使所述导电活性网罩120为阴极，使所述处理气体电离产生等离子体，对所述ptfe膜20进行等离子体处理。

需要说明的是，如此，在等离子体处理过程中，等离子体作用于ptfe膜20表面，等离子体带有足够的能量引起ptfe膜20的纳米级表层的聚合物分子内的化学键发生断裂或重新组合，反应引入新的亲水的羟基基团，以改善ptfe膜20表面的润湿性和亲水性；并且等离子体会对ptfe膜20的纳米级表层起到刻蚀作用，侵蚀或贯穿ptfe膜20的纳米级表层，贯穿深度可达5nm～50nm，以在ptfe膜20上形成一些极其微小的肉眼不可见的纳米级沟槽和凸出的纳米级短细条纹，来提高ptfe膜20表面的粗糙度，从而能够提高ptfe膜20表面的粘接性能。如此，通过在容器110内设置导电活性网罩120，ptfe膜20放入至导电活性网罩120内，以使阴极电位直接作用于导电活性网罩120，而不是直接作用于ptfe膜20，如此能够避免电弧、边缘效应和空心阴极损伤对ptfe膜20表面的破坏作用，具有柔性、低温、低成本和环境友好的特点。如此，通过将导电活性网罩120设置为网罩形状，在等离子体处理过程中，一方面作为等离子体源能够均匀地向ptfe膜20提供等离子体，以使等离子体对ptfe膜20表面各个位置的作用均匀；另一方面等离子体加热导电活性网罩120，导电活性网罩120能够均匀地向ptfe膜20提供热辐射，以将ptfe膜20均匀加热至所需的处理温度，以节约能源，提高等离子体处理的效果。

为了使等离子体的强度足够作用于ptfe膜20的纳米级表层，提高等离子体处理的效果，一实施方式，所述等离子体设备140为直流等离子体设备140或交流等离子体设备140，例如，所述直流等离子体设备140输出的射频为100mhz～100ghz，例如，所述直流等离子体设备140输出的射频为100mhz、500mhz、1ghz、5ghz、10ghz、15ghz、20ghz、25ghz、30ghz、35ghz、40ghz、45ghz、50ghz、55ghz、60ghz、65ghz、70ghz、75ghz、80ghz、85ghz、90ghz、95ghz或100ghz。又如，所述交流等离子体设备140输出的微波为1ghz以上。例如，所述交流等离子体设备140输出的微波为1ghz、5ghz、10ghz、15ghz、20ghz、25ghz、30ghz、35ghz、40ghz、45ghz、50ghz、55ghz、60ghz、65ghz、70ghz、75ghz、80ghz、85ghz、90ghz、95ghz或100ghz。如此能够使等离子体的强度足够作用于ptfe膜20的纳米级表层，提高等离子体处理的效果。

为了使等离子体的作用力更集中在ptfe膜20的纳米级表层，提高等离子体处理的效果，一般地，所述ptfe膜20与所述导电活性网罩120的距离越小，等离子体作用厚度越大，故所述ptfe膜20与所述导电活性网罩120的距离优选为5mm～100mm。例如，所述ptfe膜20与所述导电活性网罩120的距离为5mm、10mm、15mm、20mm、25mm、30mm、35mm、40mm、45mm、50mm、55mm、60mm、65mm、70mm、75mm、80mm、85mm、90mm、95mm或100mm。如此能够使等离子体的作用力更集中在ptfe膜20的纳米级表层，提高等离子体处理的效果。

为了使等离子体的作用力更集中在ptfe膜20的纳米级表层，提高等离子体处理的效果，一般地，所述等离子体处理的处理压力越大，等离子体作用厚度越大，故所述等离子体处理的处理压力优选为10pa～500pa。例如，所述等离子体处理的处理压力为10pa、20pa、30pa、40pa、50pa、60pa、70pa、80pa、90pa、100pa、150pa、200pa、250pa、300pa、350pa、400pa、450pa或500pa。如此能够使等离子体的作用力更集中在ptfe膜20的纳米级表层，提高等离子体处理的效果。

为了使等离子体的作用力更集中在ptfe膜20的纳米级表层，提高等离子体处理的效果，一般地，所述等离子体处理的处理温度越高，等离子体作用厚度越大，故所述等离子体处理的处理温度优选为50℃～250℃。例如，所述等离子体处理的处理温度为50℃、60℃、70℃、80℃、90℃、100℃、110℃、120℃、130℃、140℃、150℃、160℃、170℃、180℃、190℃、200℃、210℃、220℃、230℃、240℃或250℃。如此能够使等离子体的作用力更集中在ptfe膜20的纳米级表层，提高等离子体处理的效果。

为了使等离子体的作用力更集中在ptfe膜20的纳米级表层，提高等离子体处理的效果，一般地，所述等离子体处理的处理时间越长，等离子体作用厚度越大，故所述等离子体处理的处理时间优选为5min～5h。例如，所述等离子体处理的处理时间为5min、10min、15min、20min、25min、30min、35min、40min、45min、50min、55min、60min、1.5h、2h、2.5h、3h、3.5h、4h、4.5h或3h。如此能够使等离子体的作用力更集中在ptfe膜20的纳米级表层，提高等离子体处理的效果。

为了使处理气体电离产生的等离子体与ptfe膜20的纳米级表层的聚合物分子能够更好地反应引入新的亲水的羟基基团，提高等离子体处理的效果，一实施方式，所述处理气体包括氩气、氮气、氢气、甲烷和氧气其中至少一种。例如，所述处理气体包括氩气、氮气、氢气、甲烷和氧气的共同混合气体。例如，所述处理气体包括氩气、氮气、氢气、甲烷或氧气。如此能够使处理气体电离产生的等离子体与ptfe膜20的纳米级表层的聚合物分子能够更好地反应引入新的亲水的羟基基团，提高等离子体处理的效果。

为了进一步提高导电容器壁的导电性能，提高等离子体处理的效果，一实施方式，所述导电容器壁的材质包括不锈钢、铜、银、镍和铝其中至少一种。例如，所述导电容器壁的材质包括不锈钢、铜、银、镍和铝的共同混合物。例如，所述导电容器壁的材质为不锈钢、铜、银、镍或铝。如此能够进一步提高导电容器壁的导电性能，提高等离子体处理的效果。

为了进一步提高导电活性网罩120的导电性能，提高等离子体处理的效果，一实施方式，所述导电活性网罩120的材质包括不锈钢、铜、银、镍和铝其中至少一种。例如，所述导电活性网罩120的材质包括不锈钢、铜、银、镍和铝共同混合物。例如，所述导电活性网罩120的材质为不锈钢、铜、银、镍或铝。如此能够进一步提高导电活性网罩120的导电性能，提高等离子体处理的效果。

一实施方式，请参阅图3、图4及图5，所述导电活性网罩120由金属冲孔板弯曲形成，所述金属冲孔板的厚度为0.10mm～0.60mm，例如，所述金属冲孔板的厚度为0.10mm、0.15mm、0.20mm、0.25mm、0.30mm、0.35mm、0.40mm、0.45mm、0.50mm、0.55mm或0.60mm。又如，所述金属冲孔板的开孔如图3所示为圆形。又如，所述金属冲孔板的开孔如图3所示为三角形。

为了使导电活性网罩120激发的等离子体的强度更为合适，提高等离子体处理的效果，一般地，导电活性网罩120的开孔面积越大，孔径越小，等离子体的强度越大，故所述金属冲孔板的开孔面积优选为35％～60％，例如，所述金属冲孔板的开孔面积为35％、36％、38％、40％、42％、44％、45％、46％、48％、50％、52％、54％、55％、56％、58％或60％。如此能够使导电活性网罩120激发的等离子体的强度更为合适。又如，所述金属冲孔板的孔径优选为5mm～15mm。例如，所述金属冲孔板的孔径为5mm、6mm、7mm、8mm、9mm、10mm、11mm、12mm、13mm、14mm或15mm。如此能够使导电活性网罩120激发的等离子体的强度更为合适，提高等离子体处理的效果。

与现有技术相比，本发明至少具有以下优点：

本发明通过等离子体设备140向导电容器壁及导电活性网罩120输电，使导电容器壁为阳极，使导电活性网罩120为阴极，使处理气体电离产生等离子体，对ptfe膜20进行等离子体处理，在等离子体处理过程中，等离子体作用于ptfe膜20表面，等离子体带有足够的能量引起ptfe膜20的纳米级表层的聚合物分子内的化学键发生断裂或重新组合，反应引入新的亲水的羟基基团，以改善ptfe膜20表面的润湿性和亲水性；并且等离子体会对ptfe膜20的纳米级表层起到刻蚀作用，侵蚀或贯穿ptfe膜20的纳米级表层，贯穿深度可达5nm～50nm，以在ptfe膜20上形成一些极其微小的肉眼不可见的纳米级沟槽和凸出的纳米级短细条纹，来提高ptfe膜20表面的粗糙度，从而能够提高ptfe膜20表面的粘接性能。本发明通过在容器110内设置导电活性网罩120，ptfe膜20放入至导电活性网罩120内，以使阴极电位直接作用于导电活性网罩120，而不是直接作用于ptfe膜20，如此能够避免电弧、边缘效应和空心阴极损伤对ptfe膜20表面的破坏作用，具有柔性、低温、低成本和环境友好的特点。本发明通过将导电活性网罩120设置为网罩形状，在等离子体处理过程中，一方面作为等离子体源能够均匀地向ptfe膜20提供等离子体，以使等离子体对ptfe膜20表面各个位置的作用均匀；另一方面等离子体加热导电活性网罩120，导电活性网罩120能够均匀地向ptfe膜20提供热辐射，以将ptfe膜20均匀加热至所需的处理温度，以节约能源，提高等离子体处理的效果。

以下是具体实施例部分

实施例1

s111，对ptfe膜依次进行超声波清洗操作及烘干操作。

s121，在容器内设置导电活性网罩，将所述ptfe膜放入至所述导电活性网罩内，调节所述ptfe膜与所述导电活性网罩的距离为50mm，再密封所述容器。其中，所述导电活性网罩的材质为铜，其厚度为0.35mm，其开孔面积为48％，其孔径为10mm。

s131，对所述容器进行抽真空操作，接着向所述容器内通入氮气。

s141，所述容器设置有材质为不锈钢的导电容器壁，直流等离子体设备向所述导电容器壁及所述导电活性网罩输电，控制所述直流等离子体设备输出的射频为50ghz，使所述导电容器壁为阳极，使所述导电活性网罩为阴极，使氮气电离产生等离子体，对所述ptfe膜进行等离子体处理，控制处理压力为200pa，控制处理温度为50℃，保持处理时间为30min。

实施例2

s112，对ptfe膜依次进行超声波清洗操作及烘干操作。

s122，在容器内设置导电活性网罩，将所述ptfe膜放入至所述导电活性网罩内，调节所述ptfe膜与所述导电活性网罩的距离为5mm，再密封所述容器。其中，所述导电活性网罩的材质为铝，其厚度为0.40mm，其开孔面积为50％，其孔径为8mm。

s132，对所述容器进行抽真空操作，接着向所述容器内通入氩气。

s142，所述容器设置有材质为不锈钢的导电容器壁，交流等离子体设备向所述导电容器壁及所述导电活性网罩输电，控制所述交流等离子体设备输出的射频为10ghz，使所述导电容器壁为阳极，使所述导电活性网罩为阴极，使氩气电离产生等离子体，对所述ptfe膜进行等离子体处理，控制处理压力为100pa，控制处理温度为150℃，保持处理时间为2.5h。

实施例3

s112，对ptfe膜依次进行超声波清洗操作及烘干操作。

s122，在容器内设置导电活性网罩，将所述ptfe膜放入至所述导电活性网罩内，调节所述ptfe膜与所述导电活性网罩的距离为6mm，再密封所述容器。其中，所述导电活性网罩的材质为铝，其厚度为0.30mm，其开孔面积为45％，其孔径为12mm。

s132，对所述容器进行抽真空操作，接着向所述容器内通入甲烷。

s142，所述容器设置有材质为不锈钢的导电容器壁，交流等离子体设备向所述导电容器壁及所述导电活性网罩输电，控制所述交流等离子体设备输出的射频为1ghz，使所述导电容器壁为阳极，使所述导电活性网罩为阴极，使甲烷电离产生等离子体，对所述ptfe膜进行等离子体处理，控制处理压力为300pa，控制处理温度为100℃，保持处理时间为2h。

实施例4

s114，对ptfe膜依次进行超声波清洗操作及烘干操作。

s124，在容器内设置导电活性网罩，将所述ptfe膜放入至所述导电活性网罩内，调节所述ptfe膜与所述导电活性网罩的距离为5mm，再密封所述容器。其中，所述导电活性网罩的材质为镍，其厚度为0.60mm，其开孔面积为35％，其孔径为15mm。

s134，对所述容器进行抽真空操作，接着向所述容器内通入氢气。

s144，所述容器设置有材质为铜的导电容器壁，直流等离子体设备向所述导电容器壁及所述导电活性网罩输电，控制所述直流等离子体设备输出的射频为100mhz，使所述导电活性网罩为阴极，使氢气电离产生等离子体，对所述ptfe膜进行等离子体处理，控制处理压力为10pa，控制处理温度为50℃，保持处理时间为5h。

实施例5

s115，对ptfe膜依次进行超声波清洗操作及烘干操作。

s125，在容器内设置导电活性网罩，将所述ptfe膜放入至所述导电活性网罩内，调节所述ptfe膜与所述导电活性网罩的距离为100mm，再密封所述容器。其中，所述导电活性网罩的材质为银，其厚度为0.10mm，其开孔面积为60％，其孔径为5mm。

s135，对所述容器进行抽真空操作，接着向所述容器内通入氧气。

s145，所述容器设置有材质为铝的导电容器壁，直流等离子体设备向所述导电容器壁及所述导电活性网罩输电，控制所述直流等离子体设备输出的射频为100ghz，使所述导电容器壁为阳极，使所述导电活性网罩为阴极，使氧气电离产生等离子体，对所述ptfe膜进行等离子体处理，控制处理压力为500pa，控制处理温度为250℃，保持处理时间为5min。

实验：1、对实施例1等离子体处理前后的ptfe膜进行ftir检测，结果见图6。

2、对实施例1等离子体处理前后的ptfe膜进行afm检测，结果见图7及图8。

3、在实施例1等离子体处理前后的ptfe膜上分别涂覆环氧树脂胶粘剂，再将导电材料采用涂覆工艺或真空镀工艺分别在实施例1等离子体处理前后的ptfe膜上形成导电涂层或导电真空镀层，得到导电ptfe膜；其中采用的导电材料为纳米银浆、纳米铜浆、纳米铝浆、纳米金浆、纳米镍浆、银靶材、铜靶材、铝靶材、铜靶材、镍靶材、金靶材或铝靶材，再根据gb/t9286-1998划格试验标准对导电ptfe膜进行测试，结果见表1。

表1

请参阅图6，根据ftir检测结果表明，ptfe膜经过等离子体处理后，ptfe膜表面的化学成分和结构发生了变化，处理后在3300cm-1处出现羟基缔合峰(参阅图6中圆圈部分)，说明ptfe最表层新生成亲水的羟基基团。请参阅图7及图8，根据afm检测结果表明，经过等离子体处理后，ptfe膜表面出现微小的纳米级的沟槽，并且表面上形成一些凸出的纳米级的短细条纹，随着表面形貌发生改变，ptfe膜表面粗糙度上升，ptfe膜的润湿性和亲水性也得到改善。请参阅表1，ptfe膜经过等离子体处理后，ptfe膜表面的粘接性能大大提高，与导电涂层和真空镀层的附着力等级达到0级。

以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。