技术特征:

1.一种发光体,其特征在于,其相对于具有以通式CexRE3-xM5+yO12+3y/2所表示的石榴石结构的发光体,含有相对于全部阳离子以7000ppm以下的摩尔比共掺杂有至少一种以上的一价或二价阳离子的石榴石发光体,式中,0.0001≤x≤0.3、0≤y≤0.5或0≤y≤-0.5,M为选自Al、Lu、Ga、Sc的一种或两种以上,及RE为选自La、Pr、Gd、Tb、Yb、Y、Lu的一种或两种以上。

2.一种发光体,其特征在于,其相对于具有以通式CexRE3-xM5+yO12+3y/2所表示的石榴石结构的发光体,含有相对于全部阳离子以7000ppm以下的摩尔比共掺杂有Li的石榴石发光体,式中,0.0001≤x≤0.3、0≤y≤0.5或0≤y≤-0.5,M为选自Al、Lu、Ga、Sc的一种或两种以上,及RE为选自La、Pr、Gd、Tb、Yb、Y、Lu的一种或两种以上。

3.一种发光体,其特征在于,其相对于具有以通式CexRE3-xAl5+yO12+3y/2所表示的石榴石结构的发光体,含有相对于全部阳离子以7000ppm以下的摩尔比共掺杂有Mg的石榴石发光体,式中,0.0001≤x≤0.3、0<y≤0.5或0<y≤-0.5,及RE为选自Y、Lu的一种或两种以上。

4.一种发光体,其特征在于,其相对于具有以通式CexGd3-x(GazAl1-z)5+yO12+3y/2所表示的石榴石结构的发光体,含有相对于全部阳离子以7000ppm以下的摩尔比共掺杂有Li或Mg的石榴石发光体,式中,0.0001≤x≤0.3、0<y≤0.5或0<y≤-0.5、0.49≤z≤0.7。

5.根据权利要求1~4中任何一项所述发光体,其特征在于,其由透明体构成,该透明体以1000℃以上的温度对原料进行热处理而得到,具有20000photon/MeV以上的发光量和300ps以下的时间分辨率,磷光成分为0.5%以下,漫透射率为80%以上。

6.一种发光体,其特征在于,其相对于具有以通式Gd3-x-zCexREzM5O12所表示的石榴石结构的发光体,含有相对于全部阳离子以7000ppm以下的摩尔比共掺杂有至少一种以上的一价或二价阳离子的石榴石发光体,式中,0.0001≤x≤0.1、0≤z<3,M为选自Al、Lu、Ga、Sc的一种或两种以上,及RE为选自La、Pr、Tb、Yb、Y、Lu的一种或两种以上。

7.一种发光体,其特征在于,其相对于具有以通式Gd3-x-zCexREzM5+yO12+3y/2所表示的石榴石结构的发光体,含有相对于全部阳离子以7000ppm以下的摩尔比共掺杂有至少一种以上的一价或二价阳离子的石榴石发光体,式中,0.0001≤x≤0.1、0<y<0.5或0<y<-0.5、0≤z<3,M为选自Al、Lu、Ga、Sc的一种或两种以上,及RE为选自La、Pr、Tb、Yb、Y、Lu的一种或两种以上。

8.根据权利要求6或7所述发光体,其特征在于,共掺杂有作为所述阳离子的Mg。

9.根据权利要求6~8中任何一项所述发光体,其特征在于,该发光体由透明体构成,该透明体以1000℃以上的温度对原料热处理而得到,具有40000photon/MeV以上的发光量和240ps以下的时间分辨率。

10.一种发光体,其特征在于,具有以通式CexRE3-xM5+yO12+3y/2所表示的石榴石结构,式中,0.0001≤x≤0.3、0<y≤0.5或0<y≤-0.5,M为选自Al、Lu、Ga、Sc的一种或两种以上,及RE为选自La、Pr、Gd、Tb、Yb、Y、Lu的一种或两种以上。

11.一种发光体,其特征在于,在制备权利要求1~10中任意一项所述的发光体之后,通过在含有氧气的气氛中或不活泼气体气氛中以1000℃以上的温度进行退火而制备。

12.根据权利要求1~11中任何一项所述发光体,其特征在于,通过使其浸泡在含有磷酸的蚀刻液中进行蚀刻处理而使其表面具有蚀刻坑,且具有垂直入射反射率为8.5%以下的无光泽性的表面。

13.根据权利要求1~12中任何一项所述发光体,其特征在于,其为单晶。

14.一种辐射探测器,其特征在于,其为具有吸收γ线、X射线、α射线、中子射线这样的放射线或高能量光子而发光的发光体、及检测所述发光体的发光的光接收器的辐射探测器,所述发光体为权利要求1~13中任意一项所述的发光体。

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