包括聚合物的组合物的制作方法
本申请要求于2020年2月5日在韩国知识产权局提交的第10-2020-0013732号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。
实施例涉及一种包括聚合物的组合物、由该组合物制造的中间层以及包括该中间层的器件。
背景技术：
与本领域中的器件相比，发光器件是具有宽视角、高对比度、短响应时间以及在亮度、驱动电压和响应速度方面的优异特性的自发射器件。
发光器件的一个示例可以包括设置在基底上的第一电极以及顺序地设置在第一电极上的空穴传输区域、发射层、电子传输区域和第二电极。从第一电极提供的空穴可以通过空穴传输区域朝向发射层移动，从第二电极提供的电子可以通过电子传输区域朝向发射层移动。诸如空穴和电子的载流子在发射层中复合以产生激子。这些激子从激发态转变为基态，从而产生光。
当使用真空沉积方法制造发光器件时，由于使用真空系统而导致制造成本增加，并且当使用阴影掩模(shadowmask)制造用于自然色显示的像素时，制造高分辨率像素具有挑战性。
相反，当使用诸如喷墨印刷、喷嘴印刷、丝网印刷或旋涂的溶液涂覆工艺制造发光器件时，与使用阴影掩模时相比，制造工艺简单，制造成本低，并且可以实现相对高的分辨率。
针对溶液涂覆方法的用于空穴传输层的材料包括提高溶液溶解度的取代基。在施用空穴传输层之后，应通过再次使用溶液工艺将发射层施用在空穴传输层上。在形成发射层期间的溶液工艺中，空穴传输层的上部不应溶解在用于发射层的溶液中。为了确保耐溶剂性，可以通过在空穴传输层中取代交联基团并执行热交联来降低溶解度，或者可以设计具有耐溶剂性的取代基。存在其中在施用空穴传输层期间加入低分子量材料以增加迁移率的现有技术。然而，在现有技术中未描述耐溶剂性。
技术实现要素：
提供了一种其中确保了耐溶解性的中间层、一种用于制造该中间层的包括聚合物的组合物以及一种包括该中间层的器件。
附加方面将在下面的描述中被部分地阐述，并且部分地将通过描述而明显，或者可以通过公开的实施例的实践而获知。
根据一个方面，提供了一种组合物，所述组合物包括：
聚合物，由式1表示；
非芳胺类化合物，由式2表示；以及
溶剂。
<式1>
<式2>
(z)o
在式1中，
x由式1-1表示，y是取代或未取代的亚苯基，
a为约0.3至约0.7，b为约0.7至约0.3，并且a与b的和为1，
在式2中，
z是取代或未取代的c3-c60碳环基(其中，z不包括
<式1-1>
在式1-1中，
x1是取代或未取代的亚苯基，并且
c是2或更大的整数，并且
在式1和式1-1中，
r1、r2和ar1至ar3均独立地选自于氢、氘、取代或未取代的c1-c60烷基、取代或未取代的c2-c60烯基、取代或未取代的c2-c60炔基、取代或未取代的c1-c60烷氧基、取代或未取代的c3-c10环烷基、取代或未取代的c1-c10杂环烷基、取代或未取代的c3-c10环烯基、取代或未取代的c1-c10杂环烯基、取代或未取代的c6-c60芳基、取代或未取代的c6-c60芳氧基、取代或未取代的c6-c60芳硫基、取代或未取代的c1-c60杂芳基、取代或未取代的单价非芳香缩合多环基、取代或未取代的单价非芳香缩合杂多环基、-si(q1)(q2)(q3)、-n(q1)(q2)、-b(q1)(q2)、-p(q1)(q2)、-c(＝o)(q1)、-s(＝o)2(q1)和-p(＝o)(q1)(q2)，
从取代的c3-c60碳环基、取代的c1-c60烷基、取代的c2-c60烯基、取代的c2-c60炔基、取代的c1-c60烷氧基、取代的c3-c10环烷基、取代的c1-c10杂环烷基、取代的c3-c10环烯基、取代的c1-c10杂环烯基、取代的c6-c60芳基、取代的c6-c60芳氧基、取代的c6-c60芳硫基、取代的c1-c60杂芳基、取代的单价非芳香缩合多环基和取代的单价非芳香缩合杂多环基中选择的至少一个取代基选自于：
氘(-d)、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c60烷基、c2-c60烯基、c2-c60炔基和c1-c60烷氧基，
均取代有从氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c3-c10环烷基、c1-c10杂环烷基、c3-c10环烯基、c1-c10杂环烯基、c6-c60芳基、c6-c60芳氧基、c6-c60芳硫基、c1-c60杂芳基、单价非芳香缩合多环基、单价非芳香缩合杂多环基、-s(q11)、-p(q11)(q12)、-si(q11)(q12)(q13)、-n(q11)(q12)、-b(q11)(q12)、-c(＝o)(q11)、-s(＝o)2(q11)和-p(＝o)(q11)(q12)中选择的至少一者的c1-c60烷基、c2-c60烯基、c2-c60炔基和c1-c60烷氧基，
c3-c10环烷基、c1-c10杂环烷基、c3-c10环烯基、c1-c10杂环烯基、c6-c60芳基、c6-c60芳氧基、c6-c60芳硫基、c1-c60杂芳基、单价非芳香缩合多环基和单价非芳香缩合杂多环基，
均取代有从氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c60烷基、c2-c60烯基、c2-c60炔基、c1-c60烷氧基、c3-c10环烷基、c1-c10杂环烷基、c3-c10环烯基、c1-c10杂环烯基、c6-c60芳基、c6-c60芳氧基、c6-c60芳硫基、c1-c60杂芳基、单价非芳香缩合多环基、单价非芳香缩合杂多环基、-s(q21)、-p(q21)(q22)、-si(q21)(q22)(q23)、-n(q21)(q22)、-b(q21)(q22)、-c(＝o)(q21)、-s(＝o)2(q21)和-p(＝o)(q21)(q22)中选择的至少一者的c3-c10环烷基、c1-c10杂环烷基、c3-c10环烯基、c1-c10杂环烯基、c6-c60芳基、c6-c60芳氧基、c6-c60芳硫基、c1-c60杂芳基、单价非芳香缩合多环基和单价非芳香缩合杂多环基，以及
-s(q31)、-p(q31)(q32)、-si(q31)(q32)(q33)、-n(q31)(q32)、-b(q31)(q32)、-c(＝o)(q31)、-s(＝o)2(q31)和-p(＝o)(q31)(q32)，
其中，q1至q3、q11至q13、q21至q23和q31至q33均独立地选自于氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c60烷基、c2-c60烯基、c2-c60炔基、c1-c60烷氧基、c3-c10环烷基、c1-c10杂环烷基、c3-c10环烯基、c1-c10杂环烯基、c6-c60芳基、c1-c60杂芳基、单价非芳香缩合多环基、单价非芳香缩合杂多环基、联苯基和三联苯基，
由式1表示的化合物的分子量大于或等于约50,000，
由式2表示的化合物的分子量小于或等于约10,000，并且
*、*'和*"均表示与相邻原子的结合位。
根据一个方面，提供了一种制造中间层的方法，所述方法包括：
将组合物提供到基底上，并在约150℃至约300℃的温度下干燥组合物。
在实施例中，所述方法还包括将组合物干燥约1分钟至约2小时。
根据一个方面，提供了一种中间层，所述中间层包括：
聚合物，由式1表示；以及
非芳胺类化合物，由式2表示。
根据一个方面，提供了一种发光器件，所述发光器件包括：
第一电极，
第二电极，面对第一电极，以及
中间层，设置在第一电极与第二电极之间，
其中，中间层包括发射层以及包含组合物的层。
在实施例中，第一电极是阳极，第二电极是阴极，并且中间层还包括空穴传输区域和电子传输区域，空穴传输区域设置在第一电极与发射层之间并且包括选自于由空穴注入层、空穴传输层、缓冲层和电子阻挡层组成的组中的至少一种，电子传输区域设置在发射层与第二电极之间并且包括选自于由空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层组成的组中的至少一种。
根据一个方面，提供了一种包括薄膜晶体管和发光器件的电子设备，其中，薄膜晶体管包括源电极、漏电极、有源层和栅电极，并且发光器件的第一电极电连接到薄膜晶体管的源电极和漏电极中的一个。
附图说明
通过下面结合附图进行的描述，公开的某些实施例的以上和其他方面、特征和优点将更加明显，在附图中：
图1是根据实施例的发光器件的结构的示意性剖视图。
具体实施方式
现在将详细参照实施例，附图中示出了实施例的示例，其中，同样的附图标记始终表示同样的元件。在这方面，实施例可以具有不同的形式，并且不应被解释为限于这里阐述的描述。因此，下面仅通过参照附图来描述实施例以解释描述的方面。
如这里使用的，术语“和/或”包括相关所列项中的一个或更多个的任何组合和全部组合。例如，“a和/或b”可以被理解为指a、b或者a和b。术语“和”和“或”可以以连词的含义或反义连词的含义使用，并且可以被理解为等同于“和/或”。
出于其含义和解释的目的，短语“……中的至少一个(种/者)”意在包括“从由……组成的组中选择的至少一个(种/者)”的含义。例如，“a和b中的至少一个(种/者)”可以被理解为指a、b或者a和b。当术语“……中的至少一个(种/者)”位于一列元件(元素)之后时，修饰整列元件(元素)，而不是修饰该列的个别元件(元素)。
考虑到所讨论的测量以及与特定量的测量相关的误差(即，测量系统的局限性)，如这里使用的“大约(约)”或“近似(大致)”包括所陈述的值，并表示在如由本领域普通技术人员所确定的特定值的可接受的偏差范围内。例如，“大约(约)”可以表示在一个或更多个标准偏差内，或者在所陈述的值的±20％、±10％或±5％内。
根据公开的一个方面的组合物包括由式1表示的聚合物、由式2表示的非芳胺类低分子量化合物和溶剂：
<式1>
<式2>
(z)o。
在式1中，
x可以由式1-1表示，并且y可以是取代或未取代的亚苯基，
a可以为约0.3至约0.7，b可以为约0.7至约0.3，并且a与b的和可以为1，
在式2中，
z可以是取代或未取代的c3-c60碳环基(其中，z不包括
<式1-1>
在式1-1中，
x1可以是取代或未取代的亚苯基，
c可以是2或更大的整数，
在式1和式1-1中，
r1、r2和ar1至ar3可以均独立地选自于氢、氘、取代或未取代的c1-c60烷基、取代或未取代的c2-c60烯基、取代或未取代的c2-c60炔基、取代或未取代的c1-c60烷氧基、取代或未取代的c3-c10环烷基、取代或未取代的c1-c10杂环烷基、取代或未取代的c3-c10环烯基、取代或未取代的c1-c10杂环烯基、取代或未取代的c6-c60芳基、取代或未取代的c6-c60芳氧基、取代或未取代的c6-c60芳硫基、取代或未取代的c1-c60杂芳基、取代或未取代的单价非芳香缩合多环基、取代或未取代的单价非芳香缩合杂多环基、-si(q1)(q2)(q3)、-n(q1)(q2)、-b(q1)(q2)、-p(q1)(q2)、-c(＝o)(q1)、-s(＝o)2(q1)和-p(＝o)(q1)(q2)，
从取代的c3-c60碳环基、取代的c1-c60烷基、取代的c2-c60烯基、取代的c2-c60炔基、取代的c1-c60烷氧基、取代的c3-c10环烷基、取代的c1-c10杂环烷基、取代的c3-c10环烯基、取代的c1-c10杂环烯基、取代的c6-c60芳基、取代的c6-c60芳氧基、取代的c6-c60芳硫基、取代的c1-c60杂芳基、取代的单价非芳香缩合多环基和取代的单价非芳香缩合杂多环基中选择的至少一个取代基可以选自于：
氘(-d)、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c60烷基、c2-c60烯基、c2-c60炔基和c1-c60烷氧基；
均取代有从氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c3-c10环烷基、c1-c10杂环烷基、c3-c10环烯基、c1-c10杂环烯基、c6-c60芳基、c6-c60芳氧基、c6-c60芳硫基、c1-c60杂芳基、单价非芳香缩合多环基、单价非芳香缩合杂多环基、-s(q11)、-p(q11)(q12)、-si(q11)(q12)(q13)、-n(q11)(q12)、-b(q11)(q12)、-c(＝o)(q11)、-s(＝o)2(q11)和-p(＝o)(q11)(q12)中选择的至少一者的c1-c60烷基、c2-c60烯基、c2-c60炔基和c1-c60烷氧基；
c3-c10环烷基、c1-c10杂环烷基、c3-c10环烯基、c1-c10杂环烯基、c6-c60芳基、c6-c60芳氧基、c6-c60芳硫基、c1-c60杂芳基、单价非芳香缩合多环基和单价非芳香缩合杂多环基；
均取代有从氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c60烷基、c2-c60烯基、c2-c60炔基、c1-c60烷氧基、c3-c10环烷基、c1-c10杂环烷基、c3-c10环烯基、c1-c10杂环烯基、c6-c60芳基、c6-c60芳氧基、c6-c60芳硫基、c1-c60杂芳基、单价非芳香缩合多环基、单价非芳香缩合杂多环基、-s(q21)、-p(q21)(q22)、-si(q21)(q22)(q23)、-n(q21)(q22)、-b(q21)(q22)、-c(＝o)(q21)、-s(＝o)2(q21)和-p(＝o)(q21)(q22)中选择的至少一者的c3-c10环烷基、c1-c10杂环烷基、c3-c10环烯基、c1-c10杂环烯基、c6-c60芳基、c6-c60芳氧基、c6-c60芳硫基、c1-c60杂芳基、单价非芳香缩合多环基和单价非芳香缩合杂多环基；以及
-s(q31)、-p(q31)(q32)、-si(q31)(q32)(q33)、-n(q31)(q32)、-b(q31)(q32)、-c(＝o)(q31)、-s(＝o)2(q31)和-p(＝o)(q31)(q32)，
其中，q1至q3、q11至q13、q21至q23和q31至q33可以均独立地选自于氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c60烷基、c2-c60烯基、c2-c60炔基、c1-c60烷氧基、c3-c10环烷基、c1-c10杂环烷基、c3-c10环烯基、c1-c10杂环烯基、c6-c60芳基、c1-c60杂芳基、单价非芳香缩合多环基、单价非芳香缩合杂多环基、联苯基和三联苯基，
由式1表示的化合物的分子量可以大于或等于约50,000，
由式2表示的化合物的分子量可以小于或等于约10,000，并且
*、*'和*"均表示与相邻原子的结合位。
由式1表示的化合物的分子量是重均分子量(mv)。
a和b分别指由式1表示的聚合物中的单元x和单元y的比。a与b的和为1，例如，a可以为约0.4至约0.6，b可以为约0.6至约0.4。
当式1中的x和y为两个或更多个时，x中的每个和y中的每个可以彼此相同或不同。
[y]b和(x1)c为其中连接有两个或多更个亚苯基的结构。
由于式2被定义为非芳胺类化合物，因此从上述取代的取代基的描述中排除了其中式2或z成为芳胺类化合物的示例。
当式2中的o为2或更大时，每个z可以彼此相同或不同。
术语“非芳胺类化合物”指不包括芳胺化合物的化合物。术语“芳胺化合物”指其中芳基结合到n的化合物。
在组合物中，由式1表示的化合物具有大于或等于约50,000的分子量。例如，由式1表示的化合物的分子量可以在约100,000至约5,000,000的范围内。由式1表示的聚合物不具有例如可交联的官能团。
由式2表示的化合物具有小于或等于约10,000的分子量。例如，由式2表示的化合物的分子量可以在约100至约8,000的范围内。由式2表示的低分子化合物不具有例如可交联的官能团。术语“分子量”指重均分子量。
术语“低分子”指具有分子量的分子，在所述分子量下，化合物不表现出聚合物的性质。
当分子量低时，化合物不能形成膜、纤维等。
式1中的a和b均表示在满足对应的分子量范围的状态下的比，并且式2中的o是满足对应的分子量范围的数字。
当式1和式2的分子量在这些范围内时，所得有机膜的封装稳定性增强，使得改善了有机膜的耐溶剂性。
在实施例中，式1中的y和式1-1中的x1可以均独立地为由式2a或式2b表示的基团：
在式2a和式2b中，r11至r15可以均独立地选自于氢、氘、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、
均取代有从氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、
a11至a15可以均独立地为1至4的整数。
在实施例中，式1-1中的r1和r2可以均独立地为式3a至式3e中的任何一个：
在式3a至式3e中，r21至r32可以均独立地选自于氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、取代或未取代的c1-c60烷基、取代或未取代的c2-c60烯基、取代或未取代的c2-c60炔基、取代或未取代的c1-c60烷氧基、取代或未取代的c3-c10环烷基、取代或未取代的c1-c10杂环烷基、取代或未取代的c3-c10环烯基、取代或未取代的c1-c10杂环烯基、取代或未取代的c6-c60芳基、取代或未取代的c6-c60芳氧基、取代或未取代的c6-c60芳硫基、取代或未取代的c1-c60杂芳基、取代或未取代的单价非芳香缩合多环基、取代或未取代的单价非芳香缩合杂多环基、-c(q1)(q2)(q3)、-si(q1)(q2)(q3)、-n(q1)(q2)、-b(q1)(q2)、-c(＝o)(q1)、-s(＝o)2(q1)和-p(＝o)(q1)(q2)，
a21可以为1至5的整数，
a24、a26、a28和a31可以均独立地为1至3的整数，
a25、a27、a29和a32可以均独立地为1至4的整数，并且
取代的c1-c60烷基、取代的c2-c60烯基、取代的c2-c60炔基、取代的c1-c60烷氧基、取代的c3-c10环烷基、取代的c1-c10杂环烷基、取代的c3-c10环烯基、取代的c1-c10杂环烯基、取代的c6-c60芳基、取代的c6-c60芳氧基、取代的c6-c60芳硫基、取代的c1-c60杂芳基、取代的单价非芳香缩合多环基和取代的单价非芳香缩合杂多环基与上述相同，并且*表示与相邻原子的结合位。
在实施例中，ar1至ar3可以均独立地选自于苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、
均取代有从氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、
在实施例中，式2中的z可以由式4a表示：
在式4a中，
r41可以均独立地选自于氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、取代或未取代的c1-c60烷基、取代或未取代的c2-c60烯基、取代或未取代的c2-c60炔基、取代或未取代的c1-c60烷氧基、取代或未取代的c3-c10环烷基、取代或未取代的c1-c10杂环烷基、取代或未取代的c3-c10环烯基、取代或未取代的c1-c10杂环烯基、取代或未取代的c6-c60芳基、取代或未取代的c6-c60芳氧基、取代或未取代的c6-c60芳硫基、取代或未取代的c1-c60杂芳基、取代或未取代的单价非芳香缩合多环基、取代或未取代的单价非芳香缩合杂多环基、-c(q1)(q2)(q3)、-si(q1)(q2)(q3)、-b(q1)(q2)、-c(＝o)(q1)、-s(＝o)2(q1)和-p(＝o)(q1)(q2)，
a41可以是2至4的整数，并且
除了不包括
在式4a中，氢的位置可以可选地是相邻原子的结合位的位置。
在一个实施例中，式1可以由式3表示：
<式3>
在式3中，ar1至ar3、r2、r11、r12、r24、r25、a11、a12、a24、a25、a和b通过参照式1、式1-1、式2a和式3b中定义的那些来理解，r'11和r'12分别具有与r11和r12相同的定义，a'11和a'12均独立地为1至4的整数，y1为o、s、cr51r52或nr53，并且r51、r52和r53通过参照式3a中的r21的定义来理解。
在实施例中，式1可以由式4表示：
<式4>
在式4中，ar1至ar3、r2、r13、r14、r15、r24、r25、a13、a14、a15、a24、a25、a和b通过参照式1、式1-1、式2b和式3b中定义的那些来理解，r'11和r'12分别具有与r11和r12相同的定义，a'11和a'12均独立地为1至4的整数，y1为o、s、cr51r52或nr53，并且r51、r52和r53通过参照式3a中的r21的定义来理解。
在实施例中，式1可以由式5表示：
<式5>
在式5中，ar1至ar3、r2、r13、r14、r15、r24、r25、a13、a14、a15、a24、a25、a和b通过参照式1、式1-1、式2b和式3b中定义的那些来理解，r'13、r'14和r'15分别具有与r13、r14和r15相同的定义，a'13至a'15均独立地为1至4的整数，y1为o、s、cr51r52或nr53，并且r51、r52和r53通过参照式3a中的r21的定义来理解。
在实施例中，式1可以由式6表示：
<式6>
在式6中，ar1至ar3、r2、r11至r15、r24、r25、a11至a15、a24、a25、a和b通过参照式1、式1-1、式2a、式2b和式3b中定义的那些来理解，y1为o、s、cr51r52或nr53，并且r51、r52和r53通过参照式3a中的r21的定义来理解。
由式1表示的化合物可以包括例如具有各种序列的化合物。
当芴取代基被命名为a，并且辛基苯基取代基被命名为b时，不对称胺衍生物和卤素衍生物在聚合中彼此反应，并产生下面的其中a和b随机连接的各种聚合物：
在实施例中，组合物的由式1表示的聚合物可以是下面的化合物1至化合物10以及化合物13至化合物35中的任何一种：
在化合物1至化合物10以及化合物13至化合物35中，a和b与结合式1所描述的相同。
化合物1至化合物10以及化合物13至化合物35均满足50,000或更高的分子量，并且a和b的比在满足分子量的条件下与上述相同。
在实施例中，组合物中的由式2表示的非芳胺类化合物可以是化合物a1至化合物a5中的任何一种：
<化合物a1>
<化合物a2>
<化合物a3>
<化合物a4>
<化合物a5>
在实施例中，组合物的溶剂是挥发性有机溶剂。例如，溶剂可以是甲苯、苯甲醚、乙酸乙酯、二氯甲烷、苯甲酸甲酯、环己基苯或四氢萘，但不限于此。
在实施例中，在组合物中，由式1表示的聚合物与由式2表示的非芳胺类化合物的重量比可以在约1:99至约99:1的范围内，并且组合物的浓度可以在约0.5％至约20％的范围内。
当由式1表示的聚合物与由式2表示的非芳胺类化合物的重量比在该范围内，并且组合物的浓度在该范围内时，可以使操作的简易性和所得有机膜的耐溶剂性最优化。
可以在喷墨工艺中印刷且干燥这样的组合物，以形成中间层。
在实施例中，中间层可以通过包括在约150℃至约300℃下干燥组合物约1分钟至约2小时的制造方法来制造。例如，中间层通过包括在约200℃至约260℃下干燥组合物约10分钟至约一小时的制造方法来制造。在温度低于约150℃的情况下，不会使所得有机膜致密化，并且当干燥时间短于1分钟时，溶剂会残留。在温度高于约300℃的情况下，会使化合物劣化，并且在干燥时间超过2小时的情况下，会浪费能量。
在实施例中，制造中间层的方法可以包括将组合物提供到基底上；以及在约150℃至约300℃的温度下干燥组合物。
制造中间层的方法可以包括例如：通过混合由式1表示的聚合物、由式2表示的非芳胺类低分子化合物和溶剂来制备组合物；通过喷墨工艺将组合物印刷在基底上；以及在约200℃至约260℃的温度下干燥其上印刷有组合物的基底约10分钟至约一小时。
在实施例中，提供了一种包括由式1表示的聚合物和由式2表示的非芳胺类低分子化合物的中间层。式1和式2与上述相同。
通过喷墨印刷工艺将组合物印刷在基底上，并且蒸发溶剂以保留包括由式1表示的聚合物和由式2表示的非芳胺类低分子化合物的中间层。例如，中间层可以由通过式1表示的聚合物和通过式2表示的非芳胺类低分子化合物组成。
如这里所使用的表述“(中间层)包括至少一种化合物”可以包括其中“(中间层)包括相同的由式1表示的化合物”的情况和其中“(中间层)包括两种或更多种不同的由式1表示的化合物”的情况。
例如，中间层可以包括仅化合物1作为由式1表示的化合物。化合物1可以存在于发光器件的发射层中。在实施例中，中间层可以包括化合物1和化合物2作为由式1表示的化合物。在这方面，化合物1和化合物2可以存在于相同的层中(例如，化合物1和化合物2可以都存在于发射层中)，或者可以存在于不同的层中(例如，化合物1可以存在于发射层中，化合物2可以存在于电子传输区域中)。
根据实施例，提供了一种发光器件，该发光器件包括：
第一电极；
第二电极，面对第一电极；以及
中间层，位于第一电极与第二电极之间，
其中，中间层包括发射层以及包含由式1表示的聚合物和由式2表示的非芳胺类低分子化合物的层。
根据实施例，
发光器件的第一电极可以是阳极，
发光器件的第二电极可以是阴极，
中间层还可以包括设置在第一电极与发射层之间的空穴传输区域和设置在发射层与第二电极之间的电子传输区域，
空穴传输区域可以包括从由空穴注入层、空穴传输层、缓冲层和电子阻挡层组成的组中选择的至少一种，并且
电子传输区域可以包括从由空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层组成的组中选择的至少一种。
在实施例中，空穴传输区域可以包括包含由式1表示的聚合物和由式2表示的非芳胺类低分子化合物的层。
在实施例中，空穴传输层可以包括由式1表示的聚合物和由式2表示的非芳胺类低分子化合物。
提供了一种电子设备，该电子设备包括：薄膜晶体管和发光器件，其中，薄膜晶体管包括源电极、漏电极、有源层和栅电极，并且发光器件的第一电极电连接到薄膜晶体管的源电极和漏电极中的一个。
如这里所使用的术语“中间层”指发光器件的第一电极与第二电极之间的单层和/或所有层。包括在“中间层”中的材料不限于有机材料。
[图1的描述]
图1是根据实施例的发光器件10的示意性剖视图。发光器件10包括第一电极110、中间层150和第二电极190。
在下文中，将结合图1描述根据实施例的发光器件10的结构和制造发光器件10的方法。
[第一电极110]
在图1中，基底可以设置在第一电极110下方或第二电极190上方。基底可以是玻璃基底或塑料基底。
第一电极110可以通过在基底上沉积或溅射用于形成第一电极110的材料来形成。当第一电极110是阳极时，能够容易地注入空穴的高逸出功材料可以用作用于第一电极110的材料。
第一电极110可以是反射电极、半透射电极或透射电极。当第一电极110是透射电极时，用于形成第一电极110的材料可以包括氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锡(sno2)、氧化锌(zno)或它们的任何组合，但公开的实施例不限于此。在一个或更多个实施例中，当第一电极110是半透射电极或反射电极时，用于形成第一电极110的材料可以包括镁(mg)、银(ag)、铝(al)、铝-锂(al-li)、钙(ca)、镁-铟(mg-in)、镁-银(mg-ag)或它们的任何组合，但公开的实施例不限于此。
第一电极110可以具有由单个层组成的单层结构或包括多个层的多层结构。例如，第一电极110可以具有ito/ag/ito的三层结构，但是第一电极110的结构不限于此。
[中间层150]
中间层150位于第一电极110上。中间层150包括发射层。
中间层150还可以包括在第一电极110与发射层之间的空穴传输区域以及在发射层与第二电极190之间的电子传输区域。
除了各种有机材料之外，中间层150还可以包括诸如有机金属化合物的含金属化合物、诸如量子点的无机材料等。
[中间层150中的空穴传输区域]
空穴传输区域可以具有：i)单层结构，由单个层组成，所述单个层由单种材料组成；ii)单层结构，由单个层组成，所述单个层由不同的材料组成；或者iii)多层结构，包括包含不同的材料的多个层。
空穴传输区域可以包括空穴注入层、空穴传输层、发射辅助层、电子阻挡层或它们的任何组合。
例如，空穴传输区域可以具有多层结构，该多层结构包括空穴注入层/空穴传输层结构、空穴注入层/空穴传输层/发射辅助层结构、空穴注入层/发射辅助层结构、空穴传输层/发射辅助层结构或者空穴注入层/空穴传输层/电子阻挡层结构，其中，在每种结构中，以该陈述的次序从第一电极110顺序地堆叠层，但公开的实施例不限于此。
空穴传输区域可以包括包含由式1表示的聚合物和由式2表示的非芳胺类低分子化合物的有机层。
空穴传输区域可以包括由式201表示的化合物、由式202表示的化合物或它们的任何组合：
<式201>
<式202>
在式201和式202中，
l201至l204可以均独立地为取代或未取代的c3-c10亚环烷基、取代或未取代的c1-c10亚杂环烷基、取代或未取代的c3-c10亚环烯基、取代或未取代的c1-c10亚杂环烯基、取代或未取代的c6-c60亚芳基、取代或未取代的c1-c60亚杂芳基、取代或未取代的二价非芳香缩合多环基或者取代或未取代的二价非芳香缩合杂多环基，
l205可以为*-o-*'、*-s-*'、*-n(q201)-*'、取代或未取代的c1-c20亚烷基、取代或未取代的c2-c20亚烯基、取代或未取代的c3-c10亚环烷基、取代或未取代的c1-c10亚杂环烷基、取代或未取代的c3-c10亚环烯基、取代或未取代的c1-c10亚杂环烯基、取代或未取代的c6-c60亚芳基、取代或未取代的c1-c60亚杂芳基、取代或未取代的二价非芳香缩合多环基或者取代或未取代的二价非芳香缩合杂多环基，
xa1至xa4可以均独立地为0、1、2或3(例如，0、1或2)，
xa5可以为1至10的整数(例如，1、2、3或4)，并且
r201至r204和q201可以均独立地为取代或未取代的c3-c10环烷基、取代或未取代的c1-c10杂环烷基、取代或未取代的c3-c10环烯基、取代或未取代的c1-c10杂环烯基、取代或未取代的c6-c60芳基、取代或未取代的c6-c60芳氧基、取代或未取代的c6-c60芳硫基、取代或未取代的c1-c60杂芳基、取代或未取代的单价非芳香缩合多环基或者取代或未取代的单价非芳香缩合杂多环基。
例如，在式202中，r201和r202可以可选地经由单键、二甲基-亚甲基或二苯基-亚甲基彼此连接，并且r203和r204可以可选地经由单键、二甲基-亚甲基或二苯基-亚甲基彼此连接。
在一个实施例中，i)式201中的r201至r203中的至少一个以及ii)式202中的r201至r204中的至少一个可以均独立地为均未取代的或取代有氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、环戊基、环己基、环庚基、环戊烯基、环己烯基、苯基、联苯基、三联苯基、取代有c1-c10烷基的苯基、取代有-f的苯基、萘基、菲基、茚基、芴基、二甲基芴基、二苯基芴基、螺二芴基、苯并芴基、二甲基苯并芴基、二苯基苯并芴基、茚并菲基、二甲基茚并菲基、二苯基茚并菲基、吡啶基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、吲哚基、苯基吲哚基、苯并吲哚基、苯基苯并吲哚基、异吲哚基、苯基异吲哚基、苯并异吲哚基、苯基苯并异吲哚基、苯并噻咯基、二甲基苯并噻咯基、二苯基苯并噻咯基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、咔唑基、苯基咔唑基、联苯基咔唑基、二苯并噻咯基、二甲基二苯并噻咯基、二苯基二苯并噻咯基、二苯并噻吩基和二苯并呋喃基中的至少一者的芴基、螺二芴基、苯并芴基、茚并菲基、吡啶基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、吲哚基、苯并吲哚基、异吲哚基、苯并异吲哚基、苯并噻咯基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、咔唑基、二苯并噻咯基、二苯并噻吩基或二苯并呋喃基，但是公开的实施例不限于此。
在一个实施例中，由式201或式202表示的化合物可以包括至少一个咔唑基。
在一个实施例中，由式201表示的化合物可以不包括咔唑基。
在一个实施例中，由式201表示的化合物可以由式201a-1表示：
<式201a-1>
式201a-1中的l203、xa3和r203与上述相同，并且r211至r216可以均独立地为氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、环戊基、环己基、环庚基、环戊烯基、环己烯基、苯基、联苯基、三联苯基、取代有c1-c10烷基的苯基、取代有-f的苯基、萘基、菲基、茚基、芴基、二甲基芴基、二苯基芴基、螺二芴基、苯并芴基、二甲基苯并芴基、二苯基苯并芴基、茚并菲基、二甲基茚并菲基、二苯基茚并菲基、吡啶基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、吲哚基、苯基吲哚基、苯并吲哚基、苯基苯并吲哚基、异吲哚基、苯基异吲哚基、苯并异吲哚基、苯基苯并异吲哚基、苯并噻咯基、二甲基苯并噻咯基、二苯基苯并噻咯基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、咔唑基、苯基咔唑基、联苯基咔唑基、二苯并噻咯基、二甲基二苯并噻咯基、二苯基二苯并噻咯基、二苯并噻吩基或二苯并呋喃基。
空穴传输区域可以包括化合物ht1至化合物ht44、m-mtdata、tdata、2-tnata、npb(npd)、β-npb、tpd、螺-tpd、螺-npb、甲基化-npb、tapc、hmtpd、4,4',4"-三(n-咔唑基)三苯胺(tcta)、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(pani/dbsa)、聚(3,4-乙撑二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(pedot/pss)、聚苯胺/樟脑磺酸(pani/csa)和聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(pani/pss)中的一种，或者它们的任何组合，但公开的实施例不限于此：
空穴传输区域的厚度可以在约
发射辅助层可以通过根据由发射层发射的光的波长来补偿光学谐振距离而提高发光效率，电子阻挡层可以阻挡电子从电子传输区域流入。发射辅助层和电子阻挡层可以包括如上所述的材料。
[p掺杂剂]
除了这些材料之外，空穴传输区域还可以包括用于改善导电性质的电荷产生材料。电荷产生材料可以均匀地或非均匀地分散在空穴传输区域中。
电荷产生材料可以为例如p掺杂剂。
在一个实施例中，p掺杂剂的最低未占分子轨道(lumo)能级可以为-3.5ev或更小。
p掺杂剂可以包括醌衍生物、金属氧化物、含氰基化合物或它们的任何组合，但公开的实施例不限于此。
在一个实施例中，p掺杂剂可以包括：
醌衍生物，诸如tcnq、f4-tcnq等；
金属氧化物，诸如氧化钨或氧化钼；
含氰基化合物，诸如hat-cn等；
由式221表示的化合物；或
它们的任何组合。
然而，公开的实施例不限于此：
<式221>
在式221中，
r221至r223可以均独立地为取代或未取代的c3-c10环烷基、取代或未取代的c1-c10杂环烷基、取代或未取代的c3-c10环烯基、取代或未取代的c1-c10杂环烯基、取代或未取代的c6-c60芳基、取代或未取代的c1-c60杂芳基、取代或未取代的单价非芳香缩合多环基或者取代或未取代的单价非芳香缩合杂多环基，并且r221至r223中的至少一个可以均独立地为均未取代的或者取代有取代基的c3-c10环烷基、c1-c10杂环烷基、c3-c10环烯基、c1-c10杂环烯基、c6-c60芳基、c1-c60杂芳基、单价非芳香缩合多环基或单价非芳香缩合杂多环基，所述取代基为氰基、-f、-cl、-br、-i、取代有至少一个氰基的c1-c20烷基、取代有至少一个-f的c1-c20烷基、取代有至少一个-cl的c1-c20烷基、取代有至少一个-br的c1-c20烷基、取代有至少一个-i的c1-c20烷基或它们的任何组合。
[中间层150中的发射层]
当发光器件10为全色发光器件时，发射层可以根据子像素而被图案化为红色发射层、绿色发射层和/或蓝色发射层。在一个或更多个实施例中，发射层可以具有红色发射层、绿色发射层和蓝色发射层之中的两个或更多个层的堆叠结构，其中，所述两个或更多个层彼此接触或彼此分开。在一个或更多个实施例中，发射层可以包括红色发光材料、绿色发光材料和蓝色发光材料之中的两种或更多种材料，其中，所述两种或更多种材料在单个层中彼此混合以发射白光。
发射层可以包括主体和掺杂剂。掺杂剂可以包括磷光掺杂剂、荧光掺杂剂或它们的任何组合。
基于100重量份的主体，发射层中的掺杂剂的量可以为约0.01重量份至约15重量份。然而，公开的实施例不限于此。
在一个或更多个实施例中，发射层可以包括量子点。
发射层的厚度可以在约
[发射层中的主体]
在一个或更多个实施例中，主体可以包括由下面的式301表示的化合物：
<式301>
[ar301]xb11-[(l301)xb1-r301]xb21。
在式301中，
ar301可以为取代或未取代的c5-c60碳环基或者取代或未取代的c1-c60杂环基，
xb11可以为1、2或3，
l301可以为取代或未取代的c3-c10亚环烷基、取代或未取代的c1-c10亚杂环烷基、取代或未取代的c3-c10亚环烯基、取代或未取代的c1-c10亚杂环烯基、取代或未取代的c6-c60亚芳基、取代或未取代的c1-c60亚杂芳基、取代或未取代的二价非芳香缩合多环基或者取代或未取代的二价非芳香缩合杂多环基，
xb1可以为0、1、2、3、4或5，
r301可以为氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、取代或未取代的c1-c60烷基、取代或未取代的c2-c60烯基、取代或未取代的c2-c60炔基、取代或未取代的c1-c60烷氧基、取代或未取代的c3-c10环烷基、取代或未取代的c1-c10杂环烷基、取代或未取代的c3-c10环烯基、取代或未取代的c1-c10杂环烯基、取代或未取代的c6-c60芳基、取代或未取代的c6-c60芳氧基、取代或未取代的c6-c60芳硫基、取代或未取代的c1-c60杂芳基、取代或未取代的单价非芳香缩合多环基、取代或未取代的单价非芳香缩合杂多环基、-si(q301)(q302)(q303)、-n(q301)(q302)、-b(q301)(q302)、-c(＝o)(q301)、-s(＝o)2(q301)或-p(＝o)(q301)(q302)，
xb21可以为1、2、3、4或5，并且
q301至q303与结合q1描述的相同。
在一个或更多个实施例中，当式301中的xb11为2或更大时，两个或更多个ar301可以经由单键彼此连接。
在一个实施例中，主体可以包括由式301-1表示的化合物、由式301-2表示的化合物或者它们的任何组合：
<式301-1>
<式301-2>
在式301-1和式301-2中，
环a301至环a304可以均独立地为c5-c60碳环基或者c1-c60杂环基，
x301可以为o、s、n-[(l304)xb4-r304]、c(r304)(r305)或si(r304)(r305)，
xb22和xb23可以均独立地为0、1或2，
l301、xb1和r301与上述相同，
l302至l304均独立地与结合l301描述的相同，
xb2至xb4可以均独立地与结合xb1描述的相同，并且
r302至r305以及r311至r314与结合r301描述的相同。
在一个或更多个实施例中，主体可以包括碱土金属配合物。例如，主体可以为be配合物(例如，化合物h55)、mg配合物、zn配合物或它们的任何组合。
在一个实施例中，主体可以包括化合物h1至化合物h120、9,10-二(2-萘基)蒽(adn)、2-甲基-9,10-双(萘-2-基)蒽(madn)、9,10-二(2-萘基)-2-叔丁基-蒽(tbadn)、4,4'-双(n-咔唑基)-1,1'-联苯(cbp)、1,3-二-9-咔唑基苯(mcp)和1,3,5-三(咔唑-9-基)苯(tcp)中的一种，或者它们的任何组合，但公开的实施例不限于此：
[包括在中间层150中的发射层中的磷光掺杂剂]
磷光掺杂剂可以包括至少一种过渡金属作为中心金属。
磷光掺杂剂可以包括单齿配体、双齿配体、三齿配体、四齿配体、五齿配体、六齿配体或它们的任何组合。
磷光掺杂剂可以是电中性的。
例如，磷光掺杂剂可以包括由式401表示的有机金属化合物：
<式401>
m(l401)xc1(l402)xc2
<式402>
在式401和式402中，
m可以是过渡金属(例如，铱(ir)、铂(pt)、钯(pd)、锇(os)、钛(ti)、金(au)、铪(hf)、铕(eu)、铽(tb)、铑(rh)、铼(re)或铥(tm))，
l401可以是由式402表示的配体，并且xc1可以是1、2或3，其中，当xc1为2或更大时，两个或更多个l401可以彼此相同或不同，
l402可以是有机配体，xc2可以是0、1、2、3或4，并且当xc2为2或更大时，两个或更多个l402可以彼此相同或不同，
x401和x402可以均独立地为氮或碳，
环a401和环a402可以均独立地为c5-c60碳环基或c1-c60杂环基，
t401可以为单键、*-o-*'、*-s-*'、*-c(＝o)-*'、*-n(q411)-*'、*-c(q411)(q412)-*'、*-c(q411)＝c(q412)-*'、*-c(q411)＝*'或*＝c＝*'，
x403和x404可以均独立地为化学键(例如，共价键或配位键)、o、s、n(q413)、b(q413)、p(q413)、c(q413)(q414)或si(q413)(q414)，
q411至q414与结合q1描述的相同，
r401和r402可以均独立地为氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、取代或未取代的c1-c20烷基、取代或未取代的c1-c20烷氧基、取代或未取代的c3-c10环烷基、取代或未取代的c1-c10杂环烷基、取代或未取代的c3-c10环烯基、取代或未取代的c1-c10杂环烯基、取代或未取代的c6-c60芳基、取代或未取代的c6-c60芳氧基、取代或未取代的c6-c60芳硫基、取代或未取代的c1-c60杂芳基、取代或未取代的单价非芳香缩合多环基、取代或未取代的单价非芳香缩合杂多环基、-si(q401)(q402)(q403)、-n(q401)(q402)、-b(q401)(q402)、-c(＝o)(q401)、-s(＝o)2(q401)或-p(＝o)(q401)(q402)，
q401至q403与结合q1描述的相同，
xc11和xc12可以均独立地为0至10的整数，并且
式402中的*和*'均表示与式401中的m的结合位。
在一个或更多个实施例中，在式402中，i)x401可以为氮，x402可以为碳，或者ii)x401和x402中的每个可以为氮。
在一个或更多个实施例中，当式401中的xc1为2或更大时，两个或更多个l401中的两个环a401可以可选地经由作为连接基团的t402彼此连接，或者两个或更多个l401中的两个环a402可以可选地经由作为连接基团的t403彼此连接(见化合物pd1至化合物pd4以及化合物pd7)。t402和t403与结合t401描述的相同。
式401中的l402可以是有机配体。例如，l402可以是卤素基团、二酮基团(例如，乙酰丙酮(化物)基团)、羧酸基团(例如，吡啶甲酸(盐)基团)、-c(＝o)、异腈基团、-cn基团、含磷基团(例如，膦基团或亚磷酸(盐)基团)或它们的任何组合，但公开的实施例不限于此。
磷光掺杂剂可以包括例如下面的化合物pd1至化合物pd25中的一种或任何组合，但公开的实施例不限于此：
[发射层中的荧光掺杂剂]
荧光掺杂剂可以包括含胺基(氨基)化合物、含苯乙烯基化合物或它们的任何组合。
例如，荧光掺杂剂可以包括由式501表示的化合物：
<式501>
在式501中，
ar501可以为取代或未取代的c5-c60碳环基或者取代或未取代的c1-c60杂环基，
l501至l503可以均独立地为取代或未取代的c3-c10亚环烷基、取代或未取代的c1-c10亚杂环烷基、取代或未取代的c3-c10亚环烯基、取代或未取代的c1-c10亚杂环烯基、取代或未取代的c6-c60亚芳基、取代或未取代的c1-c60亚杂芳基、取代或未取代的二价非芳香缩合多环基或者取代或未取代的二价非芳香缩合杂多环基，
xd1至xd3可以均独立地为0、1、2或3，
r501和r502可以均独立地为取代或未取代的c3-c10环烷基、取代或未取代的c1-c10杂环烷基、取代或未取代的c3-c10环烯基、取代或未取代的c1-c10杂环烯基、取代或未取代的c6-c60芳基、取代或未取代的c6-c60芳氧基、取代或未取代的c6-c60芳硫基、取代或未取代的c1-c60杂芳基、取代或未取代的单价非芳香缩合多环基或者取代或未取代的单价非芳香缩合杂多环基，并且
xd4可以为1、2、3、4、5或6。
例如，式501中的ar501可以是其中缩合有三个或更多个单环基团的缩合环(例如，蒽基、
在一个实施例中，式501中的xd4可以为2，但公开的实施例不限于此。
例如，荧光掺杂剂可以包括化合物fd1至化合物fd36、dpvbi和dpavbi中的一种，或者它们的任何组合：
[发射层中的量子点]
发射层可以包括量子点。
如这里所使用的量子点指半导体化合物的晶体，并且可以包括根据晶体的尺寸而发射具有不同长度的发射波长的光的任何材料。因此，用于量子点的材料不受特别限制。量子点的直径不受特别限制，但是可以例如在约1nm至约10nm的范围内。
可以通过湿化学工艺、金属有机化学气相沉积工艺、分子束外延工艺或类似工艺来合成布置在量子点发射层上的量子点。
根据湿化学工艺，将前驱体材料添加到有机溶剂以生长量子点颗粒的晶体。当晶体生长时，有机溶剂用作与量子点晶体的表面自然配位的分散剂，并控制晶体的生长。在这方面，与诸如金属有机化学气相沉积(mocvd)和分子束外延(mbe)的气相沉积工艺相比，湿化学工艺可以容易地执行，并且通过低成本工艺，可以控制量子点颗粒的生长。详细地，量子点可以包括iii-vi族半导体化合物、i-iii-vi族半导体化合物、ii-vi族半导体化合物、iii-v族半导体化合物、iv-vi族半导体化合物、iv族元素或化合物或者它们的任何组合。
例如，iii-vi族半导体化合物可以包括：二元化合物，诸如in2s3；例如，i-iii-vi族半导体化合物可以包括：三元化合物，诸如agins、agins2、cuins、cuins2或它们的任何组合。
例如，ii-vi族半导体化合物可以包括：二元化合物，诸如cdse、cdte、zns、znse、znte、zno、hgs、hgse、hgte、mgse或mgs；三元化合物，诸如cdses、cdsete、cdste、znses、znsete、znste、hgses、hgsete、hgste、cdzns、cdznse、cdznte、cdhgs、cdhgse、cdhgte、hgzns、hgznse、hgznte、mgznse或mgzns；四元化合物，诸如cdznses、cdznsete、cdznste、cdhgses、cdhgsete、cdhgste、hgznses、hgznsete或hgznste；或者它们的任何组合。
例如，iii-v族半导体化合物可以包括：二元化合物，诸如gan、gap、gaas、gasb、aln、alp、alas、alsb、inn、inp、inas或insb；三元化合物，诸如ganp、ganas、gansb、gapas、gapsb、alnp、alnas、alnsb、alpas、alpsb、ingap、innp、innas、innsb、inpas或inpsb；四元化合物，诸如gaalnp、gaalnas、gaalnsb、gaalpas、gaalpsb、gainnp、gainnas、gainnsb、gainpas、gainpsb、inalnp、inalnas、inalnsb、inalpas或inalpsb；或者它们的任何组合。
例如，iv-vi族半导体化合物可以包括：二元化合物，诸如sns、snse、snte、pbs、pbse或pbte；三元化合物，诸如snses、snsete、snste、pbses、pbsete、pbste、snpbs、snpbse或snpbte；四元化合物，诸如snpbsse、snpbsete或snpbste；或者它们的任何组合。
例如，iv族元素或化合物可以包括：单质，诸如si或ge；二元化合物，诸如sic或sige；或者它们的任何组合。
二元化合物、三元化合物或四元化合物中包括的每种元素可以以均匀的浓度存在于颗粒中，或者可以以其中浓度分布局部地不同的状态存在于同一颗粒中。
量子点可以具有其中包括在量子点中的每种元素的浓度均匀的单一结构，或者可以具有核-壳双重结构。例如，包括在核中的材料和包括在壳中的材料可以彼此不同。
量子点的壳可以用作用于通过防止核的化学变性(或化学退化)来保持半导体特性的保护层，并且/或者可以用作用于向量子点赋予电泳特性的荷电层。壳可以是单层或多层。核与壳之间的界面可以具有其中存在于壳中的元素的浓度朝向中心降低的浓度梯度。
量子点的壳的示例可以包括金属或非金属氧化物、半导体化合物或它们的任何组合。例如，金属或非金属氧化物可以包括二元化合物(诸如sio2、al2o3、tio2、zno、mno、mn2o3、mn3o4、cuo、feo、fe2o3、fe3o4、coo、co3o4或nio)或三元化合物(诸如mgal2o4、cofe2o4、nife2o4或comn2o4)，但公开的实施例不限于此。半导体化合物可以包括cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、znses、zntes、gaas、gap、gasb、hgs、hgse、hgte、inas、inp、ingap、insb、alas、alp、alsb等，但公开的实施例不限于此。
量子点的发射波长光谱的半峰全宽(fwhm)可以为约45nm或更小，例如约40nm或更小，例如约30nm或更小。当量子点的发射波长光谱的fwhm在该范围内时，可以提高颜色纯度或颜色再现性。通过这样的量子点发射的光被全方位照射，从而改善了宽视角。
量子点可以具体为球形、金字塔形、多臂形或立方体的纳米颗粒、纳米管、纳米线、纳米纤维或纳米板颗粒，但公开的实施例不限于此。
通过调节量子点的尺寸，还可以调节能带隙，从而在量子点发射层中获得各种波长的光。因此，通过使用不同尺寸的量子点，可以实现发射各种波长的光的发光器件。详细地，可以选择量子点的尺寸以发射红光、绿光和/或蓝光。量子点的尺寸可以被构造为发射其中各种颜色的光被组合的白光。
[中间层150中的电子传输区域]
电子传输区域可以具有：i)单层结构，由单个层组成，所述单个层由单种材料组成，ii)单层结构，由单个层组成，所述单个层由不同材料组成，或者iii)多层结构，包括包含不同材料的多个层。
电子传输区域可以包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层、电子注入层或它们的任何组合，但公开的实施例不限于此。
例如，电子传输区域可以具有电子传输层/电子注入层结构、空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层结构、电子控制层/电子传输层/电子注入层结构或者缓冲层/电子传输层/电子注入层结构，其中，对于每种结构，以该陈述的次序从发射层顺序地堆叠构成层。然而，电子传输区域的结构的实施例不限于此。
电子传输区域(例如，电子传输区域中的缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层或电子传输层)可以包括包含可以容易地接受电子的至少一个贫π电子的含氮环基(π-electrondeficientnitrogen-containingcyclicgroup，或π电子耗尽的含氮环基)的无金属化合物。
“贫π电子的含氮环基”可以是具有至少一个*-n＝*'部分作为成环部分的c1-c60杂环基。
例如，“贫π电子的含氮环基”可以是：i)第一环；ii)其中两个或更多个第一环彼此缩合的缩合环基；或者iii)其中至少一个第一环和至少一个第二环缩合的缩合环基，其中，第一环为包括至少一个*-n＝*'部分作为成环部分的杂单环基(例如，咪唑基、吡啶基、三嗪基等)，第二环为不包括*-n＝*'部分作为成环部分的环基(例如，苯基、二苯并呋喃基、咔唑基等)。
贫π电子的含氮环基的示例为吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、苯并喹啉基、异喹啉基、苯并异喹啉基、喹喔啉基、苯并喹喔啉基、喹唑啉基、苯并喹唑啉基、噌啉基、菲咯啉基、酞嗪基、萘啶基、氮杂咔唑基、氮杂芴基、氮杂二苯并噻咯基、氮杂二苯并噻吩基、氮杂二苯并呋喃基、吡唑基、咪唑基、三唑基、四唑基、噁唑基、异噁唑基、噻唑基、异噻唑基、噁二唑基、噻二唑基、苯并吡唑基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并噻唑基、苯并噁二唑基、苯并噻二唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、咪唑并三嗪基、咪唑并吡嗪基和咪唑并哒嗪基，但公开的实施例不限于此。
例如，电子传输区域可以包括由式601表示且包含至少一个贫π电子的含氮环基的化合物。
<式601>
[ar601]xe11-[(l601)xe1-r601]xe21。
在式601中，
ar601可以为取代或未取代的c5-c60碳环基或者取代或未取代的c1-c60杂环基，
xe11可以为1、2或3，
l601可以为取代或未取代的c3-c10亚环烷基、取代或未取代的c1-c10亚杂环烷基、取代或未取代的c3-c10亚环烯基、取代或未取代的c1-c10亚杂环烯基、取代或未取代的c6-c60亚芳基、取代或未取代的c1-c60亚杂芳基、取代或未取代的二价非芳香缩合多环基或者取代或未取代的二价非芳香缩合杂多环基，
xe1可以为0、1、2、3、4或5，
r601可以为取代或未取代的c3-c10环烷基、取代或未取代的c1-c10杂环烷基、取代或未取代的c3-c10环烯基、取代或未取代的c1-c10杂环烯基、取代或未取代的c6-c60芳基、取代或未取代的c6-c60芳氧基、取代或未取代的c6-c60芳硫基、取代或未取代的c1-c60杂芳基、取代或未取代的单价非芳香缩合多环基、取代或未取代的单价非芳香缩合杂多环基、-si(q601)(q602)(q603)、-c(＝o)(q601)、-s(＝o)2(q601)或者-p(＝o)(q601)(q602)，
q601至q603与结合q1描述的相同，并且
xe21可以为1、2、3、4或5。
例如，式601的ar601、l601和r601中的至少一个可以均独立地包括至少一个贫π电子的含氮环。
在一个或更多个实施例中，当式601中的xe11为2或更大时，两个或更多个ar601可以经由单键彼此连接。
在一个实施例中，式601中的ar601可以为取代或未取代的蒽基。
在一个实施例中，电子传输区域可以包括由式601-1表示的化合物：
<式601-1>
在式601-1中，
x614可以为n或c(r614)，x615可以为n或c(r615)，x616可以为n或c(r616)，并且x614至x616中的至少一个可以为n，
l611至l613可以通过参照结合l601给出的描述来理解，
xe611至xe613可以通过参照结合xe1给出的描述来理解，
r611至r613可以通过参照结合r601给出的描述来理解，并且
r614至r616可以均独立地为氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基或萘基。
例如，式601中的xe1和式601-1中的xe611至xe613可以均独立地为0、1或2。
电子传输区域可以包括化合物et1至化合物et36、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(bcp)、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(bphen)、alq3、balq、taz和ntaz中的一种，或者它们的任何组合，但公开的实施例不限于此：
缓冲层、空穴阻挡层和电子控制层的厚度可以均独立地在约
电子传输层的厚度可以在约
除了上述材料之外，电子传输区域(例如，电子传输区域中的电子传输层)还可以包括含金属材料。
含金属材料可以包括碱金属配合物、碱土金属配合物或它们的任何组合。碱金属配合物的金属离子可以为li离子、na离子、k离子、rb离子或cs离子，碱土金属配合物的金属离子可以为be离子、mg离子、ca离子、sr离子或ba离子。与碱金属配合物或碱土金属配合物的金属离子配位的配体可以为羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟基苯基噁唑、羟基苯基噻唑、羟基苯基噁二唑、羟基苯基噻二唑、羟基苯基吡啶、羟基苯基苯并咪唑、羟基苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉、环戊二烯或它们的任何组合，但公开的实施例不限于此。
例如，含金属材料可以包括li配合物。li配合物可以包括例如化合物et-d1(liq)或化合物et-d2：
电子传输区域可以包括促进电子从第二电极190注入的电子注入层。电子注入层可以与第二电极190直接接触。
电子注入层可以具有：i)单层结构，由单个层组成，所述单个层由单种材料组成；ii)单层结构，由单个层组成，所述单个层由不同材料组成；或者iii)多层结构，包括包含不同材料的多个层。
电子注入层可以包括碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属化合物、含碱土金属化合物、含稀土金属化合物、碱金属配合物、碱土金属配合物、稀土金属配合物或它们的任何组合。
碱金属可以包括li、na、k、rb、cs或它们的任何组合。碱土金属可以包括mg、ca、sr、ba或它们的任何组合。稀土金属可以包括sc、y、ce、tb、yb、gd或它们的任何组合。
含碱金属化合物、含碱土金属化合物和含稀土金属化合物可以为碱金属、碱土金属和稀土金属的氧化物和卤化物(例如，氟化物、氯化物、溴化物或碘化物)或者它们的任何组合。
含碱金属化合物可以为碱金属氧化物(诸如，li2o、cs2o或k2o)、碱金属卤化物(诸如，lif、naf、csf、kf、lii、nai、csi或ki)或它们的任何组合。含碱土金属化合物可以包括碱土金属氧化物(诸如，bao、sro、cao、baxsr1-xo(0<x<1)或baxca1-xo(0<x<1))。含稀土金属化合物可以包括ybf3、scf3、sc2o3、y2o3、ce2o3、gdf3、tbf3、ybi3、sci3、tbi3或它们的任何组合。
碱金属配合物、碱土金属配合物和稀土金属配合物可以包括：i)碱金属、碱土金属和稀土金属的离子中的一种；以及ii)连接到金属离子的配体(例如，羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟基苯基噁唑、羟基苯基噻唑、羟基苯基噁二唑、羟基苯基噻二唑、羟基苯基吡啶、羟基苯基苯并咪唑、羟基苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉、环戊二烯或它们的任何组合)，但公开的实施例不限于此。
电子注入层可以由碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属化合物、含碱土金属化合物、含稀土金属化合物、碱金属配合物、碱土金属配合物、稀土金属配合物或它们的任何组合组成(或者可以包括碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属化合物、含碱土金属化合物、含稀土金属化合物、碱金属配合物、碱土金属配合物、稀土金属配合物或它们的任何组合)，或者还可以包括有机材料(例如，由式601表示的化合物)。当电子注入层还包括有机材料时，碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属化合物、含碱土金属化合物、含稀土金属化合物、碱金属配合物、碱土金属配合物、稀土金属配合物或它们的任何组合可以均匀地或非均匀地分散在包括有机材料的基质中。
电子注入层的厚度可以在约
[第二电极190]
第二电极190可以位于具有这样的结构的中间层150上。第二电极190可以是作为电子注入电极的阴极，并且可以使用均具有低逸出功的金属、合金、导电化合物或它们的任何组合作为第二电极190的材料。
第二电极190可以包括锂(li)、银(ag)、镁(mg)、铝(al)、铝-锂(al-li)、钙(ca)、镁-铟(mg-in)、镁-银(mg-ag)、ito、izo或它们的任何组合，但公开的实施例不限于此。第二电极190可以为透射电极、半透射电极或反射电极。
第二电极190可以具有单层结构或者包括两个或更多个层的多层结构。
[盖层]
第一盖层可以位于第一电极110外部，并且/或者第二盖层可以位于第二电极190外部。详细地，发光器件10可以具有以下结构：其中第一盖层、第一电极110、中间层150和第二电极190以该陈述的次序顺序堆叠的结构、其中第一电极110、中间层150、第二电极190、第二盖层以该陈述的次序顺序堆叠的结构或者其中第一盖层、第一电极110、中间层150、第二电极190和第二盖层以该陈述的次序顺序堆叠的结构。
发光器件10的中间层150的发射层中产生的光可以通过第一电极110和第一盖层被提取到外部(其中，每个第一电极110可以为半透射电极或透射电极)，或者发光器件10的中间层150的发射层中产生的光可以通过第二电极190和第二盖层被提取到外部(其中，每个第二电极190可以为半透射电极或透射电极)。
第一盖层和第二盖层可以根据相长干涉原理而提高外部发光效率。
第一盖层和第二盖层可以均独立地为包括有机材料的有机盖层、包括无机材料的无机盖层或者包括有机材料和无机材料的复合盖层。
第一盖层和第二盖层中的至少一个可以均独立地包括碳环化合物、杂环化合物、含胺基(氨基)化合物、卟啉衍生物、酞菁衍生物、萘酞菁衍生物、碱金属配合物、碱土金属配合物或它们的组合。碳环化合物、杂环化合物和含胺基(氨基)化合物可以可选地取代有取代基，所述取代基包含o、n、s、se、si、f、cl、br、i或它们的任何组合。在一个实施例中，第一盖层和第二盖层中的至少一个可以均独立地包括含胺基(氨基)化合物。
例如，第一盖层和第二盖层中的至少一个可以均独立地包括由式201表示的化合物、由式202表示的化合物或它们的任何组合。
在一个或更多个实施例中，第一盖层和第二盖层中的至少一个可以均独立地包括选自于化合物ht28至化合物ht33和化合物cp1至化合物cp5中的至少一种化合物，但公开的实施例不限于此：
[设备]
发光器件可以被包括在各种设备中。例如，可以提供包括发光器件的发光设备、认证设备或电子设备。
除了发光器件之外，发光设备还可以包括滤色器。滤色器可以定位在从发光器件发射的光的至少一个行进方向上。例如，从发光器件发射的光可以是蓝光，但公开的实施例不限于此。发光器件与上面描述的相同。
发光设备可以包括第一基底。第一基底可以包括子像素区域，并且滤色器可以包括分别与子像素区域对应的滤色器区域。
像素限定膜可以形成在子像素区域之间以限定每个子像素区域。
滤色器还可以包括位于滤色器区域之间的阻光图案。
滤色器区域可以包括发射第一颜色光的第一滤色器区域、发射第二颜色光的第二滤色器区域和/或发射第三颜色光的第三滤色器区域，并且第一颜色光、第二颜色光和/或第三颜色光可以具有彼此不同的最大发射波长。例如，第一颜色光可以是红光，第二颜色光可以是绿光，并且第三颜色光可以是蓝光，但公开的实施例不限于此。例如，滤色器区域可以均包括量子点，但公开的实施例不限于此。详细地，第一滤色器区域可以包括红色量子点，第二滤色器区域可以包括绿色量子点，并且第三滤色器区域可以不包括量子点。量子点与以上描述的相同。第一滤色器区域、第二滤色器区域和/或第三滤色器区域可以均包括分散体，但公开的实施例不限于此。
在一个实施例中，发光器件可以发射第一光，第一滤色器区域可以吸收第一光以发射第一第一颜色光，第二滤色器区域可以吸收第一光以发射第二第一颜色光，第三滤色器区域可以吸收第一光以发射第三第一颜色光。在这方面，第一第一颜色光、第二第一颜色光和第三第一颜色光可以具有彼此不同的最大发射波长。详细地，第一光可以是蓝光，第一第一颜色光可以是红光，第二第一颜色光可以是绿光，第三第一颜色光可以是蓝光，但公开的实施例不限于此。
除了如上所述的发光器件之外，发光设备还可以包括薄膜晶体管。薄膜晶体管可以包括源电极、漏电极和有源层，其中，源电极和漏电极中的任何一个可以电连接到发光器件的第一电极和第二电极中的任何一个。
薄膜晶体管还可以包括栅电极、栅极绝缘层等。
有源层可以包括晶体硅、非晶硅、有机半导体、氧化物半导体等，但公开的实施例不限于此。
发光设备还可以包括用于密封发光器件的密封部。密封部可以位于滤色器与发光器件之间。密封部允许来自发光器件的光被提取到外部，同时并发地(例如，同时地)防止外部空气和湿气渗透到发光器件中。密封部可以是包括透明玻璃或塑料基底的密封基底。密封部可以是包括有机层和/或无机层的薄膜封装层。当密封部是薄膜封装层时，发光设备可以是柔性的。
发光设备可以用作各种显示器、光源等。
认证设备可以是例如用于通过利用生物识别体(例如，指尖、瞳孔等)的生物识别信息来认证个体的生物识别认证设备。
除了发光器件之外，认证设备还可以包括生物识别信息采集器。
电子设备可以应用于个人计算机(例如，移动个人计算机)、移动电话、数码相机、电子记事本、电子词典、电子游戏机、医疗仪器(例如，电子温度计、血压仪、血糖仪、脉搏测量装置、脉搏波测量装置、心电图(ecg)显示器、超声诊断装置或内窥镜显示器)、鱼探测器、各种测量仪器、仪表(例如，用于车辆、飞机和船舶的仪表)、投影仪等，但公开的实施例不限于此。
[制造方法]
可以通过使用从真空沉积、旋涂、浇铸、朗格缪尔-布洛杰特(lb)沉积、喷墨印刷、激光印刷和激光诱导热成像中选择的一种或更多种合适的方法在特定区域中形成构成空穴传输区域的层、发射层和构成电子传输区域的层。
当通过真空沉积来形成构成空穴传输区域的层、发射层和构成电子传输区域的层时，通过考虑到将包括在待形成的层中的材料和待形成的层的结构，可以在约100℃至约500℃的沉积温度、约10-8托至约10-3托的真空度和约
当通过旋涂来形成构成空穴传输区域的层、发射层和构成电子传输区域的层时，通过考虑到将包括在待形成的层中的材料和待形成的层的结构，可以在约2,000rpm至约5,000rpm的涂覆速度下并在约80℃至约200℃的热处理温度下执行旋涂。
[取代基的定义]
如在此使用的术语“c1-c60烷基”指具有1个至60个碳原子的直链或支链的脂肪族饱和烃单价基团，其示例为甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、异丁基、叔丁基、正戊基、叔戊基、新戊基、异戊基、仲戊基、正己基、异己基、仲己基、叔己基、正庚基、异庚基、仲庚基、叔庚基、正辛基、异辛基、仲辛基、叔辛基、正壬基、异壬基、仲壬基、叔壬基、正癸基、异癸基、仲癸基和叔癸基。如在此使用的术语“c1-c60亚烷基”指具有与c1-c60烷基相同结构的二价基团。
如在此使用的术语“c2-c60烯基”指在c2-c60烷基的中间或端部处具有至少一个碳-碳双键的单价烃基，其示例包括乙烯基、丙烯基和丁烯基。如在此使用的术语“c2-c60亚烯基”指具有与c2-c60烯基相同结构的二价基团。
如在此使用的术语“c2-c60炔基”指在c2-c60烷基的中间或端部处具有至少一个碳-碳三键的单价烃基，其示例包括乙炔基和丙炔基。如在此使用的术语“c2-c60亚炔基”指具有与c2-c60炔基相同结构的二价基团。
如在此使用的术语“c1-c60烷氧基”指由-oa101(其中，a101为c1-c60烷基)表示的单价基团，其示例包括甲氧基、乙氧基和异丙氧基。
如在此使用的术语“c3-c10环烷基”指具有3个至10个碳原子的单价饱和烃环基，其示例为环丙基、环丁基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基、金刚烷基、降冰片烷基、双环[1.1.1]戊基、双环[2.1.1]己基、双环[2.2.1]庚基和双环[2.2.2]辛基。如在此使用的术语“c3-c10亚环烷基”指具有与c3-c10环烷基相同结构的二价基团。
如在此使用的术语“c1-c10杂环烷基”指包含杂原子(例如，n、o、si、p、s或它们的任何组合)作为成环原子的具有1个至10个碳原子的单价饱和环基，其示例为1,2,3,4-噁三唑烷基、四氢呋喃基和四氢噻吩基。如在此使用的术语“c1-c10亚杂环烷基”指具有与c1-c10杂环烷基相同结构的二价基团。
如在此使用的术语“c3-c10环烯基”指在其环中具有3个至10个碳原子和至少一个碳-碳双键并且不具有芳香性的单价烃环基，其非限制性示例包括环戊烯基、环己烯基和环庚烯基。如在此使用的术语“c3-c10亚环烯基”指具有与c3-c10环烯基相同结构的二价基团。
如在此使用的术语“c1-c10杂环烯基”指包含杂原子(例如，n、o、si、p、s或它们的任何组合)作为成环原子的具有1个至10个碳原子的单价环基，其中，该环具有至少一个双键。c1-c10杂环烯基的示例包括4,5-二氢-1,2,3,4-噁三唑基、2,3-二氢呋喃基和2,3-二氢噻吩基。如在此使用的术语“c1-c10亚杂环烯基”指具有与c1-c10杂环烯基相同结构的二价基团。
如在此使用的术语“c6-c60芳基”指具有包括6个至60个碳原子的碳环芳香体系的单价基团，并且如在此使用的术语“c6-c60亚芳基”指具有包括6个至60个碳原子的碳环芳香体系的二价基团。c6-c60芳基的示例为苯基、并环戊二烯基、萘基、甘菊环基、引达省基、苊基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、
如在此使用的术语“c1-c60杂芳基”指单价杂环芳香体系基团，该单价杂环芳香体系具有杂原子(例如，n、o、si、p、s或它们的任何组合)作为成环原子以及1个至60个碳原子，如在此使用的术语“c1-c60亚杂芳基”指二价杂环芳香体系基团，该二价杂环芳香体系具有杂原子(例如，n、o、si、p、s或它们的任何组合)作为成环原子以及1个至60个碳原子。c1-c60杂芳基的示例为吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、苯并喹啉基、异喹啉基、苯并异喹啉基、喹喔啉基、苯并喹喔啉基、喹唑啉基、苯并喹唑啉基、噌啉基、菲咯啉基、酞嗪基和萘啶基。当c1-c60杂芳基和c1-c60亚杂芳基均包括两个或更多个环时，所述两个或更多个环可以彼此缩合。
如在此使用的术语“c6-c60芳氧基”指-oa102(其中，a102为c6-c60芳基)，如在此使用的术语“c6-c60芳硫基”指-sa103(其中，a103为c6-c60芳基)。
如在此使用的术语“单价非芳香缩合多环基”指具有彼此缩合的两个或更多个环、仅碳原子(例如，具有8个至60个碳原子)作为成环原子且在其整个分子结构中不具有芳香性的单价基团。单价非芳香缩合多环基的示例为茚基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、茚并菲基和茚并蒽基。如在此使用的术语“二价非芳香缩合多环基”指具有与单价非芳香缩合多环基相同结构的二价基团。
如在此使用的术语“单价非芳香缩合杂多环基”指其中两个或更多个环彼此缩合、包括除了碳之外的杂原子(例如，n、o、si、p和s或它们的任何组合)作为成环原子且在其整个分子结构中不具有芳香性的单价基团。单价非芳香缩合杂多环基的示例为吡咯基、噻吩基、呋喃基、吲哚基、苯并吲哚基、萘并吲哚基、异吲哚基、苯并异吲哚基、萘并异吲哚基、苯并噻咯基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、咔唑基、二苯并噻咯基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、氮杂咔唑基、氮杂芴基、氮杂二苯并噻咯基、氮杂二苯并噻吩基、氮杂二苯并呋喃基、吡唑基、咪唑基、三唑基、四唑基、噁唑基、异噁唑基、噻唑基、异噻唑基、噁二唑基、噻二唑基、苯并吡唑基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并噻唑基、苯并噁二唑基、苯并噻二唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、咪唑并三嗪基、咪唑并吡嗪基、咪唑并哒嗪基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基、苯并呋喃并咔唑基、苯并噻吩并咔唑基、苯并噻咯并咔唑基、苯并吲哚并咔唑基、苯并咔唑基、苯并萘并呋喃基、苯并萘并噻吩基、苯并萘并噻咯基、苯并呋喃并二苯并呋喃基、苯并呋喃并二苯并噻吩基和苯并噻吩并二苯并噻吩基。如在此使用的术语“二价非芳香缩合杂多环基”指具有与单价非芳香缩合杂多环基相同结构的二价基团。
如在此使用的术语“c5-c60碳环基”指仅包括碳作为成环原子并且由5个至60个碳原子组成的单环基或多环基。c5-c60碳环基可以是芳香碳环基或非芳香碳环基。c5-c60碳环基可以是化合物(诸如，苯)、单价基团(诸如，苯基)或二价基团(诸如，亚苯基)。在一个或更多个实施例中，根据连接到c5-c60碳环基的取代基的数量，c5-c60碳环基可以是三价基团或四价基团。如在此使用的术语“c3-c60碳环基”具有与c5-c60碳环基的定义相同的定义。
c5-c60碳环基的示例为环戊二烯基、苯基、并环戊二烯基、萘基、甘菊环基、引达省基、苊基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、
如在此使用的术语“c1-c60杂环基”指包括1个至60个碳原子以及除碳(碳数可以为1至60)之外的杂原子(例如，n、o、si、p、s或它们的任何组合)作为成环原子的单环基或多环基。c1-c60杂环基可以是芳香杂环基或非芳香杂环基。c1-c60杂环基可以是化合物(诸如吡啶)、单价基团(诸如吡啶基)或二价基团(诸如亚吡啶基)。在一个或更多个实施例中，根据连接到c1-c60杂环基的取代基的数量，c1-c60杂环基可以是三价基团或四价基团。
c1-c60杂环基的示例为吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、苯并喹啉基、异喹啉基、苯并异喹啉基、喹喔啉基、苯并喹喔啉基、喹唑啉基、苯并喹唑啉基、噌啉基、菲咯啉基、酞嗪基、萘啶基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、吲哚基、苯并吲哚基、萘并吲哚基、异吲哚基、苯并异吲哚基、萘并异吲哚基、苯并噻咯基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、咔唑基、二苯并噻咯基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、氮杂咔唑基、氮杂芴基、氮杂二苯并噻咯基、氮杂二苯并噻吩基、氮杂二苯并呋喃基、吡唑基、咪唑基、三唑基、四唑基、噁唑基、异噁唑基、噻唑基、异噻唑基、噁二唑基、噻二唑基、苯并吡唑基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并噻唑基、苯并噁二唑基、苯并噻二唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、咪唑并三嗪基、咪唑并吡嗪基、咪唑并哒嗪基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基、苯并呋喃并咔唑基、苯并噻吩并咔唑基、苯并噻咯并咔唑基、苯并吲哚并咔唑基、苯并咔唑基、苯并萘并呋喃基、苯并萘并噻吩基、苯并萘并噻咯基、苯并呋喃并二苯并呋喃基、苯并呋喃并二苯并噻吩基和苯并噻吩并二苯并噻吩基。
取代的c5-c60碳环基、取代的c1-c60杂环基、取代的c1-c60亚烷基、取代的c2-c60亚烯基、取代的c3-c10亚环烷基、取代的c1-c10亚杂环烷基、取代的c3-c10亚环烯基、取代的c1-c10亚杂环烯基、取代的c6-c60亚芳基、取代的c1-c60亚杂芳基、取代的二价非芳香缩合多环基、取代的二价非芳香缩合杂多环基、取代的c1-c60烷基、取代的c2-c60烯基、取代的c2-c60炔基、取代的c1-c60烷氧基、取代的c3-c10环烷基、取代的c1-c10杂环烷基、取代的c3-c10环烯基、取代的c1-c10杂环烯基、取代的c6-c60芳基、取代的c6-c60芳氧基、取代的c6-c60芳硫基、取代的c1-c60杂芳基、取代的单价非芳香缩合多环基和取代的单价非芳香缩合杂多环基中的取代基可以为：
氘(-d)、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基或硝基；
均未取代的或者取代有氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、c3-c10环烷基、c1-c10杂环烷基、c3-c10环烯基、c1-c10杂环烯基、c6-c60芳基、c6-c60芳氧基、c6-c60芳硫基、c1-c60杂芳基、单价非芳香缩合多环基、单价非芳香缩合杂多环基、-si(q11)(q12)(q13)、-n(q11)(q12)、-b(q11)(q12)、-c(＝o)(q11)、-s(＝o)2(q11)和-p(＝o)(q11)(q12)中的至少一者的c1-c60烷基、c2-c60烯基、c2-c60炔基或c1-c60烷氧基；
均未取代的或者取代有氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、c1-c60烷基、c2-c60烯基、c2-c60炔基、c1-c60烷氧基、c3-c10环烷基、c1-c10杂环烷基、c3-c10环烯基、c1-c10杂环烯基、c6-c60芳基、c6-c60芳氧基、c6-c60芳硫基、c1-c60杂芳基、单价非芳香缩合多环基、单价非芳香缩合杂多环基、-si(q21)(q22)(q23)、-n(q21)(q22)、-b(q21)(q22)、-c(＝o)(q21)、-s(＝o)2(q21)和-p(＝o)(q21)(q22)中的至少一者的c3-c10环烷基、c1-c10杂环烷基、c3-c10环烯基、c1-c10杂环烯基、c6-c60芳基、c6-c60芳氧基、c6-c60芳硫基、c1-c60杂芳基、单价非芳香缩合多环基或单价非芳香缩合杂多环基；
-si(q31)(q32)(q33)、-n(q31)(q32)、-b(q31)(q32)、-c(＝o)(q31)、-s(＝o)2(q31)或-p(＝o)(q31)(q32)；或者
它们的任何组合。
这里使用的q11至q13、q21至q23以及q31至q33可以均独立地为氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、c1-c60烷基、c2-c60烯基、c2-c60炔基、c1-c60烷氧基、c3-c10环烷基、c1-c10杂环烷基、c3-c10环烯基、c1-c10杂环烯基、c6-c60芳基、c1-c60杂芳基、单价非芳香缩合多环基、单价非芳香缩合杂多环基、联苯基或三联苯基。
如在此使用的术语“ph”指苯基，如在此使用的术语“me”指甲基，如在此使用的术语“et”指乙基，如在此使用的术语“tert-bu”或“but”指叔丁基，如在此使用的术语“ome”指甲氧基。
如在此使用的术语“联苯基”指“取代有苯基的苯基”。换言之，“联苯基”为具有c6-c60芳基作为取代基的取代的苯基。
如在此使用的术语“三联苯基”指“取代有联苯基的苯基”。换言之，“三联苯基”为具有取代有c6-c60芳基的c6-c60芳基作为取代基的取代的苯基。
除非另外定义，否则在此使用的*、*'和*”均指与对应式中的相邻原子的结合位。
在下文中，将参照合成示例和示例详细地描述根据实施例的化合物和根据实施例的发光器件。在描述合成示例中使用的表述“使用b代替a”指使用相同摩尔当量的b代替a。
[示例]
聚合物的制备
化合物1的制备
在氮气气氛下，将中间体a(2.4g，4mmol)、中间体b(1.4g，4mmol)、三(二亚苄基丙酮)二钯(0)(183mg，0.05eq)、1,1'-双(二苯基膦)二茂铁(55.4mg，0.1当量)和叔丁醇钠(1.2g，12mmol)加入到甲苯(80ml)中，并在80℃下回流24小时。反应完成后，将甲醇倒入到反应混合物中以执行过滤，从而获得聚合物。
将获得的聚合物再次溶于甲苯(20ml)中，并向其中添加溴苯(0.16g，1mmol)、三(二亚苄基丙酮)二钯(0)(46mg，0.05eq)、1,1'-双(二苯基膦)二茂铁(14mg，0.1当量)和叔丁醇钠(0.4g，4mmol)，并在80℃下回流4小时，向其中添加n,n-二苯胺(0.17g，1mmol)，并再次在80℃下回流4小时。反应完成后，将甲醇倒入到其中用于进行过滤以获得具有端基封端的聚合物。
通过柱色谱法获得纯化的聚合物。(0.55g)
重均分子量(mw)＝150,000
化合物2的制备
除了使用中间体c代替中间体a之外，以与用于合成化合物1的方式相同的方式获得化合物2。(0.5g)
重均分子量(mw)＝150,000
化合物17的制备
除了使用中间体c代替中间体a，并且使用中间体d代替中间体b之外，以与用于合成化合物1的方式相同的方式获得化合物17。(0.3g)
重均分子量(mw)＝100,000
化合物18的制备
除了使用中间体e代替中间体a，并且使用中间体d代替中间体b之外，以与用于合成化合物1的方式相同的方式获得化合物18。(0.33g)
重均分子量(mw)＝100,000
墨的制备
1、墨1的制备
以8:2的重量比混合具有150,000的分子量的聚合物1和低分子材料化合物a1，并使用苯甲醚作为溶剂，从而完成墨1的制备。
2、墨2的制备
除了使用具有150,000的分子量的化合物2代替具有150,000的分子量的化合物1之外，以与用于制备墨1的方式相同的方式制备墨2。
3、墨3的制备
除了使用具有100,000的分子量的化合物17代替具有150,000的分子量的化合物1，并且使用低分子材料化合物a2代替低分子材料化合物a1之外，以与用于制备墨1的方式相同的方式制备墨3。
4、墨4的制备
除了使用具有100,000的分子量的化合物18代替具有150,000的分子量的化合物1，并且使用低分子材料化合物a2代替低分子材料化合物a1之外，以与用于制备墨1的方式相同的方式制备墨4。
5、墨5的制备
除了使用芳胺类化合物em-1代替低分子材料化合物a1之外，以与用于制备墨1的方式相同的方式制备墨5。
6、墨6的制备
除了使用具有12,000的分子量的化合物1代替具有150,000的分子量的化合物1之外，以与用于制备墨1的方式相同的方式制备墨6。
7、墨7的制备
除了使用具有50,000的分子量的化合物50代替具有150,000的分子量的化合物1，使用化合物hl-1代替低分子材料化合物a1之外，以与用于制备墨1的方式相同的方式制备墨7。
<化合物a1>
<化合物a2>
<化合物em-1>
<化合物50>
<化合物hl-1>
有机膜的耐溶剂性的测量
各自使用墨1至墨7来制造具有
将50ul的苯甲酸甲酯滴在每个薄膜的顶部上，并将每个薄膜静置30分钟，并且使用擦拭器使溶剂吸收到其中。将每个薄膜在100℃下静置1分钟，然后测量其uv测量面积(测量值2)。
剩余膜比通过以下公式计算。
剩余膜比＝(溶剂静置30分钟后的uv测量面积)/(溶剂处理前的uv测量面积)＝测量值2/测量值1
当耐溶剂性高时，测量值2与测量值1之间的差异小或几乎不存在，当耐溶剂性低时，因为溶剂溶解有机层的化合物，然后有机层损失，因此测量值2变得低于测量值1。因此，高的剩余膜比表示耐溶剂性高。
剩余膜比的值示于表1中。
[表1]
如表1中所描述的，使用根据实施例的包括具有50,000或更大的分子量的由式1表示的化合物以及具有10,000或更小的分子量的非芳胺类化合物的组合物形成的有机层具有高的耐溶剂性。
发光器件的制造
示例1
作为阳极，将来自康宁公司的15ω/cm2
<et1>
示例2至示例4以及对比示例1至对比示例3
除了使用表1中描述的墨2至墨7来形成空穴传输层之外，以与示例1的方式相同的方式制造发光器件。
通过使用亮度计pr650在700nit下测量根据示例1至示例4以及对比示例1至对比示例3制造的每个发光器件的发射效率，其结果示于表2中。
[表2]
参照表2，与根据对比示例1至对比示例3制造的发光器件(在此，根据对比示例1至对比示例3制造的发光器件无法操作)相比，根据示例1至示例4制造的发光器件显示出优异的结果。
由于中间层在溶液工艺中具有强的耐溶剂性，因此当使用组合物时，可以容易地应用溶液工艺，因此可以容易地制造具有高分辨率像素的发光器件。
应该理解的是，这里描述的实施例应仅以描述性含义来考虑，而不是出于限制的目的。每个实施例内的特征或方面的描述应通常被认为可用于其他实施例中的其他相似特征或方面。尽管已经参照附图描述了一个或更多个实施例，但是本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离由权利要求限定的精神和范围的情况下，可以在其中做出形式和细节上的各种改变。
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