杂环化合物和包含其的有机发光器件的制作方法

1.本说明书涉及杂环化合物和包含其的有机发光器件。
2.本申请要求于2019年3月8日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10
‑
2019
‑
0026874号的优先权和权益，其全部内容通过引用并入本文。


背景技术：

3.通常，有机发光现象是指其中通过使用有机材料将电能转换为光能的现象。利用有机发光现象的有机发光器件通常具有包括正电极、负电极和介于其间的有机材料层的结构。在此，在许多情况下，为了提高有机发光器件的效率和稳定性，有机材料层可以具有由不同材料构成的多层结构，并且可以由例如空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层等组成。在有机发光器件的这样的结构中，如果在两个电极之间施加电压，则空穴从正电极注入至有机材料层中并且电子从负电极注入至有机材料层中，当注入的空穴和电子彼此相遇时，形成激子，并且当激子再次落至基态时发光。
4.可以使用主体/掺杂剂体系作为发光材料以通过能量转移提高色纯度和发光效率。原理是当发光层中的主体混合有少量具有比主要构成发光层的主体更小的能带隙和更好的发光效率的掺杂剂时，由主体产生的激子传输至掺杂剂而以高效率发光。在这种情况下，由于主体的波长移动至掺杂剂的波长范围，因此可以根据所使用的掺杂剂的类型获得具有期望波长的光。
5.在发射一般荧光的主体和掺杂剂体系中，主体的单线态能量通过foster能量转移以光能的形式转移至掺杂剂。接收能量的掺杂剂的激发单线态能量在变为处于基态的单线态能量的同时发射荧光。相反，在具有小的三线态能量
‑
单线态能量值(
△
e
st
)的化合物的情况下，该化合物的三线态能量可以通过反向系间窜跃(在下文中，称为“risc”)部分地收获为单线态能量。当将该化合物应用于有机发光器件时，器件的效率增加。
6.通常，处于单线态的激子从激发态迅速落至基态，同时发光，但是处于三线态的激子的激发态寿命可以比处于单线态的激子的激发态寿命变得更长，因此激子可以通过risc恢复，但也可以以非发射形式湮灭。
7.[现有技术文献]国际公开第2017
‑
018326号


技术实现要素：

[0008]
技术问题
[0009]
本说明书致力于提供杂环化合物和包含其的有机发光器件。
[0010]
技术方案
[0011]
本说明书提供了由下式1表示的化合物。
[0012]
[式1]
[0013][0014]
在式1中，
[0015]
l1至l5彼此相同或不同，并且各自独立地为经取代或未经取代的亚烷基，
[0016]
ar1至ar5彼此相同或不同，并且各自独立地为经取代或未经取代的芳基；或者经取代或未经取代的杂芳基，
[0017]
r1至r5彼此相同或不同，并且各自独立地为氢；氘；卤素基团；腈基；经取代或未经取代的烷基；经取代或未经取代的环烷基；经取代或未经取代的甲硅烷基；经取代或未经取代的芳基胺基；经取代或未经取代的芳基杂芳基胺基；经取代或未经取代的芳基；或者经取代或未经取代的杂芳基，
[0018]
r1、r2、n1和n2彼此相同或不同，并且各自独立地为0至4的整数，
[0019]
r4为0至3的整数，
[0020]
n4为0，
[0021]
r3、r5、n3和n5彼此相同或不同，并且各自独立地为0至5的整数，
[0022]
m为0或1，并且当m为0时，l5与n直接连接，
[0023]
n1+n2+n3+n4+n5的值为1至21的整数，
[0024]
r1+n1的值为0至4的整数，r2+n2的值为0至4的整数，r3+n3的值为0至5的整数，r4+n4的值为0至3的整数，以及r5+n5的值为0至5的整数，以及
[0025]
当r1至r5、n1至n3和n5为2或更大时，括号中的取代基彼此相同或不同。
[0026]
此外，本说明书提供了有机发光器件，所述有机发光器件包括：第一电极；设置成面向第一电极的第二电极；和设置在第一电极与第二电极之间的具有一个或更多个层的有机材料层，其中有机材料层中的一个或更多个层包含由式1表示的化合物。
[0027]
有益效果
[0028]
根据本说明书的一个示例性实施方案的化合物可以用于有机发光器件以降低有机发光器件的驱动电压并提高光效率。此外，可以通过化合物的热稳定性来改善器件的使用寿命特性。
附图说明
[0029]
图1至3示出了根据本说明书的一个示例性实施方案的有机发光器件的实例。
[0030]
图4和5示出了包含比较化合物bd
‑
y1和bd
‑
y2的体系。
[0031]
图6示出了包含根据本说明书的一个示例性实施方案的化合物bd
‑
x1的体系。
[0032]
图7和8示出了根据本说明书的一个示例性实施方案的化合物3和28的分子取向结果。
[0033]
图9示出了比较化合物bd
‑
e的分子取向结果。
[0034]
[附图标记说明]
[0035]
101：基底
[0036]
102：正电极
[0037]
103：发光层
[0038]
104：负电极
[0039]
105：空穴注入层
[0040]
106：空穴传输层
[0041]
106a：第一空穴传输层
[0042]
106b：第二空穴传输层
[0043]
107：同时注入和传输电子的层
具体实施方式
[0044]
在下文中，将更详细地描述本说明书。
[0045]
由于由式1表示的化合物在含有硼的多环杂环中包含经芳基取代的亚烷基(芳基烷基)，因此通过使分子间的堆叠最小化来防止分子的聚集，使得当将由式1表示的化合物应用于有机发光器件时，可以预期高效率。
[0046]
具体地，通过将空间上大的取代基引入至远离电影响核的末端取代基，分子在结构上变得庞大并且相邻分子之间的距离增加。当分子之间的距离短且分子轨道重叠的数量大时，更多地发生dexter能量转移，通过为了仅影响空间效应而将大的取代基引入至末端基团中并增加分子之间的距离来抑制分子(掺杂剂
‑
掺杂剂和掺杂剂
‑
主体)之间的相互作用。相互作用的抑制通过阻碍主体和掺杂剂的三线态之间的dexter能量转移来防止激子的湮灭，并且使主体能够通过foster能量转移转移至掺杂剂。
[0047]
在式1中，在以下核中，经芳基取代的亚烷基(芳基烷基)与由虚线圆表示的苯环中的一个或更多个连接(即，式1的n1+n2+n3+n5的值为1或更大)，以及位于n与n之间的苯环不具有经芳基取代的亚烷基(芳基烷基)(式1的n4＝0)。在这种情况下，分子取向增加，使得当将式1的化合物应用于器件时效率增加。
[0048][0049]
下面将描述本说明书中的取代基的实例，但不限于此。
[0050]
术语“取代”意指与化合物的碳原子键合的氢原子变成另外的取代基，并且待取代的位置没有限制，只要该位置为氢原子被取代的位置(即，取代基可以取代的位置)即可，并且当两个或更多个被取代时，两个或更多个取代基可以彼此相同或不同。
[0051]
在本说明书中，术语“经取代或未经取代的”意指经选自以下中的一个或两个或更多个取代基取代：氘；卤素基团；腈基；烷基；环烷基；胺基；甲硅烷基；芳基；和包含n、o和s原
子中的一者或更多者的杂芳基，经以上例示的取代基中的两个或更多个取代基相连接的取代基取代，或者没有取代基。
[0052]
在本说明书中，两个或更多个取代基相连接的事实表示任一取代基的氢与另一取代基相连接。例如，异丙基和苯基可以彼此连接以成为取代基
[0053]
在本说明书中，三个取代基彼此连接的情况不仅包括(取代基1)
‑
(取代基2)
‑
(取代基3)彼此相继连接的情况，而且还包括(取代基2)和(取代基3)与(取代基1)相连接的情况。例如，两个苯基和异丙基可以彼此连接以成为取代基这同样也适用于四个或更多个取代基彼此连接的情况。
[0054]
在本说明书中，意指待连接的部分。
[0055]
在本说明书中，卤素基团的实例包括氟、氯、溴或碘。
[0056]
在本说明书中，烷基可以为直链或支化的，并且其碳原子数没有特别限制，但优选为1至30；1至20；1至10；或1至5。其具体实例包括甲基、乙基、丙基、正丙基、异丙基、丁基、正丁基、异丁基、叔丁基、仲丁基、1
‑
甲基丁基、1
‑
乙基丁基、戊基、正戊基、异戊基、新戊基、叔戊基、己基、正己基、1
‑
甲基戊基、2
‑
甲基戊基、3,3
‑
二甲基丁基、2
‑
乙基丁基、庚基、正庚基、1
‑
甲基己基、环戊基甲基、环己基甲基、辛基、正辛基、叔辛基、1
‑
甲基庚基、2
‑
乙基己基、2
‑
丙基戊基、正壬基、2,2
‑
二甲基庚基、1
‑
乙基丙基、1,1
‑
二甲基丙基、异己基、4
‑
甲基己基、5
‑
甲基己基等，但不限于此。
[0057]
在本说明书中，环烷基没有特别限制，但优选具有3至30个碳原子；3至20个碳原子；3至10个碳原子；或3至6个碳原子，并且其具体实例包括环丙基、环丁基、环戊基、3
‑
甲基环戊基、2,3
‑
二甲基环戊基、环己基、3
‑
甲基环己基、4
‑
甲基环己基、2,3
‑
二甲基环己基、3,4,5
‑
三甲基环己基、4
‑
叔丁基环己基、环庚基、环辛基等，但不限于此。
[0058]
在本说明书中，甲硅烷基为包含si且作为基团与si原子直接连接的取代基，并且由
‑
sir
201
r
202
r
203
表示，r
201
至r
203
彼此相同或不同，并且可以各自独立地为由以下中的至少一者构成的取代基：氢；氘；卤素基团；烷基；烯基；烷氧基；环烷基；芳基；和杂环基。甲硅烷基的具体实例包括三甲基甲硅烷基、三乙基甲硅烷基、叔丁基二甲基甲硅烷基、乙烯基二甲基甲硅烷基、丙基二甲基甲硅烷基、三苯基甲硅烷基、二苯基甲硅烷基、甲基二苯基甲硅烷基、叔丁基二苯基甲硅烷基、苯基甲硅烷基等，但不限于此。
[0059]
在本说明书中，芳基意指一价芳族烃或芳族烃衍生物的一价基团。在本说明书中，芳族烃意指其中π电子完全共轭并且包含平面环的化合物，以及衍生自芳族烃的基团意指其中芳族烃或环状脂族烃与芳族烃稠合的结构。此外，在本说明书中，芳基旨在包括其中两个或更多个芳族烃或者芳族烃的衍生物彼此连接的一价基团。芳基没有特别限制，但优选具有6至50个碳原子；6至30个碳原子；6至25个碳原子；6至20个碳原子；6至18个碳原子；或6
至13个碳原子，并且芳基可以为单环或多环的。单环芳基的具体实例包括苯基、联苯基、三联苯基等，但不限于此。多环芳基的具体实例包括萘基、蒽基、菲基、三亚苯基、芘基、苝基、基、芴基等，但不限于此。
[0060]
在本说明书中，芴基可以为经取代的，并且相邻取代基可以彼此键合以形成环。
[0061]
在本说明书中，当说芴基可以为经取代的时，经取代的芴基包括其中芴的五边形环的取代基彼此螺键合以形成芳族烃环的所有化合物。经取代的芴基的实例包括9,9
’‑
螺双芴、螺[环戊烷
‑
1,9
’‑
芴]、螺[苯并[c]芴
‑
7,9
‑
芴]等，但不限于此。
[0062]
在本说明书中，杂环基包含一个或更多个除碳之外的原子(即，一个或更多个杂原子)，并且具体地，杂原子可以包括选自o、n、s等中的一种或更多种原子。其碳原子数没有特别限制，但优选为2至50；2至30；2至20；2至18；或2至13。杂环基的实例包括噻吩基、呋喃基、吡咯基、咪唑基、噻唑基、唑基、二唑基、吡啶基、联吡啶基、嘧啶基、三嗪基、三唑基、吖啶基、哒嗪基、吡嗪基、喹啉基、喹唑啉基、喹喔啉基、酞嗪基、吡啶并嘧啶基、吡啶并吡嗪基、吡嗪并吡嗪基、异喹啉基、吲哚基、咔唑基、苯并唑基、苯并咪唑基、苯并噻唑基、苯并咔唑基、苯并噻吩基、二苯并噻吩基、苯并呋喃基、菲咯啉基、噻唑基、异唑基、二唑基、噻二唑基、苯并噻唑基、吩噻嗪基、二苯并呋喃基、二氢吩噻嗪基、二氢苯并异喹啉基、色烯基等，但不限于此。
[0063]
在本说明书中，杂环基可以为单环或多环的，可以为芳族环、脂族环、或者芳族环和脂族环的稠环，并且可以选自杂环基的实例。
[0064]
在本说明书中，杂芳基意指一价芳族杂环。在此，芳族杂环为芳族环或芳族环的衍生物的一价基团，并且意指在环中包含n、o和s中的一者或更多者作为杂原子的基团。芳族环的衍生物包括其中芳族环或脂族环与芳族环稠合的结构。此外，在本说明书中，杂芳基旨在包括其中包含两个或更多个杂原子的芳族环或者包含杂原子的芳族环的衍生物彼此连接的一价基团。杂芳基的碳原子数优选为2至50；2至30；2至20；2至18；或2至13。
[0065]
在本说明书中，亚芳基意指在芳基中具有两个键合位置的基团，即，二价基团。对芳基的上述描述可以应用于亚芳基，不同之处在于亚芳基为二价的。
[0066]
在本说明书中，亚杂芳基意指在杂芳基中具有两个键合位置的基团，即，二价基团。对杂芳基的上述描述可以应用于亚杂芳基，不同之处在于亚杂芳基为二价的。
[0067]
在下文中，将详细描述由式1表示的化合物。
[0068]
在本说明书的一个示例性实施方案中，l1至l5彼此相同或不同，并且各自独立地为经取代或未经取代的亚烷基。
[0069]
在本说明书的一个示例性实施方案中，l1至l5彼此相同或不同，并且各自独立地为经取代或未经取代的支化亚烷基。
[0070]
在本说明书的一个示例性实施方案中，l1至l5彼此相同或不同，并且各自独立地为经取代或未经取代的具有1至10个碳原子的亚烷基。
[0071]
在本说明书的一个示例性实施方案中，l1至l5彼此相同或不同，并且各自独立地为经取代或未经取代的具有2至5个碳原子的亚烷基。
[0072]
在本说明书的一个示例性实施方案中，l1至l5彼此相同或不同，并且各自独立地为经取代或未经取代的具有3至5个碳原子的支化亚烷基。
[0073]
在本说明书的一个示例性实施方案中，l1至l5彼此相同或不同，并且各自独立地为具有2至5个碳原子的亚烷基。
[0074]
在本说明书的一个示例性实施方案中，l1至l5彼此相同或不同，并且各自独立地为具有3至5个碳原子的支化亚烷基。
[0075]
在本说明书的一个示例性实施方案中，l1至l5彼此相同或不同，并且各自独立地为未经取代或者经烷基或芳基取代的亚甲基。
[0076]
在本说明书的一个示例性实施方案中，l1至l5彼此相同或不同，并且各自独立地为未经取代或者经具有1至5个碳原子的烷基或具有6至20个碳原子的芳基取代的亚甲基。
[0077]
在本说明书的一个示例性实施方案中，l1至l5彼此相同或不同，并且各自独立地为未经取代或者经甲基或苯基取代的亚甲基。
[0078]
在本说明书的一个示例性实施方案中，l1至l5彼此相同或不同，并且各自独立地为
‑
ch2(g1)(g2)
‑
，g1和g2彼此相同或不同，并且各自独立地为具有1至5个碳原子的烷基或具有6至20个碳原子的芳基，并且g1和g2中的一者或更多者为具有1至5个碳原子的烷基。
[0079]
在本说明书的一个示例性实施方案中，l1至l5彼此相同或不同，并且各自独立地为
‑
ch2(g1)(g2)
‑
，g1和g2彼此相同或不同，并且各自独立地为甲基或苯基，并且g1和g2中的一者或更多者为甲基。
[0080]
在本说明书的一个示例性实施方案中，l1至l5彼此相同或不同，并且各自独立地为经烷基取代的亚甲基。
[0081]
在本说明书的一个示例性实施方案中，l1至l5彼此相同或不同，并且各自独立地为经具有1至5个碳原子的烷基取代的亚甲基。
[0082]
在本说明书的一个示例性实施方案中，l1至l5彼此相同或不同，并且各自独立地为
‑
ch2(g1)(g2)
‑
，g1和g2彼此相同或不同，并且各自独立地为具有1至5个碳原子的烷基。
[0083]
在本说明书的一个示例性实施方案中，l1至l5彼此相同或不同，并且各自独立地为
‑
ch2(g1)(g2)
‑
，并且g1和g2为甲基。
[0084]
在本说明书的一个示例性实施方案中，ar1至ar5彼此相同或不同，并且各自独立地为经取代或未经取代的芳基；或者经取代或未经取代的杂芳基。
[0085]
在本说明书的一个示例性实施方案中，ar1至ar5彼此相同或不同，并且各自独立地为经取代或未经取代的具有6至30个碳原子的芳基；或者经取代或未经取代的具有2至30个碳原子的杂芳基。
[0086]
在本说明书的一个示例性实施方案中，ar1至ar5彼此相同或不同，并且各自独立地为经取代或未经取代的具有6至20个碳原子的芳基。
[0087]
在本说明书的一个示例性实施方案中，ar1至ar5彼此相同或不同，并且各自独立地为经取代或未经取代的苯基；经取代或未经取代的联苯基；经取代或未经取代的三联苯基；经取代或未经取代的萘基；经取代或未经取代的菲基；经取代或未经取代的蒽基；经取代或未经取代的三亚苯基；经取代或未经取代的荧蒽基；经取代或未经取代的非那烯基；经取代或未经取代的芘基；经取代或未经取代的基；经取代或未经取代的芴基；或者经取代或未经取代的螺双芴基。
[0088]
在本说明书的一个示例性实施方案中，ar1至ar5为未经取代或者经选自由氘、卤素基团、具有1至6个碳原子的烷基、具有6至20个碳原子的芳基、具有3至30个碳原子的三烷
基甲硅烷基、和具有6至50个碳原子的三芳基甲硅烷基组成的组中的一个取代基或选自所述组中的两个或更多个基团相连接的取代基取代的具有6至20个碳原子的芳基。
[0089]
在本说明书的一个示例性实施方案中，ar1至ar5为未经取代或者经氘、卤素基团、具有1至6个碳原子的烷基、经氘取代的具有1至6个碳原子的烷基、三甲基甲硅烷基、或三苯基甲硅烷基取代的具有6至20个碳原子的芳基。
[0090]
在本说明书的一个示例性实施方案中，ar1至ar5彼此相同或不同，并且各自独立地为经取代或未经取代的苯基；或者经取代或未经取代的联苯基。
[0091]
在本说明书的一个示例性实施方案中，ar1至ar5为未经取代或者经氘、氟基、甲基、经氘取代的甲基、叔丁基、或三甲基甲硅烷基取代的苯基；或联苯基。
[0092]
在本说明书的一个示例性实施方案中，r1至r5彼此相同或不同，并且各自独立地为氢；氘；卤素基团；腈基；经取代或未经取代的烷基；经取代或未经取代的环烷基；经取代或未经取代的甲硅烷基；经取代或未经取代的芳基胺基；经取代或未经取代的芳基杂芳基胺基；经取代或未经取代的芳基；或者经取代或未经取代的杂芳基。
[0093]
在本说明书的一个示例性实施方案中，r1至r5彼此相同或不同，并且各自独立地为氢；氘；卤素基团；腈基；经取代或未经取代的具有1至10个碳原子的烷基；经取代或未经取代的具有3至30个碳原子的环烷基；经取代或未经取代的具有1至30个碳原子的三烷基甲硅烷基；经取代或未经取代的具有6至60个碳原子的三芳基甲硅烷基；经取代或未经取代的具有6至50个碳原子的芳基胺基；经取代或未经取代的具有6至50个碳原子的芳基杂芳基胺基；经取代或未经取代的具有6至30个碳原子的芳基；或者经取代或未经取代的具有2至30个碳原子的杂芳基。
[0094]
在本说明书的一个示例性实施方案中，r1至r5彼此相同或不同，并且各自独立地为氢；氘；卤素基团；腈基；经取代或未经取代的具有1至5个碳原子的烷基；经取代或未经取代的具有3至20个碳原子的环烷基；具有1至20个碳原子的三烷基甲硅烷基；具有6至50个碳原子的三芳基甲硅烷基；经取代或未经取代的具有6至40个碳原子的芳基胺基；经取代或未经取代的具有6至40个碳原子的芳基杂芳基胺基；经取代或未经取代的具有6至20个碳原子的芳基；或者经取代或未经取代的具有2至20个碳原子的杂芳基。
[0095]
在本说明书的一个示例性实施方案中，r1至r5彼此相同或不同，并且各自独立地为氢；氘；腈基；未经取代或经氘取代的具有1至6个碳原子的烷基；具有3至20个碳原子的环烷基；具有1至20个碳原子的三烷基甲硅烷基；具有6至50个碳原子的三芳基甲硅烷基；未经取代或者经选自由氘和具有1至6个碳原子的烷基组成的组中的一个取代基或选自所述组中的两个或更多个基团相连接的取代基取代的具有6至20个碳原子的芳基；或者未经取代或者经选自由氘、具有1至6个碳原子的烷基、具有3至30个碳原子的三烷基甲硅烷基、和具有6至50个碳原子的三芳基甲硅烷基组成的组中的一个取代基或选自所述组中的两个或更多个基团相连接的取代基取代的具有6至40个碳原子的芳基胺基。
[0096]
在本说明书的一个示例性实施方案中，r1至r3和r5彼此相同或不同，并且各自独立地为氢；氘；腈基；未经取代或经氘取代的具有1至6个碳原子的烷基；具有3至20个碳原子的环烷基；具有1至20个碳原子的三烷基甲硅烷基；具有6至50个碳原子的三芳基甲硅烷基；或者未经取代或者经选自由氘和具有1至6个碳原子的烷基组成的组中的一个取代基或选自所述组中的两个或更多个基团相连接的取代基取代的具有6至20个碳原子的芳基。
[0097]
在本说明书的一个示例性实施方案中，r4彼此相同或不同，并且各自独立地为氢；氘；未经取代或经氘取代的具有1至6个碳原子的烷基；或者未经取代或者经选自由氘、具有1至6个碳原子的烷基、具有3至30个碳原子的三烷基甲硅烷基、和具有6至50个碳原子的三芳基甲硅烷基组成的组中的一个取代基或选自所述组中的两个或更多个基团相连接的取代基取代的具有6至40个碳原子的芳基胺基。
[0098]
在本说明书的一个示例性实施方案中，r1至r5彼此相同或不同，并且各自独立地为氢；氘；腈基；甲基；叔丁基；经氘取代的甲基；环己基；三甲基甲硅烷基；二苯基胺基；经叔丁基、三甲基甲硅烷基、或三苯基甲硅烷基取代的二苯基胺基；苯基；联苯基；萘基；经叔丁基取代的苯基；或者经氘取代的苯基。
[0099]
在本说明书的一个示例性实施方案中，r1至r3和r5彼此相同或不同，并且各自独立地为氢；氘；腈基；甲基；叔丁基；环己基；三甲基甲硅烷基；苯基；联苯基；萘基；经叔丁基取代的苯基；或者经氘取代的苯基。
[0100]
在本说明书的一个示例性实施方案中，r4为甲基；经氘取代的甲基；二苯基胺基；或者经叔丁基、三甲基甲硅烷基、或三苯基甲硅烷基取代的二苯基胺基。
[0101]
在本说明书的一个示例性实施方案中，r1、r2、n1和n2彼此相同或不同，并且各自独立地为0至4的整数。
[0102]
在本说明书的一个示例性实施方案中，r4和n4彼此相同或不同，并且各自独立地为0至3的整数。
[0103]
在本说明书的一个示例性实施方案中，r3、r5、n3和n5彼此相同或不同，并且各自独立地为0至5的整数。
[0104]
在本说明书的一个示例性实施方案中，n1+n2+n3+n4+n5的值为1至21的整数。
[0105]
在本说明书的一个示例性实施方案中，n1+n2+n3+n4+n5的值为1至5的整数。
[0106]
在本说明书的一个示例性实施方案中，n1+n2+n3+n4+n5的值为1至4的整数。
[0107]
在本说明书的一个示例性实施方案中，n1+n2+n3+n4+n5的值为1。根据另一个示例性实施方案，n1+n2+n3+n4+n5的值为2。根据又一个示例性实施方案，n1+n2+n3+n4+n5的值为3。根据再一个示例性实施方案，n1+n2+n3+n4+n5的值为4。
[0108]
在本说明书的一个示例性实施方案中，r1+n1的值为0至4的整数，r2+n2的值为0至4的整数，r3+n3的值为0至5的整数，r4+n4的值为0至3的整数，以及r5+n5的值为0至5的整数。
[0109]
在本说明书的一个示例性实施方案中，当r1为2或更大时，r1彼此相同或不同，当r2为2或更大时，r2彼此相同或不同，当r3为2或更大时，r3彼此相同或不同，当r4为2或更大时，r4彼此相同或不同，当n1为2或更大时，
‑
l1
‑
ar1彼此相同或不同，当n2为2或更大时，
‑
l2
‑
ar2彼此相同或不同，当n3为2或更大时，
‑
l3
‑
ar3彼此相同或不同，当n4为2或更大时，
‑
l4
‑
ar4彼此相同或不同，以及当n5为2或更大时，
‑
l5
‑
ar5彼此相同或不同。
[0110]
在本说明书的一个示例性实施方案中，m为0或1，并且当m为0时，l5与n直接连接。
[0111]
在本说明书的一个示例性实施方案中，n1至n5彼此相同或不同，并且各自独立地为0或1。
[0112]
在本说明书的一个示例性实施方案中，n1为1。
[0113]
在本说明书的一个示例性实施方案中，n2为1。
[0114]
在本说明书的一个示例性实施方案中，n3为1。
[0115]
在本说明书的一个示例性实施方案中，n5为1。
[0116]
在本说明书的一个示例性实施方案中，n4为0。
[0117]
在本说明书的一个示例性实施方案中，n1+n2+n3+n5为1或更大。
[0118]
在本说明书的一个示例性实施方案中，n1+n2+n3+n5为1至4的整数。在本说明书的一个示例性实施方案中，r1为0或1。
[0119]
在本说明书的一个示例性实施方案中，r2为0或1。
[0120]
在本说明书的一个示例性实施方案中，r3为0或1。
[0121]
在本说明书的一个示例性实施方案中，r4为0或1。
[0122]
在本说明书的一个示例性实施方案中，r5为0或1。
[0123]
在本说明书的一个示例性实施方案中，m为1。
[0124]
在本说明书的一个示例性实施方案中，m为0。
[0125]
在本说明书的一个示例性实施方案中，式1由下式1
‑
1表示。
[0126]
[式1
‑
1]
[0127][0128]
在式1
‑
1中，
[0129]
l1至l3、l5、ar1至ar3、ar5、r1至r5、r1至r5、n1至n3和n5的限定与式1中所限定的那些相同。
[0130]
在本说明书的一个示例性实施方案中，式1由下式2或3表示。
[0131]
[式2]
[0132][0133]
[式3]
[0134][0135]
在式2和3中，
[0136]
l1至l5、ar1至ar5、r1至r5、r1至r5和n1至n5的限定与式1中所限定的那些相同。
[0137]
在本说明书的一个示例性实施方案中，式1由下式2
‑
1或3
‑
1表示。
[0138]
[式2
‑
1]
[0139][0140]
[式3
‑
1]
[0141][0142]
在式2和3中，
[0143]
l1至l3、l5、ar1至ar3、ar5、r1至r5、r1至r5、n1至n3和n5的限定与式1中所限定的那些相同。
[0144]
在本说明书的一个示例性实施方案中，式1由下式401至407中的任一者表示。
[0145]
[式401]
[0146][0147]
[式402]
[0148][0149]
[式403]
[0150][0151]
[式404]
[0152][0153]
[式405]
[0154][0155]
[式406]
[0156][0157]
[式407]
[0158][0159]
在式401至407中，
[0160]
l1、l2、l3、l5、ar1、ar2、ar3、ar5、r1至r5、r1至r5、n1、n2、n3和n5的限定与式1中所限定的那些相同。
[0161]
在本说明书的一个示例性实施方案中，由式1表示的化合物为选自以下化合物中的任一者。
[0162]
[0163]
[0164]
[0165][0166]
根据本说明书的一个示例性实施方案的化合物可以通过以下描述的制备方法来制备。如有必要，可以添加或消除取代基，并且可以改变取代基的位置。此外，可以基于本领域中已知的技术来改变起始材料、反应物、反应条件等。
[0167]
例如，由式1表示的化合物的核结构可以如以下通式1中来制备。取代基可以通过本领域中已知的方法来键合，并且取代基的类型或位置或者取代基的数量可以根据本领域中已知的技术来改变。取代基可以如以下通式1中键合，但是键合方法不限于此。
[0168]
[通式1]
[0169][0170]
在通式1中，l1至l4、ar1至ar5、r1至r4、r1至r4和n1至n4的限定与式1中所限定的那些相同。通式1描述了当m为1时的制备方法，但当在第二胺化反应中使用其中亚烷基(l5)与氮直接连接的胺时，可以获得其中m为0的化合物。通式1仅描述了l5为二甲基亚甲基的情况，但是当使用其中亚甲基经不是甲基的烷基或芳基取代的化合物时，可以获得其中l5不是二甲基亚甲基的化合物。
[0171]
根据本说明书的一个示例性实施方案，由式1表示的化合物的最大发射峰为420nm至470nm。最大发射峰的更优选的范围为450nm至465nm。当最大发射峰满足以上范围时，可以使用所述化合物作为发光层的蓝色发光掺杂剂，从而提高器件的效率。
[0172]
用于测量最大发射峰的测量设备为jasco fp
‑
8600荧光分光光度计。具体地，通过使用甲苯作为溶剂将待测量的化合物以1m的浓度溶解来制备用于测量荧光的样品，并将样品溶液放入石英槽中，从而使用荧光测量装置在室温(300k)下测量荧光强度和最大发射峰。
[0173]
本说明书提供了包含上述化合物的有机发光器件。
[0174]
在本说明书中，当一个构件设置在另一构件“上”时，这不仅包括一个构件与另一构件接触的情况，而且还包括在这两个构件之间存在又一构件的情况。
[0175]
在本说明书中，当一部分“包括”一个构成要素时，除非另有具体描述，否则这并不意指排除另外的构成要素，而是意指还可以包括另外的构成要素。
[0176]
在本说明书中，“层”具有可与本领域通常使用的“膜”共用的含义，并且意指覆盖目标区域的涂层。“层”的尺寸没有限制，各个“层”的尺寸可以彼此相同或不同。在一个示例性实施方案中，“层”的尺寸可以与整个器件的尺寸相同，可以对应于特定功能区域的尺寸，并且还可以与单个子像素一样小。
[0177]
在本说明书中，当特定的a材料包含在b层中时，这意指以下两者：i)一种或更多种a材料包含在一个b层中的事实；以及ii)b层由一个或更多个层组成，并且a材料包含在多层的b层中的一个或更多个层中的事实。
[0178]
在本说明书中，当特定的a材料包含在c层或d层中时，这意指以下全部：i)a材料包
含在具有一个或更多个层的c层中的一个或更多个层中的事实；ii)a材料包含在具有一个或更多个层的d层中的一个或更多个层中的事实；以及iii)a材料包含在具有一个或更多个层的c层和具有一个或更多个层的d层中的每一者中的事实。
[0179]
本说明书提供了有机发光器件，所述有机发光器件包括：第一电极；设置成面向第一电极的第二电极；和设置在第一电极与第二电极之间的具有一个或更多个层的有机材料层，其中有机材料层中的一个或更多个层包含由式1表示的化合物。
[0180]
根据本说明书的一个示例性实施方案，有机材料层包括发光层，并且发光层包含由式1表示的化合物。
[0181]
除了发光层之外，根据本说明书的有机发光器件还可以包括另外的有机材料层。
[0182]
本说明书的有机发光器件的有机材料层也可以由单层结构组成，但是可以由其中堆叠有具有两个或更多个层的有机材料层的多层结构组成。例如，有机发光器件可以具有包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、电子阻挡层、空穴阻挡层等的结构。然而，有机发光器件的结构不限于此，并且可以包括较少数量的有机层。
[0183]
根据本说明书的一个示例性实施方案的有机发光器件包括发光层，并且发光层包含由式1表示的化合物和由下式h表示的化合物。
[0184]
[式h]
[0185][0186]
在式h中，
[0187]
l21至l23彼此相同或不同，并且各自独立地为直接键；经取代或未经取代的亚芳基；或者经取代或未经取代的亚杂芳基，
[0188]
r21至r27彼此相同或不同，并且各自独立地为氢；氘；经取代或未经取代的烷基；经取代或未经取代的环烷基；经取代或未经取代的甲硅烷基；经取代或未经取代的芳基；或者经取代或未经取代的杂芳基，
[0189]
ar21至ar23彼此相同或不同，并且各自独立地为经取代或未经取代的芳基；或者经取代或未经取代的杂芳基，以及
[0190]
a为0或1。
[0191]
在本说明书的一个示例性实施方案中，当a为0时，氢或氘与
‑
l23
‑
ar23的位置连接。
[0192]
在本说明书的一个示例性实施方案中，l21至l23彼此相同或不同，并且各自独立地为直接键；经取代或未经取代的亚芳基；或者经取代或未经取代的亚杂芳基。
[0193]
在本说明书的一个示例性实施方案中，l21至l23彼此相同或不同，并且各自独立地为直接键；经取代或未经取代的具有6至30个碳原子的亚芳基；或者经取代或未经取代的
并且包含n、o或s的具有2至30个碳原子的亚杂芳基。
[0194]
在本说明书的一个示例性实施方案中，l21至l23彼此相同或不同，并且各自独立地为直接键；具有6至30个碳原子的亚芳基；或者包含n、o或s的具有2至30个碳原子的亚杂芳基。亚芳基或亚杂芳基未经取代或经具有1至10个碳原子的烷基、具有6至30个碳原子的芳基、或具有2至30个碳原子的杂芳基取代。
[0195]
在本说明书的一个示例性实施方案中，l21至l23彼此相同或不同，并且各自独立地为直接键；经取代或未经取代的亚苯基；经取代或未经取代的亚联苯基；经取代或未经取代的亚萘基；经取代或未经取代的二价二苯并呋喃基；或者经取代或未经取代的二价二苯并噻吩基。
[0196]
在本说明书的一个示例性实施方案中，l21至l23彼此相同或不同，并且各自独立地为直接键；亚苯基；亚联苯基；亚萘基；二价二苯并呋喃基；或者二价二苯并噻吩基。
[0197]
在本说明书的一个示例性实施方案中，l21为直接键。
[0198]
在本说明书的一个示例性实施方案中，l22为直接键；或亚苯基。
[0199]
在本说明书的一个示例性实施方案中，l23为直接键。
[0200]
在本说明书的一个示例性实施方案中，ar21至ar23彼此相同或不同，并且各自独立地为经取代或未经取代的芳基；或者经取代或未经取代的杂芳基。
[0201]
在本说明书的一个示例性实施方案中，ar21至ar23彼此相同或不同，并且各自独立地为经取代或未经取代的具有6至30个碳原子的芳基；或者经取代或未经取代的具有2至30个碳原子的杂芳基。
[0202]
在本说明书的一个示例性实施方案中，ar21至ar23彼此相同或不同，并且各自独立地为经取代或未经取代的具有6至20个碳原子的芳基；或者经取代或未经取代的具有2至20个碳原子的杂芳基。
[0203]
在本说明书的一个示例性实施方案中，ar21至ar23彼此相同或不同，并且各自独立地为经取代或未经取代的单环芳基至四环芳基；或者经取代或未经取代的单环杂芳基至四环杂芳基。
[0204]
在本说明书的一个示例性实施方案中，ar21至ar23彼此相同或不同，并且各自独立地为经取代或未经取代的苯基；经取代或未经取代的联苯基；经取代或未经取代的三联苯基；经取代或未经取代的萘基；经取代或未经取代的蒽基；经取代或未经取代的菲基；经取代或未经取代的非那烯基；经取代或未经取代的芴基；经取代或未经取代的苯并芴基；经取代或未经取代的呋喃基；经取代或未经取代的噻吩基；经取代或未经取代的二苯并呋喃基；经取代或未经取代的萘并苯并呋喃基；经取代或未经取代的二苯并噻吩基；或者经取代或未经取代的萘并苯并噻吩基。
[0205]
在本说明书的一个示例性实施方案中，ar21至ar23彼此相同或不同，并且各自独立地为苯基；联苯基；三联苯基；萘基；菲基；二苯并呋喃基；萘并苯并呋喃基；二苯并噻吩基；或者萘并苯并噻吩基。
[0206]
在本说明书的一个示例性实施方案中，ar21和ar22彼此相同或不同，并且各自独立地为苯基；联苯基；三联苯基；萘基；菲基；二苯并呋喃基；萘并苯并呋喃基；二苯并噻吩基；或者萘并苯并噻吩基。
[0207]
在本说明书的一个示例性实施方案中，ar21和ar22彼此相同或不同，并且各自独
立地为苯基；联苯基；三联苯基；1
‑
萘基；2
‑
萘基；或者二苯并呋喃基。
[0208]
在本说明书的一个示例性实施方案中，ar23为苯基；联苯基；或者萘基。
[0209]
在本说明书的一个示例性实施方案中，ar23为萘基。
[0210]
在本说明书的一个示例性实施方案中，ar21和ar22彼此不同。
[0211]
在本说明书的一个示例性实施方案中，ar21为经取代或未经取代的芳基，以及ar22为经取代或未经取代的芳基。
[0212]
在本说明书的一个示例性实施方案中，ar21为经取代或未经取代的芳基，以及ar22为经取代或未经取代的杂芳基。
[0213]
在本说明书的一个示例性实施方案中，ar21为未经取代或经氘取代的芳基，以及ar22为未经取代或经氘取代的芳基。
[0214]
在本说明书的一个示例性实施方案中，ar21为未经取代或经氘取代的芳基，以及ar22为未经取代或经氘取代的杂芳基。
[0215]
在本说明书的一个示例性实施方案中，r21至r27彼此相同或不同，并且各自独立地为氢；氘；经取代或未经取代的烷基；经取代或未经取代的环烷基；经取代或未经取代的甲硅烷基；经取代或未经取代的芳基；或者经取代或未经取代的杂芳基。
[0216]
在本说明书的一个示例性实施方案中，r21至r27彼此相同或不同，并且各自独立地为氢或氘。
[0217]
在本说明书的一个示例性实施方案中，r21至r27为氢。
[0218]
在本说明书的一个示例性实施方案中，r21至r27为氘。
[0219]
在本说明书的一个示例性实施方案中，式h由下式h01或h02表示。
[0220]
[式h01]
[0221][0222]
[式h02]
[0223]
[0224]
在式h01和h02中，
[0225]
l21至l23和ar21至ar23的限定与式h中所限定的那些相同，d意指氘，k1为0至8的整数，k2为0至7的整数。
[0226]
在本说明书的一个示例性实施方案中，由式h表示的化合物为选自以下化合物中的任一者。
[0227]
[0228]
[0229]
[0230]
[0231][0232]
根据本说明书的一个示例性实施方案的有机发光器件包括发光层，并且发光层包含由式1表示的化合物作为发光层的掺杂剂，并且包含由式h表示的化合物作为发光层的主体。
[0233]
在本说明书的一个示例性实施方案中，基于100重量份的由式h表示的化合物，由式1表示的化合物的含量为0.01重量份至30重量份；0.1重量份至20重量份；或0.5重量份至10重量份。
[0234]
由式h表示的一种化合物或者两种或更多种化合物可以包含在有机材料层(具体地，发光层)中。具体地，由式h表示的第一主体和由式h表示的第二主体可以包含在有机材料层中。
[0235]
由式h表示的第一主体与由式h表示的第二主体的重量比为95:5至5:95，并且更优选30:70至70:30。
[0236]
在本说明书的一个示例性实施方案中，第一主体和第二主体彼此不同。
[0237]
在本说明书的一个示例性实施方案中，发光层包含一种或两种或更多种由式h表示的化合物。
[0238]
在本说明书的一个示例性实施方案中，包含由式1表示的化合物和由式h表示的化合物的发光层呈现蓝色。
[0239]
根据本说明书的一个示例性实施方案的有机发光器件包括具有两个或更多个层的发光层，并且具有两个或更多个层的发光层中的至少一者包含由式1表示的化合物和由式h表示的化合物。包含由式1表示的化合物和由式h表示化合物的发光层呈现蓝色，不包含由式1表示的化合物和由式h表示的化合物的发光层可以包含本领域中已知的蓝色发光化合物、红色发光化合物、或绿色发光化合物。
[0240]
在本说明书的一个示例性实施方案中，有机材料层包括电子阻挡层、空穴注入层或空穴传输层，并且电子阻挡层、空穴注入层或空穴传输层包含由式1表示的化合物。
[0241]
在本说明书的一个示例性实施方案中，有机材料层包括空穴阻挡层、电子注入层或电子传输层，并且空穴阻挡层、电子注入层或电子传输层包含由式1表示的化合物。
[0242]
在本说明书的一个示例性实施方案中，有机材料层还包括选自以下中的一个或两个或更多个层：空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、空穴阻挡层和电子阻挡层。
[0243]
在本说明书的一个示例性实施方案中，有机发光器件包括：第一电极；设置成面向第一电极的第二电极；设置在第一电极与第二电极之间的发光层；和设置在发光层与第一电极之间或发光层与第二电极之间的具有两个或更多个层的有机材料层。
[0244]
在本说明书的一个示例性实施方案中，作为具有两个或更多个层的有机材料层，两个或更多个可以选自以下：发光层、空穴传输层、空穴注入层、同时传输和注入空穴的层以及电子阻挡层。
[0245]
在本说明书的一个示例性实施方案中，第一电极为正电极，第二电极为负电极。
[0246]
在本说明书的一个示例性实施方案中，第一电极为负电极，第二电极为正电极。
[0247]
在本说明书的一个示例性实施方案中，有机发光器件可以为其中正电极、具有一个或更多个层的有机材料层和负电极顺序地堆叠在基底上的正常型有机发光器件。
[0248]
在本说明书的一个示例性实施方案中，有机发光器件可以为其中正电极、具有一个或更多个层的有机材料层和负电极顺序地堆叠在基底上的倒置型有机发光器件。
[0249]
例如，图1至3中例示了根据本说明书的一个示例性实施方案的有机发光器件的结构。图1至3例示了有机发光器件，并且有机发光器件不限于此。
[0250]
图1例示了其中在基底101上顺序地堆叠有正电极102、发光层103和负电极104的有机发光器件的结构。由式1表示的化合物包含在发光层中。根据本说明书的一个示例性实施方案，由式h表示的化合物可以另外包含在发光层中。
[0251]
图2例示了其中在基底101上顺序地堆叠有正电极102、空穴注入层105、空穴传输层106、发光层103和负电极104的有机发光器件的结构。根据本说明书的一个示例性实施方案，由式1表示的化合物包含在发光层中。根据本说明书的一个示例性实施方案，由式h表示的化合物可以另外包含在发光层中。根据另一个示例性实施方案，由式1表示的化合物包含在空穴注入层或空穴传输层中。
[0252]
图3例示了其中在基底101上顺序地堆叠有正电极102、空穴注入层105、第一空穴传输层106a、第二空穴传输层106b、发光层103、同时注入和传输电子的层107以及负电极104的有机发光器件的结构。根据本说明书的一个示例性实施方案，由式1表示的化合物包
含在发光层中。根据本说明书的一个示例性实施方案，由式h表示的化合物可以另外包含在发光层中。根据另一个示例性实施方案，由式1表示的化合物包含在空穴注入层、第一空穴传输层、第二空穴传输层、发光层、或者同时注入和传输电子的层中。
[0253]
本说明书的有机发光器件可以通过本领域中已知的材料和方法来制造，不同之处在于发光层包含所述化合物，即，由式1表示的化合物和由式h表示的化合物。
[0254]
当有机发光器件包括复数个有机材料层时，有机材料层可以由相同材料或不同材料形成。
[0255]
例如，本说明书的有机发光器件可以通过在基底上顺序地堆叠第一电极、有机材料层和第二电极来制造。在这种情况下，本说明书的有机发光器件可以通过如下来制造：通过使用物理气相沉积(pvd)法例如溅射或电子束蒸镀在基底上沉积金属或具有导电性的金属氧化物或其合金以形成正电极，在正电极上形成包括空穴注入层、空穴传输层、发光层和电子传输层的有机材料层，然后在有机材料层上沉积可以用作负电极的材料。除了上述方法之外，有机发光器件还可以通过在基底上顺序地沉积负电极材料、有机材料层和正电极材料来制造。
[0256]
此外，在制造有机发光器件时，由式1表示的化合物或由式h表示的化合物不仅可以通过真空沉积法而且还可以通过溶液施加法形成为有机材料层。在此，溶液施加法意指旋涂、浸涂、刮涂、喷墨印刷、丝网印刷、喷洒法、辊涂等，但不限于此。
[0257]
除了如上所述的方法之外，有机发光器件还可以通过在基底上顺序地沉积负电极材料、有机材料层和正电极材料来制造。然而，制造方法不限于此。
[0258]
作为正电极材料，通常优选具有高功函数的材料以促进空穴注入至有机材料层中。其实例包括：金属，例如钒、铬、铜、锌和金，或其合金；金属氧化物，例如氧化锌、氧化铟、氧化铟锡(ito)和氧化铟锌(izo)；金属和氧化物的组合，例如zno:al或sno2:sb；导电聚合物，例如聚(3
‑
甲基噻吩)、聚[3,4
‑
(亚乙基
‑
1,2
‑
二氧)噻吩](pedot)、聚吡咯和聚苯胺；等等，但不限于此。
[0259]
作为负电极材料，通常优选具有低功函数的材料以促进电子注入至有机材料层中。其实例包括：金属，例如镁、钙、钠、钾、钛、铟、钇、锂、钆、铝、银、锡和铅，或其合金；多层结构材料，例如lif/al或lio2/al；等等，但不限于此。
[0260]
除了包含由式1表示的化合物或由式h表示的化合物的发光层之外，根据本说明书的有机发光器件还可以包括另外的发光层。另外的发光层可以包含主体材料和掺杂剂材料。主体材料的实例包括稠合芳族环衍生物或含杂环的化合物等。稠合芳族环衍生物的具体实例包括蒽衍生物、芘衍生物、萘衍生物、并五苯衍生物、菲化合物、荧蒽化合物等，以及含杂环的化合物的具体实例包括二苯并呋喃衍生物、梯子型呋喃化合物、嘧啶衍生物等，但实例不限于此。
[0261]
掺杂剂材料的实例包括芳族胺衍生物、苯乙烯基胺化合物、硼配合物、荧蒽化合物、金属配合物等。具体地，芳族胺衍生物为具有经取代或未经取代的芳基胺基的稠合芳族环衍生物，并且其实例包括具有芳基胺基的芘、蒽、二茚并芘等。此外，苯乙烯基胺化合物为其中经取代或未经取代的芳基胺取代有至少一个芳基乙烯基的化合物，并且选自芳基、甲硅烷基、烷基、环烷基和芳基胺基中的一个或两个或更多个取代基为经取代或未经取代的。其具体实例包括苯乙烯基胺、苯乙烯基二胺、苯乙烯基三胺、苯乙烯基四胺等，但不限
于此。此外，金属配合物的实例包括铱配合物、铂配合物等，但不限于此。
[0262]
空穴注入层是接受来自电极的空穴的层。优选空穴注入材料具有传输空穴的能力，并且具有接受来自正电极的空穴的效应和对发光层或发光材料的优异的空穴注入效应。此外，空穴注入材料优选为防止由发光层产生的激子移动至电子注入层或电子注入材料的能力优异的材料。此外，空穴注入材料优选为形成薄膜的能力优异的材料。此外，空穴注入材料的最高占据分子轨道(homo)优选为正电极材料的功函数与周围有机材料层的homo之间的值。空穴注入材料的具体实例包括：金属卟啉、低聚噻吩和基于芳基胺的有机材料；基于六腈六氮杂苯并菲的有机材料；基于喹吖啶酮的有机材料；基于苝的有机材料；基于聚噻吩的导电聚合物，例如蒽醌和聚苯胺；等等，但不限于此。
[0263]
空穴传输层是接受来自空穴注入层的空穴并将空穴传输至发光层的层，并且可以具有单层结构或者具有两个或更多个层的多层结构。空穴传输材料优选为具有高的空穴迁移率的材料，其可以接受来自正电极或空穴注入层的空穴并将空穴转移至发光层。其具体实例包括基于芳基胺的有机材料、导电聚合物、具有共轭部分和非共轭部分两者的嵌段共聚物等，但不限于此。
[0264]
在本说明书的一个示例性实施方案中，空穴传输层具有多层结构。具体地，空穴传输层具有两层结构。
[0265]
电子传输层是接受来自电子注入层的电子并将电子传输至发光层的层。电子传输材料优选为具有高的电子迁移率的材料，其可以熟练地接受来自负电极的电子并将电子转移至发光层。其具体实例包括：8
‑
羟基喹啉的al配合物；包含alq3的配合物；有机自由基化合物；羟基黄酮
‑
金属配合物等，但不限于此。电子传输层可以与如根据相关技术使用的任何期望的负电极材料一起使用。特别地，合适的负电极材料为具有低功函数，后接铝层或银层的典型材料。其具体实例包括铯、钡、钙、镱和钐，在每种情况下都后接铝层或银层。
[0266]
电子注入层是接受来自电极的电子的层。优选电子注入材料在传输电子的能力方面优异，并且具有接受来自第二电极的电子的效应和对发光层或发光材料的优异的电子注入效应。此外，电子注入材料优选为这样的材料：防止由发光层产生的激子移动至空穴注入层，并且形成薄膜的能力优异。其具体实例包括芴酮、蒽醌二甲烷、联苯醌、噻喃二氧化物、唑、二唑、三唑、咪唑、苝四羧酸、亚芴基甲烷、蒽酮等及其衍生物；金属配合物化合物；含氮5元环衍生物；等等，但不限于此。
[0267]
金属配合物化合物的实例包括8
‑
羟基喹啉锂、双(8
‑
羟基喹啉)锌、双(8
‑
羟基喹啉)铜、双(8
‑
羟基喹啉)锰、三(8
‑
羟基喹啉)铝、三(2
‑
甲基
‑8‑
羟基喹啉)铝、三(8
‑
羟基喹啉)镓、双(10
‑
羟基苯并[h]喹啉)铍、双(10
‑
羟基苯并[h]喹啉)锌、双(2
‑
甲基
‑8‑
喹啉)氯镓、双(2
‑
甲基
‑8‑
喹啉)(邻甲酚)镓、双(2
‑
甲基
‑8‑
喹啉)(1
‑
萘酚)铝、双(2
‑
甲基
‑8‑
喹啉)(2
‑
萘酚)镓等，但不限于此。
[0268]
电子阻挡层是可以通过防止从电子注入层注入的电子穿过发光层并进入空穴注入层来改善器件的使用寿命和效率的层。作为电子阻挡层，可以没有限制地使用公知的材料，并且电子阻挡层可以在发光层与空穴注入层之间或发光层与同时注入和传输空穴的层之间形成。
[0269]
空穴阻挡层是阻挡空穴到达负电极的层，并且通常可以在与电子注入层的条件相同的条件下形成。其具体实例包括二唑衍生物或三唑衍生物、菲咯啉衍生物、铝配合物
等，但不限于此。
[0270]
根据待使用的材料，根据本说明书的有机发光器件可以为顶部发射型、底部发射型或双侧发射型。
[0271]
发明实施方式
[0272]
在下文中，将参照用于具体描述本说明书的实施例、比较例等详细地描述本发明。然而，根据本说明书的实施例和比较例可以以各种形式进行修改，并且不应被解释为本说明书的范围限于以下详细描述的实施例和比较例。提供本说明书的实施例和比较例以向本领域普通技术人员更完整地说明本说明书。
[0273]
合成例1.化合物1的合成
[0274]
1)中间体1的合成
[0275][0276]
在氮气气氛下将100g 1
‑
溴
‑
2,3
‑
二氯
‑5‑
甲基苯、124g化合物a
‑
1、48g叔丁醇钠和2.2g双(三叔丁基膦)钯(0)放入2.0l甲苯中之后，将所得混合物在120℃下加热并搅拌5小时。在反应终止之后，使反应溶液冷却至室温，通过向其中添加水和nh4cl来等分，然后通过用mgso4(无水)处理进行过滤。将经过滤的溶液在减压下蒸馏出，并用重结晶进行纯化以获得130g中间体1。
[0277]
2)中间体2的合成
[0278][0279]
在氮气气氛下将50g中间体1、47g化合物a
‑
2、22g叔丁醇钠和1.7g双(三叔丁基膦)钯(0)放入1.0l甲苯中之后，将所得混合物在120℃下加热并搅拌8小时。在反应终止之后，使反应溶液冷却至室温，通过向其中添加水和nh4cl来等分，然后通过用mgso4(无水)处理进行过滤。将经过滤的溶液在减压下蒸馏出，并用重结晶(甲苯/乙腈)进行纯化以获得75g中间体2。作为测量所获得的固体的质谱的结果，在[m+h+]＝809处确认峰。
[0280]
3)化合物1的合成
[0281][0282]
在氮气气氛下，将118ml叔丁基锂缓慢滴加至冷却至0℃的含有40g溶解在250ml甲苯(无水)中的中间体2的烧瓶中，然后将所得混合物在60℃下搅拌3小时。当锂
‑
卤素交换反应完成时，使所得产物再次冷却至0℃，向其中缓慢滴加9.6ml三溴化硼，然后将温度升高至70℃，并将所得溶液搅拌10小时。在反应终止之后，使反应溶液冷却至室温，通过向其中添加水和nh4cl来等分，然后通过用mgso4(无水)处理进行过滤。将经过滤的溶液在减压下蒸馏出，并用重结晶(甲苯/己烷)进行纯化以获得10g化合物1。
[0283]
合成例2.化合物2的合成
[0284]
1)中间体3的合成
[0285][0286]
在氮气气氛下将50g 2
‑
溴
‑
1,3
‑
二碘
‑5‑
甲基苯、98g化合物a
‑
2、34g叔丁醇钠和1.2g双(三叔丁基膦)钯(0)放入500ml甲苯中之后，将所得混合物在120℃下加热并搅拌4小时。在反应终止之后，使反应溶液冷却至室温，通过向其中添加水和nh4cl来等分，然后通过用mgso4(无水)处理进行过滤。将经过滤的溶液在减压下蒸馏出，并用重结晶(甲苯/乙腈)进行纯化以获得75g中间体3。
[0287]
2)化合物2的合成
[0288][0289]
在氮气气氛下，将31ml正丁基锂缓慢滴加至冷却至0℃的含有30g溶解在150ml甲苯(无水)中的中间体3的烧瓶中，然后将所得混合物在60℃下搅拌1小时。当锂
‑
卤素交换反
应完成时，使所得产物再次冷却至0℃，向其中缓慢滴加6.0ml三溴化硼，然后将温度升高至70℃，并将所得溶液搅拌6小时。在反应终止之后，使反应溶液冷却至室温，通过向其中添加水和nh4cl来等分，然后通过用mgso4(无水)处理进行过滤。将经过滤的溶液在减压下蒸馏出，并用重结晶(甲苯/己烷)进行纯化以获得5.7g化合物2。
[0290]
合成例3.化合物3的合成
[0291]
1)中间体4和5的合成
[0292][0293]
以与合成例1中的制备中间体1的方法中相同的方式获得45g中间体4，不同之处在于使用48g化合物a
‑
3代替化合物a
‑
1。此外，以与合成例1中的制备中间体2的方法中相同的方式获得34g中间体5，不同之处在于使用中间体4代替中间体1。作为测量所获得的固体的质谱的结果，在[m+h+]＝809处确认峰。
[0294]
2)化合物3的合成
[0295][0296]
在氮气气氛下，将65ml叔丁基锂缓慢滴加至冷却至0℃的含有30g溶解在150ml甲苯(无水)中的中间体5的烧瓶中，然后将所得混合物在70℃下搅拌4小时。当锂
‑
卤素交换反应完成时，使所得产物再次冷却至0℃，向其中缓慢滴加5.4ml三溴化硼，然后将温度升高至70℃，并将所得溶液搅拌8小时。在反应终止之后，使反应溶液冷却至室温，通过向其中添加水和nh4cl来等分，然后通过用mgso4(无水)处理进行过滤。将经过滤的溶液在减压下蒸馏出，并用重结晶(甲苯/己烷)纯化两次以获得7.1g化合物3。
[0297]
合成例4.化合物4的合成
[0298]
1)化合物a
‑
4的合成
[0299][0300]
在氮气气氛下将50g 5
‑
叔丁基
‑
[1,1
’‑
联苯]
‑2‑
胺、112g 4
‑
(2
‑
苯基丙基)苯基全
氟丁烷磺酸酯、146g碳酸铯和1.7g双(三叔丁基膦)钯(0)放入700ml甲苯中之后，将所得混合物在120℃下加热并搅拌8小时。在反应终止之后，使反应溶液冷却至室温，通过向其中添加水和nacl来等分，然后通过用mgso4(无水)处理进行过滤。将经过滤的溶液在减压下蒸馏出，并用柱色谱法(甲苯/己烷)进行纯化以获得85g化合物a
‑
4。
[0301]
2)中间体6和7的合成
[0302][0303]
以与合成例1中的制备中间体1的方法中相同的方式获得48g中间体6，使用34g 1,2
‑
二氯
‑3‑
碘
‑5‑
甲基苯代替1
‑
溴
‑
2,3
‑
二氯
‑5‑
甲基苯并且使用50g化合物a
‑
4代替化合物a
‑
1。此外，以与合成例1中的制备中间体2的方法中相同的方式获得30g中间体7，使用35g中间体6代替中间体1并且使用17g化合物a
‑
1代替化合物a
‑
2。作为测量所获得的固体的质谱的结果，在[m+h+]＝823处确认峰。
[0304]
3)化合物4的合成
[0305][0306]
以与合成例1中的制备化合物1的方法中相同的方式获得5g化合物4，使用25g中间体7代替中间体2。作为测量所获得的固体的质谱的结果，在[m+h+]＝797处确认峰。
[0307]
合成例5.化合物5的合成
[0308]
1)化合物a
‑
5的合成
[0309][0310]
以与合成例4中的制备化合物a
‑
4的方法中相同的方式获得80g化合物a
‑
5，使用40g 3
‑
叔丁基苯胺和156g 5
‑
(2
‑
苯基丙基1,1
’‑
联苯全氟丁烷磺酸酯。作为测量所获得的固体的质谱的结果，在[m+h+]＝420处确认峰。
[0311]
2)中间体8和9的合成
1,2
‑
二氯
‑3‑
碘
‑5‑
甲基苯代替1
‑
溴
‑
2,3
‑
二氯
‑5‑
甲基苯并且使用25g化合物a
‑
6代替化合物a
‑
1。此外，以与合成例1中的制备中间体2的方法中相同的方式获得14g中间体11，使用20g中间体10代替中间体1并且使用9.7g化合物a
‑
3代替化合物a
‑
2。作为测量所获得的固体的质谱的结果，在[m+h+]＝823处确认峰。
[0324]
3)化合物6的合成
[0325][0326]
以与合成例1中的制备化合物1的方法中相同的方式获得2.3g化合物6，使用10g中间体11代替中间体2。作为测量所获得的固体的质谱的结果，在[m+h+]＝797处确认峰。
[0327]
合成例7.化合物7的合成
[0328][0329]
以与合成例1中的制备中间体2的方法中相同的方式获得12g中间体12，使用9.5g化合物a
‑
7代替化合物a
‑
2。作为测量所获得的固体的质谱的结果，在[m+h+]＝823处确认峰。接着，以与合成例1中的制备化合物1的方法中相同的方式获得1.1g化合物7，使用5.0g中间体12代替中间体2。作为测量所获得的固体的质谱的结果，在[m+h+]＝797处确认峰。
[0330]
合成例8.化合物8的合成
[0331][0332]
以与合成例1中的制备中间体2的方法中相同的方式获得14g中间体13，使用11g化合物a
‑
8代替化合物a
‑
2。作为测量所获得的固体的质谱的结果，在[m+h+]＝879处确认峰。接着，以与合成例1中的制备化合物1的方法中相同的方式获得0.7g化合物8，使用3.0g中间体13代替中间体2。作为测量所获得的固体的质谱的结果，在[m+h+]＝853处确认峰。
[0333]
合成例9.化合物9的合成
[0334]
1)中间体14的合成
[0335][0336]
在氮气气氛下将30g 1,3
‑
二溴
‑5‑
氯苯、32g化合物a
‑
1、16g叔丁醇钠和1.1g双(三叔丁基膦)钯(0)放入500ml甲苯中之后，将所得混合物在120℃下加热并搅拌2小时。在反应终止之后，使反应溶液冷却至室温，通过向其中添加水和nh4cl来等分，然后通过用mgso4(无水)处理进行过滤。将经过滤的溶液在减压下蒸馏出，并用重结晶(甲苯/己烷)进行纯化以获得42g中间体14。
[0337]
2)中间体15的合成
[0338][0339]
在氮气气氛下将30g中间体14、25g化合物a
‑
2、9.2g叔丁醇钠和0.7g双(三叔丁基膦)钯(0)放入250ml甲苯中之后，将所得混合物在120℃下加热并搅拌3小时。在反应终止之后，使反应溶液冷却至室温，通过向其中添加水和nh4cl来等分，然后通过用mgso4(无水)处理进行过滤。将经过滤的溶液在减压下蒸馏出，并用柱色谱法(乙酸乙酯/己烷)进行纯化以获得33g中间体15。作为测量所获得的固体的质谱的结果，在[m+h+]＝795处确认峰。
[0340]
3)中间体16的合成
[0341][0342]
在氮气气氛下，将20g中间体15和11g三碘化硼溶解在二氯苯中，并将所得溶液在130℃下搅拌3小时。在反应终止之后，使反应溶液冷却至室温，萃取，并通过用mgso4(无水)处理进行过滤。将经过滤的溶液在减压下蒸馏出，用柱色谱法(甲苯/己烷)进行纯化，然后重结晶以获得4.5g中间体16。作为测量所获得的固体的质谱的结果，在[m+h+]＝803处确认峰。
[0343]
4)化合物9的合成
[0344][0345]
在氮气气氛下将3g中间体16、0.7g二苯胺、0.7g叔丁醇钠和0.4g双(三叔丁基膦)钯(0)放入30ml甲苯中之后，将所得混合物在120℃下加热并搅拌5小时。在反应终止之后，使反应溶液冷却至室温，通过向其中添加水和nh4cl来等分，然后通过用mgso4(无水)处理进行过滤。将经过滤的溶液在减压下蒸馏出，并用重结晶(甲苯/己烷)进行纯化以获得1.1g化合物9。作为测量所获得的固体的质谱的结果，在[m+h+]＝936处确认峰。
[0346]
合成例10.化合物10的合成
[0347][0348]
以与合成例9中的制备中间体14的方法中相同的方式获得48g中间体17，使用30g化合物a
‑
2代替化合物a
‑
1。作为测量所获得的固体的质谱的结果，在[m+h+]＝919处确认峰。随后，以与合成例9中的制备中间体16的方法中相同的方式获得8.0g中间体18，使用40g中间体17代替中间体15。作为测量所获得的固体的质谱的结果，在[m+h+]＝927处确认峰。
[0349]
以与合成例9中的制备化合物9的方法中相同的方式获得3.5g化合物10，使用5.0g中间体18代替中间体16。作为测量所获得的固体的质谱的结果，在[m+h+]＝1060处确认峰。
[0350]
合成例11.化合物11的合成
[0351][0352]
以与合成例9中的制备化合物9的方法中相同的方式获得0.8g化合物11，使用0.9g n
‑
苯基
‑4‑
三甲基甲硅烷基苯胺代替二苯胺。作为测量所获得的固体的质谱的结果，在[m+h+]＝1008处确认峰。
[0353]
合成例12.化合物12的合成
[0354][0355]
以与合成例9中的制备中间体14的方法中相同的方式获得58g中间体19，使用67g化合物a
‑
9代替化合物a
‑
1。作为测量所获得的固体的质谱的结果，在[m+h+]＝711处确认峰。随后，以与合成例9中的制备中间体16的方法中相同的方式获得4.6g中间体20，使用20g中间体19代替中间体15。作为测量所获得的固体的质谱的结果，在[m+h+]＝719处确认峰。
[0356]
以与合成例9中的制备化合物9的方法中相同的方式获得2.8g化合物12，使用3.0g中间体20代替中间体16并且使用0.9g n
‑
苯基
‑4‑
三甲基甲硅烷基苯胺代替二苯胺。作为测量所获得的固体的质谱的结果，在[m+h+]＝924处确认峰。
[0357]
合成例13.化合物13的合成
[0358][0359]
以与合成例1中的制备中间体2的方法中相同的方式获得12g中间体21，使用11g化合物a
‑
10代替化合物a
‑
2。作为测量所获得的固体的质谱的结果，在[m+h+]＝885处确认峰。随后，以与合成例1中的制备化合物1的方法中相同的方式获得2.8g化合物13，使用10g中间体21代替中间体2。作为测量所获得的固体的质谱的结果，在[m+h+]＝859处确认峰。
[0360]
合成例14.化合物14的合成
[0361][0362]
以与合成例1中的制备中间体2的方法中相同的方式获得9.0g中间体22，使用11g化合物a
‑
11代替化合物a
‑
2。作为测量所获得的固体的质谱的结果，在[m+h+]＝899处确认峰。
[0363]
以与合成例1中的制备化合物1的方法中相同的方式获得1.5g化合物14，使用5.0g中间体22代替中间体2。作为测量所获得的固体的质谱的结果，在[m+h+]＝873处确认峰。
[0364]
合成例15.化合物15的合成
[0365][0366]
以与合成例1中的制备中间体2的方法中相同的方式获得20g中间体23，使用16g化合物a
‑
12代替化合物a
‑
12。作为测量所获得的固体的质谱的结果，在[m+h+]＝873处确认峰。
[0367]
以与合成例1中的制备化合物1的方法中相同的方式获得2.1g化合物15，使用10g中间体23代替中间体2。作为测量所获得的固体的质谱的结果，在[m+h+]＝847处确认峰。
[0368]
合成例16.化合物16的合成
[0369]
1)中间体24的合成
[0370][0371]
在氮气气氛下将50g 1
‑
溴
‑
2,3
‑
二氯
‑5‑
甲基苯、71g化合物a
‑
13、30g叔丁醇钠和2.0g双(三叔丁基膦)钯(0)放入1.0l甲苯中之后，将所得混合物在120℃下加热并搅拌6小时。在反应终止之后，使反应溶液冷却至室温，通过向其中添加水和nh4cl来等分，然后通过用mgso4(无水)处理进行过滤。将经过滤的溶液在减压下蒸馏出，并用重结晶(乙酸乙酯/己烷)进行纯化以获得80g中间体24。
[0372]
2)中间体25和化合物16的合成
[0373][0374]
以与合成例1中的制备中间体2的方法中相同的方式获得34g中间体25，使用30g中间体24代替中间体1。作为测量所获得的固体的质谱的结果，在[m+h+]＝865处确认峰。
[0375]
以与合成例1中的制备化合物1的方法中相同的方式获得2.6g化合物16，使用10g中间体25代替中间体2。作为测量所获得的固体的质谱的结果，在[m+h+]＝839处确认峰。
[0376]
合成例17.化合物17的合成
[0377]
[0378]
以与合成例1中的制备中间体1的方法中相同的方式获得中间体26，使用1,3
‑
二溴
‑5‑
甲基苯代替1
‑
溴
‑
2,3
‑
二氯
‑5‑
甲基苯，随后，以与合成例9中的制备中间体15的方法中相同的方式获得23g中间体27，使用20g中间体26代替中间体14并且使用16g化合物a
‑
14代替化合物a
‑
2。作为测量所获得的固体的质谱的结果，在[m+h+]＝738处确认峰。
[0379]
以与合成例9中的制备中间体16的方法中相同的方式获得2.0g化合物17，使用10g中间体27代替中间体15。作为测量所获得的固体的质谱的结果，在[m+h+]＝746处确认峰。
[0380]
合成例18.化合物18的合成
[0381][0382]
以与合成例1中的制备中间体2的方法中相同的方式获得12g中间体28，使用9.8g化合物a
‑
15代替化合物a
‑
2。作为测量所获得的固体的质谱的结果，在[m+h+]＝839处确认峰。
[0383]
以与合成例1中的制备化合物1的方法中相同的方式获得1.4g化合物18，使用5.0g中间体28代替中间体2。作为测量所获得的固体的质谱的结果，在[m+h+]＝803处确认峰。
[0384]
合成例19.化合物19的合成
[0385][0386]
以与合成例1中的制备中间体1的方法中相同的方式获得中间体29，使用化合物a
‑
18代替化合物a
‑
1。以与合成例1中的制备中间体2的方法中相同的方式获得5.7g中间体30，使用5.0g中间体29代替中间体1。作为测量所获得的固体的质谱的结果，在[m+h+]＝823处确认峰。
[0387]
以与合成例1中的制备化合物1的方法中相同的方式获得1.2g化合物19，使用5.0g
中间体30代替中间体2。作为测量所获得的固体的质谱的结果，在[m+h+]＝797处确认峰。
[0388]
合成例20.化合物20的合成
[0389][0390]
以与合成例9中的制备中间体15的方法中相同的方式获得11g中间体31，使用10g中间体26代替中间体14并且使用7.6g化合物a
‑
15代替化合物a
‑
2。作为测量所获得的固体的质谱的结果，在[m+h+]＝714处确认峰。
[0391]
以与合成例9中的制备中间体16的方法中相同的方式获得1.8g化合物20，使用5.0g中间体31代替中间体15。作为测量所获得的固体的质谱的结果，在[m+h+]＝722处确认峰。
[0392]
合成例21.化合物21的合成
[0393][0394]
以与合成例9中的制备中间体15的方法中相同的方式获得10g中间体32，使用10g中间体26代替中间体14并且使用9.3g化合物a
‑
16代替化合物a
‑
2。作为测量所获得的固体的质谱的结果，在[m+h+]＝794处确认峰。
[0395]
以与合成例9中的制备中间体16的方法中相同的方式获得2.4g化合物21，使用7.0g中间体32代替中间体15。作为测量所获得的固体的质谱的结果，在[m+h+]＝802处确认峰。
[0396]
合成例22.化合物22的合成
[0397][0398]
以与合成例9中的制备中间体15的方法中相同的方式获得13g中间体33，使用10g中间体26代替中间体14并且使用9.1g化合物a
‑
17代替化合物a
‑
2。作为测量所获得的固体的质谱的结果，在[m+h+]＝785处确认峰。
[0399]
以与合成例9中的制备中间体16的方法中相同的方式获得2.6g化合物22，使用10g
中间体33代替中间体15。作为测量所获得的固体的质谱的结果，在[m+h+]＝792处确认峰。
[0400]
合成例23.化合物23的合成
[0401][0402]
以与合成例9中制备中间体14的方法中相同的方式获得52g中间体34，使用20g 1,3
‑
二溴
‑5‑
甲基苯代替1,3
‑
二溴
‑5‑
氯苯并且使用34g化合物a
‑
17代替化合物a
‑
1。作为测量所获得的固体的质谱的结果，在[m+h+]＝917处确认峰。
[0403]
以与合成例9中的制备中间体16的方法中相同的方式获得2.1g化合物23，使用10g中间体34代替中间体15。作为测量所获得的固体的质谱的结果，在[m+h+]＝925处确认峰。
[0404]
合成例24.化合物24的合成
[0405][0406]
以与合成例9中的制备中间体15的方法中相同的方式获得12g中间体35，使用8.8g化合物a
‑
17代替化合物a
‑
2。作为测量所获得的固体的质谱的结果，在[m+h+]＝805处确认峰。随后，以与合成例9中的制备中间体16的方法中相同的方式获得2.1g中间体36，使用10g中间体35代替中间体15。作为测量所获得的固体的质谱的结果，在[m+h+]＝812处确认峰。
[0407]
以与合成例9中的制备化合物9的方法中相同的方式获得2.0g化合物24，使用2.0g中间体36代替中间体16。作为测量所获得的固体的质谱的结果，在[m+h+]＝945处确认峰。
[0408]
合成例25.化合物25的合成
[0409][0410]
以与合成例9中的制备化合物9的方法中相同的方式获得2.8g化合物25，使用1.2g双
‑4‑
三甲基甲硅烷基苯胺代替二苯胺。作为测量所获得的固体的质谱的结果，在[m+h+]＝1080处确认峰。
[0411]
合成例26.化合物26的合成
[0412][0413]
以与合成例9中的制备化合物9的方法中相同的方式获得3.0g化合物26，使用1.6g n
‑
苯基
‑4‑
三苯基甲硅烷基苯胺代替二苯胺。
[0414]
合成例27.化合物27的合成
[0415][0416]
以与合成例9中的制备中间体14的方法中相同的方式获得14g中间体37，使用10g 1,3
‑
二溴
‑5‑
甲基苯代替1,3
‑
二溴
‑5‑
氯苯并且使用11g化合物a
‑
18代替化合物a
‑
1。作为测量所获得的固体的质谱的结果，在[m+h+]＝454处确认峰。
[0417]
以与合成例9中的制备中间体15的方法中相同的方式获得11g中间体38，使用10g中间体37代替中间体14并且使用9.2g化合物a
‑
17代替化合物a
‑
2。作为测量所获得的固体的质谱的结果，在[m+h+]＝788处确认峰。
[0418]
以与合成例9中的制备中间体16的方法中相同的方式获得1.5g化合物27，使用5.0g中间体38代替中间体15。作为测量所获得的固体的质谱的结果，在[m+h+]＝795处确认峰。
[0419]
合成例28.化合物28的合成
[0420]
1)中间体39的合成
[0421][0422]
以与合成例1中的制备中间体2的方法中相同的方式获得14g中间体39，使用20g中间体10代替中间体1并且使用9.7g化合物a
‑
1代替化合物a
‑
2。作为测量所获得的固体的质谱的结果，在[m+h+]＝824处确认峰。
[0423]
2)化合物28的合成
[0424][0425]
以与合成例1中的制备化合物1的方法中相同的方式获得2.0g化合物28，使用10g中间体39代替中间体2。作为测量所获得的固体的质谱的结果，在[m+h+]＝797处确认峰。
[0426]
合成例29.化合物29的合成
[0427][0428]
以与合成例9中的制备中间体15的方法中相同的方式获得12g中间体40，使用10g中间体26代替中间体14并且使用9.7g化合物a
‑
19代替化合物a
‑
2。作为测量所获得的固体的质谱的结果，在[m+h+]＝799处确认峰。
[0429]
以与合成例9中的制备中间体16的方法中相同的方式获得2.4g化合物29，使用12g中间体40代替中间体15。作为测量所获得的固体的质谱的结果，在[m+h+]＝806处确认峰。
[0430]
合成例30.化合物30的合成
[0431][0432]
以与合成例9中的制备中间体15的方法中相同的方式获得6.1g中间体41，使用5.0g中间体26代替中间体14并且使用6.2g化合物a
‑
20代替化合物a
‑
2。作为测量所获得的固体的质谱的结果，在[m+h+]＝927处确认峰。
[0433]
以与合成例9中的制备中间体16的方法中相同的方式获得1.5g化合物30，使用6.0g中间体41代替中间体15。作为测量所获得的固体的质谱的结果，在[m+h+]＝935处确认峰。
[0434]
合成例31.化合物31的合成
[0435]
1)中间体41和42的合成
[0436][0437]
以与合成例1中的制备中间体1的方法中相同的方式获得中间体41，使用化合物a
‑
2代替化合物a
‑
1。以与合成例1中的制备中间体2的方法中相同的方式获得5.1g中间体42，使用4.0g中间体41代替中间体1。作为测量所获得的固体的质谱的结果，在[m+h+]＝1045处确认峰。
[0438]
2)化合物31的合成
[0439][0440]
以与合成例1中的制备化合物1的方法中相同的方式获得1.3g化合物31，使用5.0g中间体42代替中间体2。作为测量所获得的固体的质谱的结果，在[m+h+]＝1019处确认峰。
[0441]
合成例32.化合物32的合成
[0442][0443]
以与合成例1中的制备中间体2的方法中相同的方式获得5.1g中间体43，使用5.0g中间体4代替中间体1并且使用3.1g化合物a
‑
22代替化合物a
‑
2。作为测量所获得的固体的质谱的结果，在[m+h+]＝672处确认峰。
[0444]
以与合成例1中的制备化合物1的方法中相同的方式获得1.2g化合物32，使用5.1g中间体43代替中间体2。作为测量所获得的固体的质谱的结果，在[m+h+]＝645处确认峰。
[0445]
合成例33.化合物33的合成
[0446][0447]
以与合成例1中的制备中间体2的方法中相同的方式获得6.2g中间体44，使用5.0g中间体4代替中间体1并且使用4.5g化合物a
‑
23代替化合物a
‑
2。作为测量所获得的固体的质谱的结果，在[m+h+]＝790处确认峰。
[0448]
以与合成例1中的制备化合物1的方法中相同的方式获得1.5g化合物33，使用6.2g中间体44代替中间体2。作为测量所获得的固体的质谱的结果，在[m+h+]＝763处确认峰。
[0449]
合成例34.化合物34的合成
[0450][0451]
以与合成例1中的制备中间体2的方法中相同的方式获得4.2g中间体45，使用3.0g中间体1并且使用3.0g化合物a
‑
24代替化合物a
‑
2。作为测量所获得的固体的质谱的结果，在[m+h+]＝841处确认峰。
[0452]
以与合成例1中的制备化合物1的方法中相同的方式获得1.2g化合物34，使用10g中间体45代替中间体2。作为测量所获得的固体的质谱的结果，在[m+h+]＝815处确认峰。
[0453]
合成例35.化合物35的合成
[0454][0455]
以与合成例1中的制备中间体2的方法中相同的方式获得3.8g中间体46，使用3.0g中间体1并且使用3.2g化合物a
‑
24代替化合物a
‑
2。作为测量所获得的固体的质谱的结果，在[m+h+]＝860处确认峰。
[0456]
以与合成例1中的制备化合物1的方法中相同的方式获得0.9g化合物35，使用3.8g中间体46代替中间体2。作为测量所获得的固体的质谱的结果，在[m+h+]＝833处确认峰。
[0457]
合成例36.化合物36的合成
[0458][0459]
以与合成例1中的制备中间体1的方法中相同的方式获得7.2g中间体47，使用5.0g 1
‑
溴
‑
2,3
‑
二氯
‑5‑
(甲基
‑
d3)
‑
苯和5.9g化合物a
‑
1。以与合成例1中的制备中间体2的方法中相同的方式获得8.2g中间体48，使用7.0g中间体47代替中间体1。作为测量所获得的固体的质谱的结果，在[m+h+]＝709处确认峰。
[0460]
以与合成例1中的制备化合物1的方法中相同的方式获得3.2g化合物36，使用8.2g中间体48代替中间体2。作为测量所获得的固体的质谱的结果，在[m+h+]＝682处确认峰。
[0461]
合成例37.化合物37的合成
[0462][0463]
以与合成例9中的制备中间体15的方法中相同的方式获得4.2g中间体49，使用3.6g化合物a
‑
20代替化合物a
‑
2。作为测量所获得的固体的质谱的结果，在[m+h+]＝948处确认峰。随后，以与合成例9中的制备中间体16的方法中相同的方式获得1.2g中间体50，使用4.2g中间体49代替中间体15。作为测量所获得的固体的质谱的结果，在[m+h+]＝956处确认峰。
[0464]
以与合成例9中的制备化合物9的方法中相同的方式获得1.1g化合物37，使用1.2g中间体50代替中间体16并且使用0.29g化合物a
‑
27代替二苯胺。作为测量所获得的固体的
质谱的结果，在[m+h+]＝1145处确认峰。
[0465]
合成例38.化合物38的合成
[0466][0467]
以与合成例9中的制备中间体15的方法中相同的方式获得4.0g中间体51，使用3.2g化合物a
‑
17代替化合物a
‑
2。作为测量所获得的固体的质谱的结果，在[m+h+]＝882处确认峰。随后，以与合成例9中的制备中间体16的方法中相同的方式获得1.0g中间体52，使用4.0g中间体51代替中间体15。作为测量所获得的固体的质谱的结果，在[m+h+]＝890处确认峰。
[0468]
以与合成例9中的制备化合物9的方法中相同的方式获得0.9g化合物38，使用1.0g中间体52代替中间体16。作为测量所获得的固体的质谱的结果，在[m+h+]＝1079处确认峰。
[0469]
合成例39.化合物39的合成
[0470][0471]
以与合成例1中的制备中间体2的方法中相同的方式获得7.2g中间体53，使用5.0g化合物a
‑
27代替化合物a
‑
2。作为测量所获得的固体的质谱的结果，在[m+h+]＝840处确认峰。接着，以与合成例1中的制备化合物1的方法中相同的方式获得1.5g化合物39，使用7.0g中间体53代替中间体2。作为测量所获得的固体的质谱的结果，在[m+h+]＝814处确认峰。
[0472]
<实验例1>
[0473]
实施例1
[0474]
将薄薄地涂覆有厚度为的氧化铟锡(ito)的玻璃基底放入其中溶解有清洁剂的蒸馏水中，并进行超声波洗涤。在这种情况下，使用由fischer co.制造的产品作
为清洁剂，并且使用用由millipore co.制造的过滤器过滤两次的蒸馏水作为蒸馏水。在将ito洗涤30分钟之后，通过使用蒸馏水重复两次超声波洗涤10分钟。在使用蒸馏水洗涤完成之后，通过使用异丙醇、丙酮和甲醇溶剂进行超声波洗涤，并将所得产物干燥然后输送至等离子体洗涤机。此外，通过使用氧等离子体将基底清洗5分钟，然后输送至真空沉积机。
[0475]
在由此准备的ito透明电极上热真空沉积以下化合物hat以具有在由此准备的ito透明电极上热真空沉积以下化合物hat以具有的厚度，从而形成空穴注入层。在空穴注入层上真空沉积以下化合物ht
‑
a以具有的厚度作为第一空穴传输层，随后，沉积以下化合物ht
‑
b以具有的厚度作为第二空穴传输层。在第二空穴传输层上真空沉积发光主体bh
‑
1以具有的厚度，从而形成发光层。在沉积发光层的同时，以基于100％总重量的主体的3重量％的量使用化合物1作为蓝色发光掺杂剂。
[0476]
接着，以1:1的比例沉积以下化合物et
‑
a和以下化合物liq以具有的厚度作为同时注入和传输电子的层，并在同时注入和传输电子的层上顺序地沉积氟化锂(lif)和铝以分别具有和的厚度以形成负电极，从而制造有机发光器件。
[0477]
在上述过程中，将有机材料的沉积速率保持在/秒至/秒，将负电极的氟化锂和铝的沉积速率分别保持在/秒和/秒，并且将沉积期间的真空度保持在1
×
10
‑7托至5
×
10
‑8托，从而制造有机发光器件。
[0478][0479]
实施例2至28和比较例1至6
[0480]
以与实施例1中相同的方式制造有机发光器件，不同之处在于使用下表1中描述的主体和掺杂剂化合物作为用于实施例1中的发光层的材料。
[0481]
实施例29至32以及比较例7和8
[0482]
以与实施例1中相同的方式制造有机发光器件，不同之处在于，在实施例1中，使用第一主体和第二主体(重量比为48.5:48.5)代替主体bh
‑
1(重量比为97)作为用于发光层的材料，并且使用以下掺杂剂化合物(重量比为3)代替掺杂剂bd
‑
1(重量比为3)。
[0483]
[0484][0485]
对于由实施例1至32和比较例1至8制造的各有机发光器件，在10ma/cm2的电流密度下测量驱动电压和效率。结果示于下表1中。
[0486]
[表1]
[0487]
[0488][0489]
如表1中所观察的，其中使用具有式1的结构的化合物的实施例1至32中的器件具有比比较例1至8中的器件更低的电压和更高的效率特性。
[0490]
<实验例2>md计算(计算主体
‑
掺杂剂体系中的分子之间的距离)
[0491][0492]
实现了以5％和95％的比率包含化合物bd
‑
y1、bd
‑
y2或bd
‑
x1和主体
‑
1的体系。具体地，通过使用opls3e力场设定300个分子(比率为95％的主体
‑
1和5％的bd
‑
y1、bd
‑
y2或bd
‑
x1)，模拟温度为300k，以及模拟时间为30纳秒，通过计算化学实现了通过nvt和npt计算掺杂的器件的环境。实现的分子模型示于图4至6中。图4、5和6分别示出了bd
‑
y1和主体
‑
1的体系、bd
‑
y2和主体
‑
1的体系、以及bd
‑
x1和主体
‑
1的体系。在这种情况下，通过计算获得分子的总体积和密度以及不同分子之间的平均距离。结果示于下表2中。
[0493]
[表2]
[0494][0495]
bd
‑
x1为对应于本发明的式1的化合物，并且具有其中芳烷基与其核结构连接的结构。当观察表2和图4至6时，可以确定在其中引入有庞大取代基的bd
‑
x1(图6)化合物中，距离主体的距离比bd
‑
y1(图4)和bd
‑
y2(图5)中的距离主体的距离进一步增加。因此，其中引入有相对庞大的取代基的器件的主体的三线态能量的dexter能量转移通常较少发生，使得器件的效率提高。
[0496]
<实验例3>分子取向的测量
[0497]
在石英槽上以97:3的重量比沉积主体和掺杂剂以具有30nm的厚度之后测量分子取向。使用9
‑
萘基
‑
10
‑
(4
‑
(萘基苯基)蒽(bh
‑
4)作为主体，使用化合物3或化合物28或比较化合物bd
‑
e作为掺杂剂。
[0498]
测量化合物3的分子取向的结果示于图7中，测量化合物28的分子取向的结果示于图8中，以及测量比较化合物bd
‑
e的分子取向的结果示于图9中。在图7至9中，每个图涉及偶极取向，并且[]中的数值意指[h:v]。
[0499]
本发明的由式1表示的化合物3和化合物28的分子取向测量结果(拟合)分别为91％和90％，与比较化合物bd
‑
e的77％相比，显示出非常高水平的结果值。分子取向是决定外量子效率的因素之一，并且分子取向越高，效率越高。因此，具有高的分子取向的化合物3和化合物28表现出比比较化合物bd
‑
e更高的效率。