含有硼原子、氮原子和硒原子或碲原子的稠环化合物及有机电致发光器件

文档序号:30064383发布日期:2022-05-18 00:31阅读:来源:国知局

技术特征:
1.一种含有硼原子、氮原子和硒原子或碲原子的稠环化合物,如式(i)所示:其中,x1选自se或te,x2选自nr1、o、s、se或te;y1选自单键、-cr1r
2-、-c=o-、-sir1r
2-、-nr
1-、-por
1-、-o-、-s-、-se-、-s=o-、-so
2-中的任意一种,所述r1和r2各自独立地选自h、d、取代或未取代的c1~c30的直链烃基、取代或未取代的c1~c30的支链烃基、取代或未取代的c1~c30的卤代烷烃基、取代或未取代的c3~c30的环烷基、取代或未取代的c6~c60的芳香基团、取代或未取代的c5~c60的杂芳香基团;q为0或1;各自独立地选自c5~c60的芳香环基团或c3~c60的芳香杂环基团;r1~r5各自独立地选自h、d、f、cl、br、i、-cn、-no2、、、取代或未取代的c1~c30的直链烃基、取代或未取代的c1~c30的支链烃基、取代或未取代的c1~c30的卤代烷烃基、取代或未取代的c3~c30的环烷基、取代或未取代的c6~c60的芳香基团、取代或未取代的c5~c60的杂芳香基团;所述r3选自h、d、取代或未取代的c1~c30的直链烃基、取代或未取代的c1~c30的支链烃基、取代或未取代的c1~c30的卤代烷烃基、取代或未取代的c3~c30的环烷基、取代或未取代的c6~c60的芳香基团、取代或未取代的c5~c60的杂芳香基团;n1~n5选自0~10的整数;x2为nr1时,r1可以与之间通过单键、-c(r1r2)-、-(c=o)-、-si(r1r2)-、-n(r1)-、-po(r1)-、-o-、-s-、-se-、-(s=o)-、-(so2)-中的任意一种进行连接形成环。2.根据权利要求1所述的稠环化合物,其特征在于,所述与各自独立地选自式1~16所示基团中的一种:
l5~l7各自独立选自h、d、取代或未取代的c1~c30的直链烃基、取代或未取代的c1~c30的支链烃基、取代或未取代的c1~c30的卤代烷烃基、取代或未取代的c3~c30的环烷基、取代或未取代的c6~c60的芳香基团、取代或未取代的c5~c60的杂芳香基团;所述杂芳香基团中的杂原子选自si、ge、n、p、o、s与se中的一种或多种。3.根据权利要求1或2所述的稠环化合物,其特征在于,具有式(i-a)或式(i-b)结构:式(i-a)中,x2为o或te;式(i-b)中,x2为s或nr1。4.根据权利要求3所述的稠环化合物,其特征在于,所述与各自独立地选自式1、式2或式3所示基团。5.根据权利要求4所述的稠环化合物,其特征在于,r1~r5各自独立地选自h、d、f、cl、br、i、-cn、-no2、取代或未取代的c1~c20的直链烃基、取代或未取代的c1~c20的支链烃基、取代或未取代的c1~c20的卤代烷烃基、取代或未取代的c3~c20的环烷基、取代或未取代的c6~c30的芳香基团、取代或未取代的c5~c30的杂芳香基团;
n1~n5选自0~4的整数。6.根据权利要求1所述的稠环化合物,其特征在于,所述稠环化合物具有式a1-1~k1-34的结构:
7.一种有机电致发光器件,其特征在于,包括阳极、阴极以及位于所述阳极和所述阴极之间的有机薄膜层;所述有机薄膜层包括权利要求1~6任意一项所述的稠环化合物。8.根据权利要求7所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述有机薄膜层包括发光层;所述发光层包括权利要求1~6任意一项所述的稠环化合物。
9.根据权利要求8所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述有机薄膜层包括:依次叠层设置的空穴传输层、激子阻挡层、发光层和电子传输层。10.根据权利要求9所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述空穴传输层由tapc形成;所述激子阻挡层由tcta形成;所述发光层由质量比为1~2:8~9的稠环化合物和mcp形成;所述电子传输层由tmpypb形成。

技术总结
本发明提供了一种含有硼原子、氮原子和硒原子或碲原子的稠环化合物,如式(I)所示。本发明采用含有硼原子、氮原子和硒原子或碲原子的稠环化合物作为发光材料,一方面可利用稠环化合物的刚性骨架结构降低激发态结构弛豫程度,从而实现较窄的半峰宽;另一方面还利用硒原子或碲原子的重原子效应促进反系间窜越,从而获得延迟荧光效应,实现高的发光效率。同时,通过改变稠环化合物中含有的芳环或杂芳环的种类,还能够实现对延迟荧光寿命和半峰宽的进一步调节。实验结果表明,采用本发明的发光化合物作为电致发光器件的发光层,既能够在无需滤光片和微腔结构的情况下实现窄的电致发光半峰宽,又能实现高的器件外量子效率。又能实现高的器件外量子效率。又能实现高的器件外量子效率。


技术研发人员:王利祥 邵世洋 杜宝云 李伟利 吕剑虹 王兴东 赵磊 王淑萌
受保护的技术使用者:中国科学院长春应用化学研究所
技术研发日:2022.02.24
技术公布日:2022/5/17
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