一种吡啶并咪唑并吡咯类化合物及其应用的制作方法

[0001]
本发明属于有机电致发光功能材料技术领域，具体涉及一种吡啶并咪唑并吡咯类化合物及其应用。


背景技术：

[0002]
有机电激光显示(oled)的基本结构是由一薄而透明具半导体特性之铟锡氧化物(ito)，与正极相连，再加上另一个金属阴极，包成如三明治的结构。整个结构层中包括空穴传输层(htl)、发光层(el)与电子传输层(etl)。当供电至适当电压时，正极空穴与阴极电荷就会在发光层中结合，产生光亮。
[0003]
由于oled显示技术具有自发光、广视角、低能耗反应速度快等优点，并且这项技术使得便携式的高度可折叠的显示屏成为可能，在手机、数码摄像机、笔记本电脑、电视、汽车等领域得到广泛应用。但是和实际应用中产品的要求相比，目前其性能还存在着一定的差距，尤其是发光效率和寿命仍需要进一步的提高。主要从两方面进行改进：一是器件结构的优化和创新，二是高性能功能材料的研究开发。
[0004]
为了制作高性能的oled发光器件，近年来研究人员不断提出新的发光机制和功能材料。2014年清华大学邱勇课题组提出了第二主体热活化敏化发光机制，使用tadf材料作为oled器件的主体材料，通过第二主体tadf材料敏化传统荧光/磷光材料来实现器件性能的提升。几乎同时，日本九州大学adachi课题组也提出了类似的发光机制。随着对该类型材料的不断研究，研究人员不断设计出新的oled功能材料，但目前还没有性能优越并且可以满足大规模生产要求的tadf主体材料出现。此类tadf材料设计开发的重点在于平衡材料的电荷传输性能，并且保持高的电荷迁移率和三线态能级。
[0005]
根据当前oled器件的产业应用要求，要想满足器件的光电特性需求，就必须选择具有高性能的oled功能材料或材料组合，才能实现器件的高效率、长寿命和低电压的综合特性。目前oled材料的发展还明显落后于面板制造企业的要求和实际应用的需求，开发更高性能的有机功能材料在当前的市场需求面前显得尤为重要和迫切。


技术实现要素：

[0006]
为了解决上述问题，且针对目前oled功能材料不能满足实际生产中的应用，本发明提供了一种吡啶并咪唑并吡咯类化合物，其具有较平衡的载流子传输性能、较高的三线态能级和较高的玻璃化转变温度，不易结晶，具有良好的热稳定性和成膜性。
[0007]
本发明目的提供一种吡啶并咪唑并吡咯类化合物，其结构通式如式(ⅰ)或式(ⅱ)所示：
[0008][0009]
式(ⅰ)或式(ⅱ)中，
[0010]
r1、r2、r3各自独立选自氢、c6～16的芳基、含氮原子给电子基团或含氮原子吸电子基团；且r1、r2、r3至少有一个为含氮原子给电子基团。
[0011]
与现有技术相比，本发明的有益效果为：
[0012]
1、本发明提供的吡啶并咪唑并吡咯类化合物具有较高的热稳定性，因此具有较好的成膜性能，使得其应用于oled器件的寿命提升；
[0013]
2、本发明提供的吡啶并咪唑并吡咯类化合物还具有较平衡的载流子传输性能和较高的三线态能级，在作为主体材料时可以较大幅度提高器件性能，是一种比较有发展前景的新型有机oled功能材料。
[0014]
3、本发明提供的吡啶并咪唑并吡咯类化合物还具有较小的单线态-三线态能级差，可以用做tadf主体材料、tadf敏化材料和tadf发光材料应用在oled器件中。
具体实施方式
[0015]
以下结合具体实施例对本发明进一步的阐述，但应理解，所列实施例仅为便于理解本发明的核心方法和应用领域，但本发明的范围并不限于此。
[0016]
下述各实施例中所述实验方法和检测方法，如无特殊说明，均为常规方法；所述试剂和材料，如无特殊说明，均可在市场上购买得到。
[0017]
本发明提供的一种吡啶并咪唑并吡咯类化合物，其结构通式如式(ⅰ)或式(ⅱ)所示的结构通式：
[0018][0019]
式(ⅰ)或式(ⅱ)中，
[0020]
r1、r2、r3各自独立选自氢、c6～16的芳基、含氮原子给电子基团或含氮原子吸电子基团；且r1、r2、r3至少有一个为含氮原子给电子基团。
[0021]
以下示出本发明的吡啶并咪唑并吡咯类化合物，具体为如下化合物：
[0022]
[0023]
[0024]
[0025]
[0026]
[0027][0028]
下面，我们提供制备上述部分化合物及制备化合物所选取的部分中间体的具体合成方法，其合成步骤如下：
[0029]
结构通式(ⅰ)化合物中间体具体合成过程如下：
[0030][0031]
将化合物1-1加入到浓硫酸和浓硝酸的混合溶液中，加热至100℃反应2h，搅拌条件下将反应液缓慢倒入冰水中，搅拌析出固体，过滤。滤饼水洗至中性后烘干，过硅胶柱纯化得到化合物1-2。
[0032][0033]
在三口瓶中加入甲苯，然后依次加入1mol的化合物1-2，1.1mol的化合物1-3，0.05mol的2-二环己基磷-2,4,6-三异丙基联苯，2.2mol的叔丁醇锂，氮气氛围下加入0.025mol的三(二亚苄基丙酮)二钯，加热至110℃回流反应。待tlc监测原料完全反应后降至室温，反应液水洗至中性，无水硫酸钠干燥后过硅胶柱纯化，得化合物1-4。
[0034][0035]
在三口瓶中加入四氢呋喃，然后加入1mol的化合物1-4，反应体系加热至60℃，缓
慢滴加2.2mol醋酸，滴加完毕后加热至回流反应2h，tlc监测原料完全反应后降至室温，反应液加入饱和碳酸钠溶液调节至ph＝7，分液后有机相无水硫酸钠干燥后过硅胶柱纯化，所得化合物完全溶于二氯甲烷，加入1mol boc-酸酐，2mol三乙胺，0.1mol 4-二甲基胺基吡啶，常温搅拌反应8h，待tlc监测原料完全反应后水洗至中性，有机相用无水硫酸钠干燥后过硅胶柱纯化得化合物1-6。
[0036][0037]
将化合物1-6溶于三福乙酸的乙酸乙酯溶液中，常温搅拌反应至tlc监测原料完全反应，反应液加入饱和碳酸钠溶液调节至ph＝7，分液后有机相无水硫酸钠干燥后过硅胶柱纯化得化合物1-7。
[0038]
与中间体1-7核心结构相同而取代基不同的中间体合成路线及方法类似，各中间体的取代基及收率如下表所示：
[0039][0040][0041]
在三口瓶中将1mol中间体1-7，1.1mol的r3溴代物，2mol碳酸钾，0.1mol的1,10-菲罗琳完全溶于甲苯，通入氮气排除体系内的空气后加入0.1mol溴化亚铜，反应体系加热升温至110℃搅拌反应8h，tlc检测原料完全反应后降至室温，反应液水洗至中性，无水硫酸钠干燥后过硅胶柱纯化得中间体1-8。
[0042]
与中间体1-8核心结构相同而取代基不同的中间体合成路线及方法类似，各中间
体的取代基及收率如下表所示：
[0043][0044]
结构通式(ⅱ)化合物中间体具体合成过程如下：
[0045][0046]
将化合物2-1加入到浓硫酸和浓硝酸的混合溶液中，加热至100℃反应2h，搅拌条件下将反应液缓慢倒入冰水中，搅拌析出固体，过滤。滤饼水洗至中性后烘干，过硅胶柱纯化得到化合物2-2。
[0047][0048]
在三口瓶中加入甲苯，然后依次加入1mol的化合物2-2，1.1mol的化合物2-3，0.05mol的2-二环己基磷-2,4,6-三异丙基联苯，2.2mol的叔丁醇锂，氮气氛围下加入0.025mol的三(二亚苄基丙酮)二钯，加热至110℃回流反应。待tlc监测原料完全反应后降至室温，反应液水洗至中性，无水硫酸钠干燥后过硅胶柱纯化，得化合物2-4。
[0049][0050]
在三口瓶中加入四氢呋喃，然后加入1mol的化合物2-4，反应体系加热至60℃，缓慢滴加2.2mol醋酸，滴加完毕后加热至回流反应2h，tlc监测原料完全反应后降至室温，反应液加入饱和碳酸钠溶液调节至ph＝7，分液后有机相无水硫酸钠干燥后过硅胶柱纯化，所得化合物完全溶于二氯甲烷，加入1mol boc-酸酐，2mol三乙胺，0.1mol 4-二甲基胺基吡啶，常温搅拌反应8h，待tlc监测原料完全反应后水洗至中性，有机相用无水硫酸钠干燥后过硅胶柱纯化得化合物2-6。
[0051][0052]
将化合物2-6溶于三福乙酸的乙酸乙酯溶液中，常温搅拌反应至tlc监测原料完全反应，反应液加入饱和碳酸钠溶液调节至ph＝7，分液后有机相无水硫酸钠干燥后过硅胶柱纯化得化合物2-7。
[0053]
与中间体2-7核心结构相同而取代基不同的中间体合成路线及方法类似，各中间体的取代基及收率如下表所示：
[0054][0055][0056]
在三口瓶中将1mol中间体2-7，1.1mol的r3溴代物，2mol碳酸钾，0.1mol的1,10-菲罗琳完全溶于甲苯，通入氮气排除体系内的空气后加入0.1mol溴化亚铜，反应体系加热升温至110℃搅拌反应8h，tlc检测原料完全反应后降至室温，反应液水洗至中性，无水硫酸钠干燥后过硅胶柱纯化得中间体2-8。
[0057]
与中间体2-8核心结构相同而取代基不同的中间体合成路线及方法类似，各中间体的取代基及收率如下表所示：
[0058][0059]
化合物1-1-12的合成
[0060][0061]
在500ml三口瓶中加入10g中间体6，7.0g给体1，7.1g碳酸钾，0.5g1,10-菲罗琳，300ml甲苯，通入氮气排除体系内的空气后加入0.4g溴化亚铜，，升温至110℃搅拌反应8h，tlc检测原料完全反应后降至室温，反应液水洗至中性，无水硫酸钠干燥后过硅胶柱纯化得11.9g化合物1-1-12，收率83.5％。
[0062]1h nmr(400mhz,cdcl3)δ8.48(d,j＝8.4hz,1h),7.75(d,j＝6.4hz,2h),7.62(d,j
＝6.4hz,2h),7.58(t,j＝6.4hz,1h),7.50-7.55(m,9h),7.41(t,j＝6.4hz,1h),7.37(d,j＝6.4hz,4h),7.20-7.24(m,4h),7.08(d,j＝6.4hz,2h),7.00(t,j＝6.4hz,1h),6.86(t,j＝8.4hz,1h)；
[0063]
化合物2-2-26的合成
[0064][0065]
在500ml三口瓶中加入10g中间体21，4.7g给体2，7.1g碳酸钾，0.5g1,10-菲罗琳，300ml甲苯，通入氮气排除体系内的空气后加入0.4g溴化亚铜，，升温至110℃搅拌反应8h，tlc检测原料完全反应后降至室温，反应液水洗至中性，无水硫酸钠干燥后过硅胶柱纯化得9.7g化合物2-2-26，收率79.6％。
[0066]1h nmr(400mhz,cdcl3)δ8.71(s,1h),8.48(d,j＝8.4hz,1h),8.46(d,j＝8.0hz,1h),8.21(s,1h),8.19(d,j＝7.2hz,2h),7.87(d,j＝8.0hz,1h),7.68(t,j＝6.4hz,1h),7.60(d,j＝6.4hz,1h),7.58(d,j＝7.2hz,2h),7.47-7.50(m,5h),7.18-7.21(m,4h),6.86(t,j＝8.4hz,1h)；
[0067]
化合物1-1-35的合成
[0068][0069]
在500ml三口瓶中加入10g中间体10，4.0g给体1，5.9g碳酸钾，0.43g1,10-菲罗琳，300ml甲苯，通入氮气排除体系内的空气后加入0.31g溴化亚铜，，升温至110℃搅拌反应8h，tlc检测原料完全反应后降至室温，反应液水洗至中性，无水硫酸钠干燥后过硅胶柱纯化得9.0g化合物1-1-35，收率76.2％。
[0070]1h nmr(400mhz,cdcl3)δ8.48(d,j＝8.4hz,1h),8.31(s,2h),8.19(d,j＝7.2hz,2h),7.90(s,1h),7.75(d,j＝6.4hz,2h),7.58-7.62(m,5h),7.49-7.52(m,7h),7.41(t,j＝6.4hz,1h),7.18-7.21(m,4h),6.86(t,j＝8.4hz,1h)；
[0071]
化合物1-2-6的合成
[0072][0073]
在500ml三口瓶中加入10g中间体1，15.2g给体3，8.2g叔丁醇钠及300ml甲苯，通入
氮气排除体系内的空气后加入96.2mg醋酸钯，0.11g三(苯基)膦，升温至110℃搅拌反应8h，tlc检测原料完全反应后降至室温，反应液水洗至中性，无水硫酸钠干燥后过硅胶柱纯化得10.9g化合物1-2-6，收率53.6％。
[0074]1h nmr(400mhz,cdcl3)δ8.48(d,j＝8.4hz,1h),7.72(d,j＝7.2hz,1h),7.67(s,1h),7.58-7.62(m,5h),7.46-7.51(m,7h),7.41(t,j＝6.4hz,1h),7.38(t,j＝7.2hz,1h),7.33(t,j＝7.2hz,1h),7.20(m,2h),7.16(t,j＝7.2hz,1h),6.86(t,j＝8.4hz,1h)；
[0075]
化合物2-2-17的合成
[0076][0077]
在500ml三口瓶中加入10g中间体13，20.67给体4，8.2g叔丁醇钠及300ml甲苯，通入氮气排除体系内的空气后加入96.2mg醋酸钯，0.11g三(苯基)膦，升温至110℃搅拌反应8h，tlc检测原料完全反应后降至室温，反应液水洗至中性，无水硫酸钠干燥后过硅胶柱纯化得11.7g化合物1-2-17，收率46.3％。
[0078]1h nmr(400mhz,cdcl3)δ8.55(d,j＝7.2hz,1h),8.48(d,j＝8.4hz,1h),8.24(d,j＝7.2hz,1h),7.94(d,j＝7.2hz,1h),7.88(s,1h),7.74(d,j＝7.2hz,1h),7.63(t,j＝6.4hz,1h),7.57(d,j＝7.2hz,1h),7.46-7.51(m,9h),7.41(t,j＝6.4hz,1h),7.38(t,j＝7.2hz,1h),7.33(t,j＝6.8hz,1h),7.20(m,2h),7.16(t,j＝7.2hz,1h),6.86(t,j＝8.4hz,1h),1.69(s,6h)；
[0079]
化合物1-2-26的合成
[0080][0081]
在500ml三口瓶中加入10g中间体8，15.1g给体5，8.2g叔丁醇钠及300ml甲苯，通入氮气排除体系内的空气后加入96.2mg醋酸钯，0.11g三(苯基)膦，升温至110℃搅拌反应8h，tlc检测原料完全反应后降至室温，反应液水洗至中性，无水硫酸钠干燥后过硅胶柱纯化得11.6g化合物1-2-26，收率57.2％。
[0082]1h nmr(400mhz,cdcl3)δ9.24(s,1h),8.70(d,j＝8.0hz,1h),8.48(d,j＝8.4hz,1h),8.42(d,j＝8.0hz,1h),8.19(d,j＝7.2hz,2h),7.57-7.63(m,5h),7.46-7.51(m,6h),7.20(m,2h),7.16(t,j＝7.2hz,1h),6.86(t,j＝8.4hz,1h)；
[0083]
化合物2-3-22的合成
[0084][0085]
在500ml三口瓶中加入10g中间体19，10.6g给体6，8.0g碳酸钾，0.58g1,10-菲罗琳，300ml甲苯，通入氮气排除体系内的空气后加入0.42g溴化亚铜，升温至110℃搅拌反应8h，tlc检测原料完全反应后降至室温，反应液水洗至中性，无水硫酸钠干燥后过硅胶柱纯化得12.9g化合物2-3-22，收率69.2％。
[0086]1h nmr(400mhz,cdcl3)δ8.62(d,j＝8.4hz,1h),8.19(d,j＝7.2hz,3h),7.94(d,j＝7.2hz,2h),7.72(d,j＝7.2hz,1h),7.67(s,1h),7.58-7.63(m,5h),7.46-7.51(m,7h),7.35-7.41(m,4h),7.20(m,2h),7.16(t,j＝7.2hz,2h),6.77(t,j＝8.4hz,1h)；
[0087]
化合物1-3-22的合成
[0088][0089]
在500ml三口瓶中加入10g中间体7，12.0g给体7，8.0g碳酸钾，0.94g四丁基溴化铵，200ml甲苯，60ml乙醇，40ml水，通入氮气排除体系内的空气后加入0.84g四(三苯基)膦，，升温至80℃搅拌反应8h，tlc检测原料完全反应后降至室温，反应液水洗至中性，无水硫酸钠干燥后过硅胶柱纯化得14.9g化合物1-3-26，收率75.8％。
[0090]1h nmr(400mhz,cdcl3)δ8.67(d,j＝8.4hz,1h),8.42(d,j＝7.6hz,2h),8.19(d,j＝8.0hz,1h),8.11(d,j＝8.0hz,1h),8.10(d,j＝7.6hz,2h),7.91-7.94(m,6h),7.88(d,j＝8.0hz,1h),7.85(s,1h),7.67(t,j＝8.0hz,1h),7.65(t,j＝8.0hz,1h),7.62(t,j＝6.4hz,2h),7.58(t,j＝6.4hz,1h),7.50-7.52(m,4h),7.46(t,j＝6.4hz,2h),7.41(t,j＝6.4hz,1h),7.33(t,j＝8.0hz,1h),7.20(s,1h),6.99(t,j＝8.4hz,1h)；
[0091]
化合物2-3-29的合成
[0092][0093]
在500ml三口瓶中加入10g中间体23，8.4g给体8，8.0g碳酸钾，0.94g四丁基溴化铵，200ml甲苯，60ml乙醇，40ml水，通入氮气排除体系内的空气后加入0.84g四(三苯基)膦，，升温至80℃搅拌反应8h，tlc检测原料完全反应后降至室温，反应液水洗至中性，无水硫酸钠干燥后过硅胶柱纯化得11.5g化合物2-3-29，收率71.6％。
[0094]1h nmr(400mhz,cdcl3)δ8.71(d,j＝8.0hz,1h),8.67(d,j＝8.4hz,2h),8.46(d,j
＝8.0hz,1h),8.21(s,1h),8.19(d,j＝7.2hz,2h),7.87(d,j＝8.0hz,1h),7.85(s,1h),7.68(t,j＝6.4hz,1h),7.60(d,j＝6.4hz,1h),7.58(d,j＝7.2hz,2h),7.46-7.51(m,7h),7.41(t,j＝6.4hz,1h),7.20(s,1h),7.16(t,j＝7.2hz,2h),6.99(t,j＝8.4hz,1h)；
[0095]
本发明提供的吡啶并咪唑并吡咯类化合物可以用作oled器件发光层的主体材料、敏化材料或掺杂材料使用，下面仅对上述部分化合物及现有oled材料cbp的性能参数(包括热失重温度td、tg温度、homo能级及luomo能级)进行测定，其中：
[0096]
热失重温度td是在氮气气氛中失重1％的温度，在tga-50h热重分析仪(日本岛津公司)上进行测定，氮气流量为20ml/min；
[0097]
tg温度在dsc-60热差扫描分析仪(日本岛津公司)上进行测定，氮气流量为10ml/min；
[0098]
homo/luomo能级为在gaussian 09软件进行模拟计算所得数据，计算方法采用b3lyp杂化泛函，基组6-31g(d)；
[0099]
δe
st
根据化合物荧光光谱和低温磷光光谱计算。
[0100]
对比结果如表1所示。
[0101]
表1各实施例提供的化合物和现有oled材料性能参数对比结果
[0102]
化合物tg(℃)td(℃)homolumoδe
st
(ev)化合物1-1-12148398-5.50-2.360.22化合物2-2-26151407-5.54-2.230.26化合物1-1-35149401-5.60-2.170.23化合物1-2-6142409-5.52-2.410.18化合物2-2-17166412-5.61-2.770.14化合物1-2-26161407-5.65-2.750.19化合物2-3-22147402-5.42-2.350.12化合物1-3-26160405-5.33-2.670.15化合物2-3-29154400-5.45-2.650.18tczcn153401-5.65-1.940.21cbp62353-5.9-2.6/
[0103]
由表1可知，本发明提供的吡啶并咪唑并吡咯类化合物具有较高的热稳定性，因此具有较好的成膜性能，使得所制作的含有本发明材料的oled器件寿命提升；本发明的衍生物还具有不同的homo能级，可应用于不同的功能层。
[0104]
为更好地评价本发明提供的化合物作为发光层主体材料、敏化材料和掺杂材料在oled器件中的适用性，以下使用现有材料的器件作为对比例，使用本发明提供的材料的器件作为实施例，实施例与对比例中器件的制作工艺完全相同，并且采用了相同的基板材料和电极材料，电极材料的膜厚也保持一致，不同的是对器件中所使用的部分材料进行了一些调整。
[0105]
其中，有机膜通过ans蒸镀设备进行双源共蒸，蒸镀基底为高透石英玻璃，客体材料掺杂质量浓度为2％，蒸镀完毕后，在手套箱中进行封装(手套箱中为氩气环境，水含量和氧气浓度小于1ppm)。
[0106]
实施例1
[0107]
透明基板层1/ito阳极层2/空穴传输层3(tapc,厚度为40nm)/发光层4(包括主体材料cbp、敏化材料化合物1-1-35、掺杂材料tczcn，按照93:5:2质量比混掺，厚度为30nm)/电子传输层5(tpbi,厚度为40nm)/电子注入层6(lif,厚度1nm)/阴极反射电极层al。
[0108]
器件中所使用部分材料结构如下：
[0109][0110]
具体制备过程如下：
[0111]
透明基板层为透明基材，如透明pi膜、玻璃等。
[0112]
对ito阳极层进行洗涤，依次进行碱洗涤、超纯水洗涤、干燥，再进行紫外线-臭氧洗涤以清除透明ito表面的有机残留物。
[0113]
在上述ito阳极层上，利用真空蒸镀装置，蒸镀膜厚为40nm的tapc作为空穴传输层1使用。
[0114]
上述空穴传输材料蒸镀结束后，制作oled发光器件的发光层，使用化合物cbp作为主体材料，化合物tczcn为掺杂材料，掺杂材料掺杂比例为2％重量比，发光层膜厚为30nm。
[0115]
在上述发光层之后，继续真空蒸镀电子传输材料tpbi，作为电子传输层，膜厚为40nm。
[0116]
在电子传输层上，通过真空蒸镀制作膜厚为1nm的氟化锂层作为电子注入层。
[0117]
在电子注入层上，通过真空蒸镀制作膜厚为80nm的铝层作为阴极电极层。
[0118]
如上述oled器件制作完毕后，用驱动电路将阳极和阴极连接起来，测量器件的电流效率，发光亮度以及器件的寿命。
[0119]
实施例2
[0120]
与实施例1相同，不同之处在于：发光层4中包括主体材料cbp、敏化材料化合物2-2-17、掺杂材料tczcn，其质量比为93:5:2，厚度为30nm。
[0121]
实施例3
[0122]
与实施例1相同，不同之处在于：发光层4中包括主体材料cbp、敏化材料化合物2-3-22、掺杂材料tczcn，其质量比为93:5:2，厚度为30nm。
[0123]
实施例4
[0124]
与实施例1相同，不同之处在于：发光层4中包括主体材料化合物1-1-12、掺杂材料tczcn，其质量比为98:2，厚度为30nm。
[0125]
实施例5
[0126]
与实施例1相同，不同之处在于：发光层4中包括主体材料化合物1-2-6、掺杂材料tczcn，其质量比为98:2，厚度为30nm。
[0127]
实施例6
[0128]
与实施例1相同，不同之处在于：发光层4中包括主体材料化合物1-3-26、掺杂材料tczcn，其质量比为98:2，厚度为30nm。
[0129]
实施例7
[0130]
与实施例1相同，不同之处在于：发光层4中包括主体材料cbp：掺杂材料化合物2-2-26，其质量比为：98:2，厚度为30nm。
[0131]
实施例8
[0132]
与实施例1相同，不同之处在于：发光层4中包括主体材料cbp、掺杂材料化合物1-2-26，其质量比为：98:2，厚度为30nm。
[0133]
实施例9
[0134]
与实施例1相同，不同之处在于：发光层4中包括主体材料cbp、掺杂材料化合物2-3-29，其质量比为：98:2，厚度为30nm。
[0135]
对比例1
[0136]
与实施例1相同，不同之处在于：发光层4中包括主体材料cbp、掺杂材料tczcn，其按照98：2的质量比混掺，厚度为30nm。
[0137]
实施例1～9为采用本发明合成化合物作为oled器件发光层的敏化材料、主体材料或掺杂材料应用，与对比例1相比，实施例1～9所述器件的制作工艺完全相同，并且所采用的基板材料和电极材料也完全相同，电极材料的膜厚也保持一致，器件性能测试方法与对比例1相同，所得器件结构如表2所示，器件性能测试结果如表3所示。
[0138]
表2实施例1-9及对比例提供的器件结构
[0139]
器件主体材料敏化材料掺杂材料电子传输层实施例1cbp化合物1-1-35tczcntpbi实施例2cbp化合物2-2-17tczcntpbi实施例3cbp化合物2-3-22tczcntpbi实施例4化合物1-1-12/tczcntpbi实施例5化合物1-2-6/tczcntpbi实施例6化合物1-3-26/tczcntpbi实施例7cbp/化合物2-2-26tpbi实施例8cbp/化合物1-2-26tpbi实施例9cbp/化合物2-3-29tpbi对比例1cbp/tczcntpbi
[0140]
表3实施例1-9及对比例器件性能测试结果
[0141]
分组效率(cd/a)lt90(hr)@5000nits实施例118.623.6实施例216.518.3实施例319.223.7实施例412.915.2实施例513.213.6实施例612.615.8实施例711.716.3实施例813.214.9实施例912.214.3
对比例17.38.2
[0142]
由表3器件性能数据可以看出，与使用现有材料cbp作为host材料的器件相比，在器件实施例1～3中使用本发明材料作为敏化材料，在器件实施例4～6中使用本发明材料作为主体材料，在器件实施例7～9中使用本发明材料作为掺杂材料后，器件的电流效率和寿命均有较大提高；
[0143]
综上所述，与现有材料相比，本发明提供的化合物材料在应用于oled器件，尤其是发光层的敏化材料、主体材料和掺杂材料时，可以较大幅度提高器件性能，是一种比较有发展前景的新型有机oled功能材料。
[0144]
以上实施例仅为便于理解本发明材料的合成及应用方法所列举的部分实施例，并不用于限制本发明。可以理解，相关从业人员很容易在此结构上进行适当的修改，因此凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。