本发明涉及液晶显示装置，特别是涉及到包含低温多晶硅作为像素电极层的液晶显示装置。
背景技术：
目前，液晶显示技术越来越普遍地应用在生活的各个领域，液晶显示器件，其特征在于，具有上基板、下基板和液晶组合物，所述上基板具备由透明导电性材料形成的共用电极，所述下基板具备由低温多晶硅材料形成的像素电极和对各像素中具有的像素电极进行控制的薄膜晶体管，对于薄膜晶体管技术(tft-lcd)应用领域，近年来市场虽然已经非常巨大，技术也逐渐成熟，但人们对显示技术的要求也在不断的提高，尤其是在实现快速响应，降低驱动电压以降低功耗等方面。液晶材料作为液晶显示器重要的光电子材料之一，对改善液晶显示器的性能发挥重要的作用。
液晶屏幕中所使用的薄膜晶体管技术主要有三种：alpha-si(a-si，无定形硅)、igzo(铟镓锌氧化物)、ltps(低温多晶硅)。
多晶硅(poly-sitft)与非晶硅(a-sitft)，两者的差异在于电晶体特性不同。多晶硅的分子结构在一颗晶粒(grain)中的排列状态是整齐而有方向性的，因此电子移动率比排列杂乱的非晶硅快了200-300倍；一般所称的tft-lcd是指非晶硅，技术成熟，为lcd的主流产品。而多晶硅品则主要包含高温多晶硅(htps)与低温多晶硅(ltps)二种产品。ltps-tftlcd具有高分辨率、反应速度快、高亮度、高开口率等优点，加上由于ltps-tftlcd的硅结晶排列较a-si有次序，使得电子移动率相对高100倍以上，可以将外围驱动电路同时制作在玻璃基板上，达到系统整合的目标、节省空间及驱动ic的成本。同时，由于驱动ic线路直接制作于面板上，可以减少组件的对外接点，增加可靠度、维护更简单、缩短组装制程时间及降低emi特性，进而减少应用系统设计时程及扩大设计自由度。
tft-lcd的构造有三层——两片玻璃基板中间夹着一层液晶：上层的玻璃基板和彩色滤光片相贴合，下层的玻璃基板则镶嵌着薄膜晶体管。液晶屏幕的工作原理是这样的：当电流通过下层玻璃基板上的晶体管产生电场变化，造成液晶分子偏转，藉以改变光线的偏极性，再利用偏光片决定像素的明暗状态。此外，上层玻璃因与彩色滤光片贴合，形成每个像素各包含红蓝绿三颜色，这些发出红蓝绿色彩的像素便构成了面板上的视频画面。常见的ips、tn、va等缩写不是液晶面板的材质，而是面板的“三层夹心”中间那层液晶分子的排列方式,液晶屏幕的可视角度、色域覆盖面积，以及面板的响应时间(画面是否有拖影)。并且在现有技术中，由于载流子迁移率的限制，非晶硅薄膜晶体管液晶显示器很难满足轻薄、省电和高画质的要求，而低温多晶硅液晶显示器则具有画面刷新速度快、亮度高和清晰度高等优点，所以，低温多晶硅液晶显示器越来越成为液晶显示器的主流产品。
由于非晶硅(a-si)tft分辨率不够高及响应速度较慢等物理障碍，无法完全满足汽车导航系统、液晶电视、数字相机等终端应用系统的性能要求，因此目前非晶硅(a-si)tft还主要应用在以显示器为主的大尺寸显示设备上。随着液晶显示器向大容量、高亮度和高清晰度方向的不断发展，象素尺寸越来越小，单元象素充电时间也越来越短，这就要求具有更大的开态电流。另外，为了解决高密度引线的困难，显示区域与周边驱动电路必须实现一体化，这些都是传统工艺无法实现的。低温多晶硅(ltps)的屏幕与非晶硅(a-sitft)相比，低温多晶硅的开口率、电子迁移率更高，也就是亮度更大、分辨率更高、功耗更低,可靠性好。因此ltps-tft是新一代lcd必备的发展技术。
技术实现要素：
本发明的目的是提供了一种液晶显示器件，所述液晶显示器件包含具有合适的折射率和介电各向异性、较低的粘度、较低的阈值电压的液晶材料，所述液晶显示器件具有亮度更大、分辨率更高、功耗更低，可靠性更好的优点。
为了完成上述发明目的，本发明提供了一种液晶显示器件，包含：上基板、下基板、滤色器，上电极、下电极，上取向膜、下取向膜以及液晶材料；所述的下电极位于下基板上，下取向膜位于下电极上，所述液晶材料夹持于上取向膜和下取向膜之间，上电极位于上取向膜上，滤色器位于上电极上，所述下电极是由低温多晶硅材料形成的像素电极，所述液晶材料中的液晶分子在未施加电压时的取向为相对于上基板和下基板大体平行，所述液晶材料为向列相液晶组合物；
所述向列相液晶组合物，包含：
占所述液晶组合物总重量1-30％的一种或多种通式ⅰ的化合物
占所述液晶组合物总重量1-40％的一种或多种通式ⅱ的化合物
占所述液晶组合物总重量0-30％的一种或多种通式ⅲ的化合物
占所述液晶组合物总重量20-80％的一种或多种通式ⅳ的化合物
其中，
所述r1、r4、r5、r6和r7相同或不同，各自独立地表示碳原子数为1-7的氟代或未被氟代的烷基、碳原子数为1-7的氟代或未被氟代的烷氧基，或碳原子数为2-7的氟代或未被氟代的烯基；
所述r2表示-f、碳原子数为1-7的氟代或未被氟代的烷基、碳原子数为1-7的氟代或未被氟代的烷氧基，或碳原子数为2-7的氟代或未被氟代的烯基；
所述r3表示-h、碳原子数为1-7的氟代或未被氟代的烷基、碳原子数为1-7的氟代或未被氟代的烷氧基，或碳原子数为2-7的氟代或未被氟代的烯基；
所述l1、l3、l4、l5、l6、l7或l9相同或不同，各自独立地表示-h或-f；
所述l8独立地表示-f、-cf3或-ocf3
所述环
所述环
所述环
所述环
所述z1和z2相同或不同，各自独立地表示单键、-coo-或-ch2o-；
所述a表示0、1或2，且当a为2时，2个环
所述d和e相同或不同，各自独立的表示0或1。
所述上基板和下基板独立地为刚性透明基板或者柔性透明基板。
在本发明的一些实施方式中，所述上基板和下基板独立地为刚性透明基板。
所述上电极为氧化铟镓电极。
所述上取向层、下取向层均为水平取向层。
在一些实施方案中，优选地、所述通式ⅰ的化合物占液晶组合物总重量1-25％；所述通式ⅱ的化合物占液晶组合物总重量5-40％；所述通式ⅲ的化合物占液晶组合物总重量0-25％；所述通式ⅳ的化合物占液晶组合物总重量20-75％。
在一些实施方案中，进一步优选，所述通式ⅰ的化合物占液晶组合物总重量1-20％；所述通式ⅱ的化合物占液晶组合物总重量10-40％；所述通式ⅲ的化合物占液晶组合物总重量0-25％；所述通式ⅳ的化合物占液晶组合物总重量30-70％。
在一些实施方案中，进一步优选，所述通式ⅰ的化合物占液晶组合物总重量1-20％；所述通式ⅱ的化合物占液晶组合物总重量15-40％；所述通式ⅲ的化合物占液晶组合物总重量1-25％；所述通式ⅳ的化合物占液晶组合物总重量30-70％。
在一些实施方案中，所述通式ⅰ的化合物选自如下结构中的一种或多种：
其中，
所述r1和r2相同或不同，各自独立地表示碳原子数为1-7的氟代或未被氟代的烷基、碳原子数为1-7的氟代或未被氟代的烷氧基，或碳原子数为2-7的氟代或未被氟代的烯基。
在一些实施方案中，所述通式ⅰ-1的化合物占液晶组合物总重量1-15％。
在一些实施方案中，优选地，所述通式ⅰ-1的化合物选自如下结构中的一种或多种：
以及
在一些实施方案中，优选地，所述通式ⅰ-2的化合物选自如下结构中的一种或多种：
以及
在一些实施方案中，优选地，所述通式ⅰ-3的化合物选自如下结构中的一种或多种：
在一些实施方案中，所述通式ⅱ的化合物选自如下结构中的一种或多种：
以及
其中，
所述r3表示-h、碳原子数为1-5的氟代或未被氟代的烷基、碳原子数为1-7的氟代或未被氟代的烷氧基，或碳原子数为2-5的氟代或未被氟代的烯基。
在一些实施方案中，所述通式ⅱ-9的化合物占液晶组合物总重量10-25％。
在一些实施方案中，所述通式ⅱ-11的化合物占液晶组合物总重量5-25％。
在一些实施方案中，优选地，所述通式ⅱ的化合物选自如下结构中的一种或多种：
以及
其中，
所述r3表示-h、碳原子数为1-5的氟代或未被氟代的烷基、碳原子数为1-7的氟代或未被氟代的烷氧基，或碳原子数为2-5的氟代或未被氟代的烯基。
在一些实施方案中，特别优选地，所述通式ⅱ的化合物选自如下结构中的一种或多种：
以及
其中，
所述r3表示-h、碳原子数为1-5的氟代或未被氟代的烷基、碳原子数为1-7的氟代或未被氟代的烷氧基，或碳原子数为2-5的氟代或未被氟代的烯基。
在一些实施方案中，所述通式ⅲ的化合物选自如下结构中的一种或多种：
其中，
所述r5独立地表示碳原子数为1-5的氟代或未被氟代的烷基、碳原子数为1-5的氟代或未被氟代的烷氧基，或碳原子数为2-5的氟代或未被氟代的烯基。
在一些实施方案中，优选地，通式ⅲ的化合物占所述液晶组合物总重量5-25％。
在一些实施方案中，所述通式ⅳ的化合物选自由下列化合物组成的组中一种或更多种化合物：
其中，
r6和r7相同或不同，各自独立地表示碳原子数为1-5的烷基、碳原子数为1-5的烷氧基、碳原子数为2-5的烯基或碳原子数为2-5的烯氧基。
在一些实施方案中，优选地，所述通式ⅳ-1的化合物占所述液晶组合物总重量的15-60％；进一步优选；所述通式ⅳ-1的化合物占所述液晶组合物总重量的20-55％。
在本发明的一些实施方式中，优选地，所述通式ⅳ-1的化合物选自由下列化合物组成的组中一种或更多种化合物：
其中，
所述r6表示碳原子数为1-5的烷基、碳原子数为1-5的烷氧基、碳原子数为2-5的烯基或碳原子数为2-5的烯氧基。
在本发明的一些实施方式中，特别优选地，所述通式ⅳ-1的化合物选自由下列化合物组成的组中一种或更多种化合物：
其中，
所述r6表示碳原子数为1-5的烷基、碳原子数为1-5的烷氧基、碳原子数为2-5的烯基或碳原子数为2-5的烯氧基。
在本发明的一些实施方式中，优选地，所述通式ⅳ-2的化合物选自由下列化合物组成的组中一种或更多种化合物：
在本发明的一些实施方式中，优选地，所述通式ⅳ-3的化合物选自由下列化合物组成的组中一种或更多种化合物：
在本发明的一些实施方式中，优选地，所述通式ⅳ-4的化合物选自由下列化合物组成的组中一种或更多种化合物：
以及
在本发明的一些实施方式中，优选地，所述通式ⅳ-5的化合物选自由下列化合物组成的组中一种或更多种化合物：
以及
在本发明的一些实施方式中，优选地，所述通式ⅳ-6的化合物选自由下列化合物组成的组中一种或更多种化合物：
以及
在本发明的一些实施方式中，优选地，所述通式ⅳ-7的化合物选自由下列化合物组成的组中一种或更多种化合物：
以及
在本发明的一些实施方式中，优选地，所述通式ⅳ-8的化合物选自由下列化合物组成的组中一种或更多种化合物：
在本发明的一些实施方式中，优选地，所述通式ⅳ-9的化合物选自由下列化合物组成的组中一种或更多种化合物：
在本发明的一些实施方式中，优选地，所述通式ⅳ-10的化合物选自由下列化合物组成的组中一种或更多种化合物：
以及
在本发明的一些实施方式中，优选地，所述通式ⅳ-11的化合物选自由下列化合物组成的组中一种或更多种化合物：
以及
如下提及例如可以加入到根据本发明的母体液晶中的稳定剂。
优选地，所述稳定剂选自如下所示的稳定剂。
在本发明的实施方案中，优选所述稳定剂占所述母体液晶总重量的0-5％；更优地，所述稳定剂占所述液晶组合物总重量的0-2％；作为特别优选方案，所述稳定剂占所述液晶组合物总重量的0.001-1％。
本发明与现有技术相比，本发明的显示器件使用低温多晶硅作为像素电极层，结合本发明组合物使得本发明的显示器件具有高分辨率、快的响应速度、高亮度、高开口率以及低功耗等优点，本发明所述的显示器件结合了通式ⅰ、ⅱ、ⅲ以及ⅳ的化合物中的一种或多种形成的组合物与低温像素电极层使得所述显示器件具有良好的耐高温可靠性。
附图说明
图1表示本发明的液晶显示器的结构示意图；
具体实施方式
实施例中各测试项目的简写代号分别表示，如表1：
表1
其中，光学各向异性使用阿贝折光仪在钠光灯(589nm)光源下、25℃测试得；介电测试盒为va型，盒厚6μm。
vhr(初始)是使用toy06254型液晶物性评价系统测试得；脉冲电压：5v6hz，测试温度为60℃，测试单位周期为166.7ms。
vth测试条件：c/1khz，jtsb7.0。
在下面的实施例中，为便于各液晶化合物的表达，用表2所列的代码液晶化合物的基团结构用表示：
表2液晶化合物的基团结构代码
以如下结构式的化合物为例：
该结构式如用表2所列代码表示，则可表达为：ncguf，代码中的n表示左端烷基的碳原子数，例如n为“2”，即表示该烷基为-c2h5；代码中的c代表“环己烷基”，代码中的g代表“2-氟-1,4-亚苯基”，代码中的u代表“2,5-二氟-1,4-亚苯基”，代码中的f代表“氟取代基”。
在本发明液晶组合物中，所述的液晶组合物为向列相液晶组合物，所包含的各种液晶组分均为本领域中已知的化合物，本领域的技术人员能够可以通过常规方法合成。
器件实施例
本发明的液晶显示器件如图1所示，它包含：上基板1、下基板2、滤色器3，上电极4、下电极5，上取向膜6、下取向膜7以及液晶材料8；所述的下电极5位于下基板2上，下取向膜7位于下电极5上，所述液晶材料8夹持于上取向膜6和下取向膜7之间，上电极4位于上取向膜6上，滤色器3位于上电极4上，所述下电极5是由低温多晶硅材料形成的像素电极，所述液晶材料8中的液晶分子在未施加电压时的取向为相对于上基板1和下基板2大体平行，所述液晶材料8为向列相液晶组合物，
实施例1
按表3中所列的各化合物及重量百分数配制成实施例1的液晶组合物，其填充于液晶显示器两基板之间进行性能测试，测试数据如下表所示：
表3液晶组合物的组成及配比
将实施例1所述的液晶组合物灌入本发明所述的显示器件，所述器件具有高分辨率、快的响应速度、高亮度、高开口率以及低功耗等优点，特别的是具有良好的耐高温可靠性。
实施例2
按表4中所列的各化合物及重量百分数配制成实施例2的液晶组合物，其填充于液晶显示器两基板之间进行性能测试，测试数据如下表所示：
表4液晶组合物的组成及配比
将实施例2所述的液晶组合物灌入本发明所述的显示器件，所述器件具有高分辨率、快的响应速度、高亮度、高开口率以及低功耗等优点，特别的是具有良好的耐高温可靠性。
实施例3
按表5中所列的各化合物及重量百分数配制成实施例3的液晶组合物，其填充于液晶显示器两基板之间进行性能测试，测试数据如下表所示
表5液晶组合物的组成及配比
将实施例3所述的液晶组合物灌入本发明所述的显示器件，所述器件具有高分辨率、快的响应速度、高亮度、高开口率以及低功耗等优点，特别的是具有良好的耐高温可靠性。
实施例4
按表6中所列的各化合物及重量百分数配制成实施例4的液晶组合物，其填充于液晶显示器两基板之间进行性能测试，测试数据如下表所示：
表6液晶组合物的组成及配比
将实施例4所述的液晶组合物灌入本发明所述的显示器件，所述器件具有高分辨率、快的响应速度、高亮度、高开口率以及低功耗等优点，特别的是具有良好的耐高温可靠性。
实施例5
按表7中所列的各化合物及重量百分数配制成实施例5的液晶组合物，其填充于液晶显示器两基板之间进行性能测试，测试数据如下表所示：
表7液晶组合物的组成及配比
将实施例1所述的液晶组合物灌入本发明所述的显示器件，所述器件具有高分辨率、快的响应速度、高亮度、高开口率以及低功耗等优点，特别的是具有良好的耐高温可靠性。
实施例6
按表8中所列的各化合物及重量百分数配制成实施例6的液晶组合物，其填充于液晶显示器两基板之间进行性能测试，测试数据如下表所示：
表8液晶组合物的组成及配比
将实施例6所述的液晶组合物灌入本发明所述的显示器件，所述器件具有高分辨率、快的响应速度、高亮度、高开口率以及低功耗等优点，特别的是具有良好的耐高温可靠性。
实施例7
按表9中所列的各化合物及重量百分数配制成实施例7的液晶组合物，其填充于液晶显示器两基板之间进行性能测试，测试数据如下表所示：
表9液晶组合物的组成及配比
将实施例7所述的液晶组合物灌入本发明所述的显示器件，所述器件具有高分辨率、快的响应速度、高亮度、高开口率以及低功耗等优点，特别的是具有良好的耐高温可靠性。
实施例8
按表9中所列的各化合物及重量百分数配制成实施例8的液晶组合物，其填充于液晶显示器两基板之间进行性能测试，测试数据如下表所示：
表10液晶组合物的组成及配比
将实施例8所述的液晶组合物灌入本发明所述的显示器件，所述器件具有高分辨率、快的响应速度、高亮度、高开口率以及低功耗等优点，特别的是具有良好的耐高温可靠性。
本发明所使用的材料均为商用材料，均可从市售途径购得。
以上实施例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明仅用于帮助和理解本发明的方法及其核心思想；同时，本领域的一般技术人员，依据本发明思想，在其具体方式及其应用范围上均会有改变之处，综上所述，说明书的信息不应理解为对本发明的限制。