技术特征：
1.一种掺杂剂，所述掺杂剂包含下述式(1)所示的自由基阳离子和抗衡阴离子，[化学式1]式(1)中，r1～r3相同或不同，表示一价芳香族基团或下述式(r)所示的基团，需要说明的是，r1～r3中的至少一个为下述式(r)所示的基团，n表示自由基阳离子的价数，等于式中的氮原子的个数n，[化学式2]式(r)中，ar1、ar2、ar3相同或不同，表示二价芳香族基团，ar4、ar5、ar6、ar7相同或不同，表示任选地具有下述式(sb)所示的取代基的一价芳香族基团，m、n相同或不同，表示0以上的整数，式中的带波浪线的键合键与式(1)中的氮原子键合，[化学式3]式(sb)中，ar8、ar9相同或不同，表示二价芳香族基团，ar
10
、ar
11
、ar
12
、ar
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相同或不同，表示一价芳香族基团，s、t相同或不同，表示0以上的整数，式中的带波浪线的键合键与一价芳香族基团键合。2.根据权利要求1所述的掺杂剂，其中，所述抗衡阴离子为氮阴离子、硼阴离子、磷阴离子、或锑阴离子。3.一种导体材料，其中，所述导体材料具有如权利要求1或2所述的掺杂剂掺杂至共轭系高分子化合物中而成的构成。4.一种导体材料的制造方法，其中，
向共轭系高分子化合物中掺杂如权利要求1或2所述的掺杂剂，得到具有所述掺杂剂掺杂至共轭系高分子化合物中而成的构成的导体材料。5.一种电子设备，所述电子设备具备如权利要求3所述的导体材料。
技术总结
本发明提供一种能形成具有高导电性的导体材料的掺杂剂。本公开涉及一种包含下述式(1)所示的自由基阳离子和抗衡阴离子的掺杂剂。下述式(1)中，R1～R3相同或不同，表示一价芳香族基团或下述式(r)所示的基团。需要说明的是，R1～R3中的至少一个为下述式(r)所示的基团。n表示自由基阳离子的价数，等于式中的氮原子的个数(n)。下述式(r)中，Ar1、Ar2、Ar3相同或不同，表示二价芳香族基团，Ar4、Ar5、Ar6、Ar7相同或不同，表示任选地具有下述式(sb)所示的取代基的一价芳香族基团。m、n相同或不同，表示0以上的整数。0以上的整数。0以上的整数。
技术研发人员：冈本敏宏 黑泽忠法 竹谷纯一 池田大次 横尾健 赤井泰之
受保护的技术使用者：株式会社大赛璐
技术研发日：2021.04.15
技术公布日：2022/11/25