导电糊剂、电极和太阳能电池的制作方法

本发明涉及特别适用于太阳能电池的导电糊剂及其制造方法，涉及制造在例如太阳能电池表面上的导电轨或涂层的方法，和涉及其上形成有导电轨或涂层的太阳能电池的表面。
背景技术：
：导电(例如含银)糊剂通常用于制备太阳能电池例如硅太阳能电池的导电轨。糊剂典型地包含导电(例如银)粉末、玻璃粉和有时一种或多种另外的添加剂，其全部分散在有机介质中。在制造太阳能电池中，典型地这样的糊剂经由丝网印刷施用到半导体基材(例如晶片)，随后烧制(即进行热处理)。玻璃粉是金属氧化物的无定形混合物。玻璃粉具有几个作用。在烧制过程中，它变成熔融相，并由此用于将导电轨结合到半导体晶片。但是，在蚀刻掉提供在半导体晶片表面上的抗反射或钝化层(通常是氮化硅)来允许导电轨与半导体之间的直接接触中，玻璃粉也是重要的。还在形成与半导体发射器欧姆接触中，玻璃粉通常是重要的。导电轨与半导体晶片之间接触的品质在决定最终太阳能电池的效率中起作用。最佳的玻璃粉需要优化以在正确的温度流动，和提供抗反射层合适的蚀刻度。如果提供过少的蚀刻，则半导体晶片与导电轨之间的接触将不足，导致高的接触电阻。相反，过度的蚀刻会导致半导体中沉积大的银岛，破坏它的p-n结，由此降低它将太阳能转化成电能的能力。最新的关注已经聚焦于改进用于光伏电池的导电糊剂中所含的玻璃粉材料，来提供良好的性能平衡。包含导电粉末、玻璃粉和有时一种或多种另外的添加剂(全部分散在有机介质中)的导电糊剂也用于在其他电子应用范围中形成导电轨或导电涂层，电子应用包括被动电子部件，例如在用于氧化锌变阻器部件的终端电极中，用于mlcc(多层陶瓷电容器)的端头，tco(透明的导电氧化物)涂覆的玻璃基材上的电极，ntc(负温度系数)热敏电阻上的导电层，功能性压电陶瓷的金属化；和汽车应用，包括天线和可加热镜子、挡风玻璃和尾灯。技术实现要素：需要适用于太阳能电池的导电糊剂的组合物，其提供了优异的(降低的)接触电阻，而不对太阳能电池的p-n结产生不利影响，并且其在太阳能电池制造过程中在适于烧制导电糊剂的温度是流动的。本发明人已经惊奇地发现，包含在导电糊剂中的充分结晶的颗粒，可以产生与包含玻璃的糊剂所获结果一样好或者更好的结果。特别地，本发明人已经发现，包含金属化合物的充分结晶的颗粒的无机颗粒混合物是玻璃粉的合适替代品。因此，本发明的第一方面提供一种用于在基材上形成导电轨或涂层的导电糊剂，该糊剂包含分散在有机介质中的固体部分，该固体部分包含导电材料和无机颗粒混合物；其中该无机颗粒混合物包含具有通式axbyoz的化合物的充分结晶的颗粒和元素d的选自二元氧化物、碳酸盐、碳酸氢盐、硝酸盐、醋酸盐、草酸盐、甲酸盐和有机金属化合物的化合物的充分结晶的颗粒；其中：a是金属或两种不同的金属的混合物；b是不同于a的金属或类金属；d是金属或类金属；0<x≤2；y是整数；和z是整数；其中该固体部分基本上无铅。在第一方面的一些实施方案中，元素d的化合物是具有通式dmon的化合物；其中：d是金属或类金属；m是整数；和n是整数。在第二方面中，本发明提供一种用于在基材上形成导电轨或涂层的导电糊剂，该糊剂包含分散在有机介质中的固体部分，该固体部分包含导电材料和无机颗粒混合物；其中该无机颗粒混合物包含具有通式axbyoz的化合物的充分结晶的颗粒和te、bi或ce的选自二元氧化物、碳酸盐、碳酸氢盐、硝酸盐、醋酸盐、草酸盐、甲酸盐和有机金属化合物的化合物的充分结晶的颗粒；其中：a是金属或两种不同的金属的混合物；b是不同于a的金属或类金属；0<x≤2；y是整数；和z是整数。在第二方面的一些实施方案中，te、bi或ce的化合物是具有通式dmon的化合物；其中：d选自te、bi或ce；m是整数；和n是整数。在第二方面的一些实施方案中，te、bi或ce的化合物是二元氧化物，例如选自teo2、bi2o3和ceo2。在第三方面中，本发明提供一种用于在基材上形成导电轨或涂层的导电糊剂，该糊剂包含分散在有机介质中的固体部分，该固体部分包含导电材料和无机颗粒混合物；其中该无机颗粒混合物包含具有通式axbyoz的化合物的充分结晶的颗粒；其中a是金属或两种不同的金属的混合物；b是不同于a的金属或类金属；0<x≤2；y是整数；和z是整数；其中该固体部分基本上无铅和基本上无玻璃。本发明的第四方面是一种用于在基材上形成导电轨或涂层的导电糊剂，该糊剂包含分散在有机介质中的固体部分，该固体部分包含导电材料和无机颗粒混合物；其中该无机颗粒混合物包含具有通式axbyoz的化合物的充分结晶的颗粒；其中a是一种或多种碱金属；b是类金属；0<x≤2；y是整数；和z是整数。在这个方面的一些实施方案中，b选自b(硼)、si、ge、sb和te。在这个方面的一些实施方案中，b是te。在这个方面的一些实施方案中，x是2，和y是1。在这个方面的一些实施方案中，x是2，y是1，和z是3。本发明的第五方面是一种用于在基材上形成导电轨或涂层的导电糊剂，该糊剂包含分散在有机介质中的固体部分，该固体部分包含导电材料和无机颗粒混合物；其中该无机颗粒混合物包含具有通式axbyoz的化合物的充分结晶的颗粒；其中a是一种或多种碱金属；b是不同于a的金属或类金属；x是2；y是3；和z是整数。在这个方面的一些实施方案中，z是7。在这个方面的一些实施方案中，a选自li、na或li和na的混合物。在这个方面的一些实施方案中，b选自过渡金属。本发明的第六方面是一种用于在基材上形成导电轨或涂层的导电糊剂，该糊剂包含分散在有机介质中的固体部分，该固体部分包含导电材料和无机颗粒混合物；其中该无机颗粒混合物包含具有通式axbyoz的化合物的充分结晶的颗粒；其中其中：a是一种或多种金属；b是不同于a的金属或类金属；x小于1；y是整数；和z是整数。在这个方面的一些实施方案中，a是一种或多种碱金属。在这个方面的一些实施方案中，a是li。在这个方面的一些实施方案中，y是1。在这个方面的一些实施方案中，z是3。本发明的第七方面是一种制备根据第一至第六方面中任一项的导电糊剂的方法，其包括将有机介质和固体部分的组分以任何顺序混合。本发明的第八方面是一种制造太阳能电池的表面电极的方法，该方法包括将第一至第六方面中任一项所定义的导电糊剂施用到半导体基材，和烧制所施用的导电糊剂。本发明的第九方面是一种太阳能电池的电极，该电极包含在半导体基材上的导电轨，其中该导电轨通过或能够通过烧制半导体基材上的第一至第六方面中任一项所定义的糊剂来获得。本发明的第十方面是一种太阳能电池，其包含第九方面所定义的表面电极。本发明的第十一方面是第一至第六方面中任一项所定义的导电糊剂的用途，其用于制造太阳能电池的表面电极。本发明的第十二方面是具有通式axbyoz的添加剂的用途，其用于导电糊剂中来改进太阳能电池的比接触电阻，其中：a是金属或两种不同的金属的混合物；b是不同于a的金属或类金属；0<x≤2；y是整数；和z是整数。导电糊剂可以例如用于制造太阳能电池。使用金属化合物的充分结晶的颗粒的一个特别的优点是，它取消了导电糊剂制造方法中的玻璃形成步骤。玻璃形成步骤典型地具有高能量需求，因为它需要将玻璃前体加热到高于用于制造玻璃的结晶材料熔点的温度。玻璃典型地由于它们相对低的软化点和熔点而用于导电糊剂。典型地，导电糊剂中所用的玻璃在约400-700℃范围内的温度流动。本发明人已经惊奇地发现，虽然用于本发明糊剂中充分结晶的金属化合物的至少一些熔点相对较高，但是这些混合物仍然表现出与玻璃粉类似的流动和熔融行为，这使得它们能够按照与包含玻璃粉的糊剂类似的烧制曲线和制造方法来使用。在本文中，“充分结晶”表示具有穿过材料的长范围结构顺序的原子的结晶材料。这种材料不表现出玻璃化转变。这与例如无定形或玻璃状材料形成对比。通常，其他差异将在于充分结晶的材料将具有熔点，而非无定形材料所表现出的软化点，和充分结晶的材料将在xrd图案中产生多个不同的峰。如本领域技术人员将理解的，避免能量密集型玻璃形成步骤在用于太阳能电池的导电糊剂领域之外具有优势。本发明人认为，本发明也可应用于在其他电子应用例如本文所述那些中来形成导电轨和导电涂层的导电糊剂。本发明还涉及本文所述的无机共混物(无机颗粒混合物)本身。附图说明图1显示了用于实施例中制备的太阳能电池的示例性烧制曲线。图2显示了结晶化合物li2teo3的粉末x射线衍射图。具体实施方式现在将阐述本发明优选的和/或任选的特征。本发明的任何方面可以与本发明的任何其他方面相组合，除非上下文另有要求。任何方面的任何优选的和/或任选的特征可以单个地或组合地与本发明的任何方面相结合，除非上下文另有要求。例如，在讨论无机颗粒混合物含量时，原材料和粒度分布同等地适用于本发明涉及糊剂、方法和共混物的方面。本发明的导电糊剂包含有机介质和固体部分。该固体部分包含导电金属和无机颗粒混合物。将讨论它们每个，以及使用它们来制造导电糊剂的不同方法。固体部分-含量在一些实施方案中，固体部分包含0.1-15重量％的无机颗粒混合物。在一些实施方案中，固体部分包含80-99.9重量％的导电材料。无机颗粒混合物-含量本文所述的导电糊剂的固体部分含有无机颗粒混合物。在一些实施方案中，包含无机颗粒混合物可以降低导电糊剂的接触电阻。无机颗粒混合物的微粒性质意味着存在每个无机组分的离散的、分别的或单个的颗粒。该无机颗粒混合物包含充分结晶的颗粒。该充分结晶的颗粒不表现出玻璃化转变。在固体部分中，存在导电材料和无机颗粒混合物。它们可以是该固体部分的唯一组分。因此，该固体部分可以仅由导电材料和无机颗粒混合物组成。在本发明的一些实施方案中，固体部分中的无定形氧化物材料或玻璃的含量可以小于1重量％。该固体部分可以基本上无玻璃，例如该固体部分的玻璃含量可以小于1重量％，小于0.5重量％，小于0.25重量％，小于0.1重量％，小于0.05重量％，或小于0.01重量％，相对于该固体部分的总重量计。在一些实施方案中，该固体部分不包含任何有意添加的玻璃和/或任何有意形成的玻璃相。在本发明的一些实施方案中，固体部分基本上无铅，例如该固体部分的铅含量可以小于0.5重量％，优选小于0.25重量％，更优选小于0.05重量％，最优选小于0.01重量％。在一些实施方案中，该固体部分不包含任何有意添加的铅。本领域技术人员将理解，玻璃材料不与无定形材料同义，或者甚至不与结晶材料内的无定形区同义。玻璃材料表现出玻璃化转变。虽然玻璃会包含一些结晶域(它们可以不是完全无定形的)，但是它们不同于本文所述的离散的充分结晶的颗粒。当然，本领域技术人员将认识到，会形成一些无定形的或玻璃状的相，甚至当使用充分结晶原材料时，这是由于所用的处理条件的性质。在本发明的方面中，这是最小化的。例如，会存在研磨引起的氧化物颗粒的一些表面反应，或者原材料例如碳酸锂破坏时的碳沉积。但是，缺少玻璃化转变(即不表现出玻璃化转变)可以表征与已知材料的差异。具有通式axbyoz的化合物通常，本发明的无机颗粒混合物包含具有通式axbyoz的化合物的充分结晶的颗粒。在一些实施方案中，它们具有钙钛矿、尖晶石或青铜型结晶结构。在本申请中，无机颗粒混合物的组分的化学式并不总是使用仅整数值来表达。它们代表具有通式axbyoz的化合物中不同元素a、b和o之间的比率。特别地，x值不必是整数。o表示元素氧。“a”和“b”可以表示多种不同的元素。x、y和z值也可以变化。本领域技术人员将认识到，a、b、x、y或z的一种选择会影响a、b、x、y和z的剩余部分的选择。“a”通常是金属或两种金属的混合物。在一些实施方案中，a是氧化态为+1的金属。例如，它可以是碱金属，例如li、na或k或碱金属的混合物，例如li、na和k的任意两种的混合物。在某些实施方案中，a是li或na或其混合物。在一些实施方案中，a是氧化态为+2的金属或这种金属的混合物。在一些实施方案中，a是碱土金属例如mg、ca、sr或ba。在一些实施方案中，a是mg。在一些实施方案中，a是过渡金属，例如zn。在一些实施方案中，a不是ag。“b”通常是金属或类金属。例如，它可以选自过渡金属、后过渡金属、镧系元素和类金属。过渡金属是本领域技术人员所理解的。例子包括ti、mo、mn、w、cr、nb、v和zn。后过渡金属也是本领域技术人员所理解的。例子包括sn、pb和bi。在一些实施方案中，b选自过渡金属和类金属。如本文所使用，术语“类金属”表示选自b(硼)、si、ge、sb和te的元素。类金属可以选自te、si和sb。在一些实施方案中，类金属是te。在一些实施方案中，“b”选自过渡金属。例如，b可以选自ti、mo、mn、w、cr、nb、v和zn。在一些实施方案中，b可以是ti、mo、mn、w、v或cr。例如，它可以是ti、mo、mn或w。在某些实施方案中，b选自te、ti和w。在一些实施方案中，b不是ru。x是指示结晶结构中包含a的水平的值。通常，它是0-2。例如，x大于0。它可以大于或等于0.1，大于或等于0.2，大于或等于0.3，大于或等于0.4，大于或等于0.5，大于或等于0.6，大于或等于0.7，大于或等于0.8，大于或等于0.9，大于或等于1，大于或等于1.1，大于或等于1.2，大于或等于1.3，大于或等于1.4，大于或等于1.5，大于或等于1.6，大于或等于1.7，大于或等于1.8，或者大于或等于1.9。x小于或等于2。它可以小于或等于1.9，小于或等于1.8，小于或等于1.7，小于或等于1.6，小于或等于1.5，小于或等于1.4，小于或等于1.3，小于或等于1.2，小于或等于1.1，小于或等于1，小于或等于0.9，小于或等于0.8，小于或等于0.7，小于或等于0.6，小于或等于0.5，小于或等于0.4，小于或等于0.3，小于或等于0.2，小于或等于0.1。在一些实施方案中，x是2。在一些实施方案中，x是1。在一些实施方案中，x小于1。y是整数，在一些实施方案中是小于z的整数。在一些实施方案中，y是1。在一些实施方案中，y是2。在一些实施方案中，y是3。z是整数。在一些实施方案中，z选自1-10，例如1-8，例如2-7的整数。在一些实施方案中，z是2。在一些实施方案中，z是3。在一些实施方案中，z是7。在一些实施方案中，a是一种或多种氧化态小于或等于2的金属；b是不同于a的一种或多种金属或类金属；x小于1；y是1，和z是整数。在一些实施方案中，a是一种或多种碱金属；b是te；x是2；y是1，和z是整数。在一些实施方案中，a是一种或多种碱金属；b是不同于a的金属或类金属；x是2；y是3；和z是整数。现在将描述用于本发明的一些具有通式axbyoz的具体化合物。具有通式axbyoz的化合物可以具有通式ai2bio3，其中ai和bi分别如上面对于a和b所定义。ai可以选自li、na、k、zn、mg及其混合物。在一些实施方案中，ai是li。在一些实施方案中，ai是li和na的混合物。在ai是li和na的混合物的实施方案中，这两种元素可以以任何比率存在。在一些实施方案中，a中li:na摩尔比是1:1至8:1。在一些实施方案中，a中li:na摩尔比是1:1至3:1，例如2:1至3:1。bi可以选自mo、mn、w、te和bi。在一些实施方案中，bi是te。在那些实施方案中，具有通式axbyoz的化合物具有通式ai2teo3。在一些实施方案中，bi不是ru。具有通式axbyoz的化合物可以选自li2teo3和liaxbteo3，例如其中x是不同于li的碱金属(例如na)，并且a和b之和是2。具有通式axbyoz的化合物可以具有通式aiiqbiio3，其中aii和bii分别如上面对于a和b所定义，并且q是大于0且小于或等于1的值。aii可以选自li、na、k、zn、mg及其混合物。例如，它可以是li或na。在一些实施方案中，aii是na。在一些实施方案中，aii是li。在一些实施方案中，aii是k。bii可以选自mo、mn、w、te和bi。在一些实施方案中，bii是w。在那些实施方案中，具有通式axbyoz的化合物具有通式aiiqwo3。q大于0。它可以大于或等于0.1，大于或等于0.2，大于或等于0.3，大于或等于0.4，或者大于或等于0.5。q小于或等于1。它可以小于或等于0.9，小于或等于0.8，或者小于或等于0.7。在一些实施方案中，q是0.2-0.9，例如0.3-0.8，例如0.4-0.7。在一些实施方案中，q是约0.6，即约0.5-约0.7，或约0.55-约0.65。具有通式axbyoz的化合物可以是例如na0.6wo3、li0.6wo3或k0.6wo3。在某些实施方案中，它是li0.6wo3。具有通式axbyoz的化合物可以具有通式aiiibiiio4，其中aiii和biii如上面对于a和b所定义。aiii可以选自li、na、k及其混合物。例如，它可以是li或na。在一些实施方案中，aiii是na。在一些实施方案中，aiii是li。在一些实施方案中，aiii是k。biii可以选自mo、mn、w、te和bi。在一些实施方案中，biii是mn。在那些实施方案中，具有通式axbyoz的化合物具有通式aiiimno4。具有通式axbyoz的化合物可以是例如limno4、namno4或kmno4。在某些实施方案中，它是limno4。具有通式axbyoz的化合物可以具有通式aiv2bivo4，其中aiv和biv如上面分别对于a和b所定义。aiv可以选自li、na、k、zn和mg或其混合物。在一些实施方案中，aiv是li。biv可以选自mo、mn、w、te和bi。在一些实施方案中，biv是te。在那些实施方案中，具有通式axbyoz的化合物具有通式aiv2teo4。具有通式aiv2bivo4的化合物可以是li2teo4或liaxbteo4，其中x是不同于li的碱金属(例如na)，并且a和b之和是2。具有通式axbyoz的化合物可以具有通式av2bv3o7，其中av和bv如上面分别对于a和b所定义。av可以选自li、na、k、zn、mg及其混合物。例如，它可以是li或na。在一些实施方案中，av是na。在一些实施方案中，av是li。在一些实施方案中，av是k。bv可以选自ti、mo、mn、w、te和bi。在一些实施方案中，bv是ti。在那些实施方案中，具有通式axbyoz的化合物具有通式av2ti3o7。具有通式axbyoz的化合物可以是na2ti3o7。具有通式axbyoz的化合物的粒度在本发明中没有特别限制。典型地，d50粒度可以是至少0.25μm，例如至少0.3μm，至少0.4μm，至少0.5μm，或至少1μm。d50粒度可以是15μm或更低，10μm或更低，5μm或更低，4μm或更低，3μm或更低，或者2μm或更低。粒度可以使用激光衍射方法(例如使用malvernmastersizer2000)测量。axbyoz包含处于单晶相的两种或更多种不同的金属/类金属元素。本领域技术人员理解，在结晶相和可能的次级相中存在多种类型的金属/类金属原子或离子可以使用xrd鉴别，来证实具有通式axbyoz的化合物的充分结晶的颗粒的晶体结构对应于多个金属/类金属的化合物(例如氧化物)的晶体结构。可以使用的其他技术包括tem和sem-ebsd。如本领域技术人员也将理解的，多个金属/类金属的化合物会包含偶然的杂质，其可以是不同的金属/类金属原子或离子，或者可以是与a或b相同但不同氧化态的金属/类金属。这种偶然的杂质将以非常低的水平(例如<1mol％，或<0.5mol％，相对于所述的整个金属/类金属化合物)存在于金属/类金属化合物中，并且将对本发明的糊剂不产生不利影响。元素d的化合物元素d的化合物可以选自二元氧化物、碳酸盐、碳酸氢盐、硝酸盐、醋酸盐、草酸盐、甲酸盐和有机金属化合物。如本文所使用，术语“二元氧化物”指的是包含氧和仅另一元素的氧化物化合物。因此，元素d的二元氧化物是仅包含氧和元素d原子的化合物。根据本发明的一些方面，元素d的化合物是具有通式dmon的化合物。在具有通式dmon的化合物中，d是金属或类金属，m是整数，和n是整数。在一些实施方案中，d是不同于a和b每个的金属或类金属。在一些实施方案中，d是与a相同的金属，或者其中a是金属的混合物，d与a的金属之一相同。在一些实施方案中，d是与b相同的金属或类金属。在一些实施方案中，d选自碱金属、碱土金属、过渡金属、后过渡金属、类金属和镧系元素。在一些实施方案中，d也可以选自一些类金属，例如p。在一些实施方案中，d选自碱金属，例如li、na、k或rb。在一些实施方案中，d是li或na。在一些实施方案中，d选自碱土金属，例如mg、ca、sr或ba。在一些实施方案中，d选自过渡金属，例如zn或w。在一些实施方案中，d选自后过渡金属，例如bi。在一些实施方案中，d选自类金属，例如te。在一些实施方案中，d选自镧系元素，例如ce。在一些实施方案中，d选自te、ce、bi、si、li、na、k、rb、zn、mo、cr、w、ba、sr、mg、p、ge、ca、zr、cu、ag和al。在一些实施方案中，d选自te、ce、bi、si、li、na、k、rb、zn、mo、cr、w、ba和p。在一些实施方案中，d选自bi、te、w、ce和zn。在一些实施方案中，d选自te、bi和ce。在一些实施方案中，具有通式dmon的化合物包含碲的化合物的充分结晶的颗粒，例如氧化碲，例如副黄碲矿或teo2。在一些实施方案中，具有通式dmon的化合物包括铈的化合物的充分结晶的颗粒，例如氧化铈或ceo2。在一些实施方案中，具有通式dmon的化合物包含铋的化合物的充分结晶的颗粒，例如氧化铋(bi2o3)。在某些实施方案中，“d”包含基本上仅一种类型的金属或类金属元素。即可以在具有通式dmon的化合物中存在基本上仅单个阳离子物质。例如，基本上仅单个类型的金属/类金属原子或离子的存在可以使用xrd鉴别，来证实具有通式dmon的化合物的充分结晶的颗粒的晶体结构对应于单个金属或类金属的化合物(例如氧化物)的晶体结构。如本领域技术人员将理解的，单个金属或类金属的化合物可以包含偶然的杂质，其可以是不同的金属/类金属原子或离子。这种偶然的杂质在金属/类金属化合物中以非常低的水平存在(例如<1mol％，或<0.5mol％，相对于所述的整个金属/类金属化合物)。此外，加工金属/类金属化合物(例如共研磨)会引起该化合物的一些表面改性或反应。但是，在这种情况中，材料本体保留单个金属/类金属的化合物，并且仍然可以如上所述通过xrd鉴别。在一些实施方案中，m是选自1和2的整数。在一些实施方案中，n是选自1、2和3的整数。在一些实施方案中，m和n都是1。在一些实施方案中，m和n之一是1，和另一个是2。在一些实施方案中，m是1和n是2。在一些实施方案中，m是1，和n是3。在一些实施方案中，m是2，和n是3。可以包含在本发明中的dmon所示的一些具体化合物包括teo2、li2o、bi2o3、zno、mgo、ce2o3、ceo2、na2o、moo3和wo3。在本发明的一些方面中，除了具有通式axbyoz的化合物之外，无机颗粒混合物进一步包含te、bi或ce的选自二元氧化物、碳酸盐、碳酸氢盐、硝酸盐、醋酸盐、草酸盐、甲酸盐和有机金属化合物的化合物。在一些实施方案中，te、bi或ce的化合物选自二元氧化物、碳酸盐、碳酸氢盐、硝酸盐、醋酸盐、草酸盐和甲酸盐。在一些实施方案中，te、bi或ce的化合物选自二元氧化物、碳酸盐和碳酸氢盐。在一些实施方案中，te、bi或ce的化合物是二元氧化物。辅助无机材料通常，除了具有通式axbyoz的化合物的颗粒(在一些方面中，除了上述无机颗粒混合物的其他组分之外)，该无机颗粒混合物可以进一步包含一种或多种另外的不同微粒无机材料(下文称作“辅助无机材料”)例如金属或类金属化合物，例如氧化物、碳酸盐、硝酸盐、碳酸氢盐、草酸盐、醋酸盐或甲酸盐。该辅助无机材料可以含有非氧化物材料，和可以由非氧化物的材料形成。在一些实施方案中，这些辅助无机材料含有一种或多种具有通式dmon的化合物，如上所述。另外地或替代地，这些辅助无机材料含有一种或多种具有通式axbyoz的化合物，如上所述。因此，在一些实施方案中，无机颗粒混合物包含具有通式axbyoz的化合物，任选地一种或多种另外的不同具有通式axbyoz的化合物，和/或一种或多种具有通式dmon的化合物。无机颗粒混合物的粒状性质意味着存在每个无机组分的离散的、分别的或单个的颗粒。在一些实施方案中，辅助无机材料可以包含充分结晶的颗粒，或者由其组成。该充分结晶的颗粒不表现出玻璃化转变。该辅助无机材料可以包含金属或类金属氧化物。对本领域技术人员来说，很显然许多这样的氧化物是已知的。该辅助无机材料可以包含充分结晶的颗粒，其通常是金属或类金属化合物的充分结晶的颗粒。该辅助无机材料的每种金属或类金属化合物可以例如选自氧化物、碳酸盐或硝酸盐。特别地，可以预期通常用于太阳能电池导电糊剂制造领域的化合物(例如氧化物)种类。可以包含在辅助无机材料中的一些具体的金属或类金属化合物包括以下的一种或多种：teo2、li2o、li2co3、bi2o3、bi5o(oh)9(no3)4、zno、mgo、ce2o3、ceo2、na2o、na2co3、h2wo4、moo2、wo2、moo3和wo3。例如，在一些实施方案中，辅助无机材料包含碲化合物的充分结晶的颗粒，例如碲氧化物，例如副黄碲矿或teo2。在一些实施方案中，该辅助无机材料包含铈的化合物的充分结晶的颗粒，例如氧化铈或ceo2。在一些实施方案中，该辅助无机材料包含铋的化合物的充分结晶的颗粒，例如硝酸铋，或氧化铋(bi2o3)。辅助无机材料可以包含两种或更多种不同的金属或类金属化合物，在一些实施方案中三种或更多种、四种或更多种、五种或更多种或者六种或更多种不同的金属/类金属化合物。辅助无机材料中所含的不同化合物的含量当然可以不同。可以存在1、2、3或更多种化合物，其存在量明显高于所含的其他化合物。例如，在一些实施方案中，碲的化合物(例如teo2)的含量高于任何其他金属/类金属化合物的含量。在一些实施方案中，碲的化合物和铋的化合物是存在量最高的两种化合物——即碲化合物和铋化合物之一是存在量最高的化合物，其他是存在量第二高的化合物。如本文所使用，量可以指的是重量含量。在某些实施方案中，辅助无机材料中的一种或多种(例如每个)金属/类金属化合物包含基本上仅一种类型的金属/类金属元素。即，在该辅助无机材料所含的给定化合物中可以存在基本上仅单个阳离子物质。例如，基本上仅单个类型的金属/类金属原子或离子可以使用xrd鉴别，来证实化合物的充分结晶的颗粒的晶体结构对应于单个金属或类金属的化合物(例如氧化物)的晶体结构。如本领域技术人员将理解的，单个金属或类金属的化合物可以包含偶然的杂质，其可以是不同的原子或离子。这种偶然的杂质在化合物中以非常低的水平(例如<1mol％，或<0.5mol％，相对于所述的整个化合物)存在。此外，加工该化合物(例如共研磨)会引起该化合物的一些表面改性或反应。但是，在这种情况中，材料本体保留了单个金属/类金属的化合物，仍然可以通过上述xrd来鉴别。辅助无机材料中的金属/类金属化合物的两种或更多种，在一些实施方案中三种或更多种、四种或更多种、五种或更多种或者六种或更多种的化合物包含基本上仅一种类型的金属/类金属元素。因此，在一些实施方案中，辅助无机材料中包含的每个化合物或其他材料包含仅一种类型的金属或类金属元素。所以，该辅助无机材料可以基本上没有混合的金属/类金属化合物，例如混合氧化物。混合氧化物包含多于一种类型的金属/类金属元素。混合氧化物可以是充分结晶或基本上无定形。特别地，无定形混合氧化物可以是玻璃粉。如本文所使用，术语“基本上没有混合氧化物”意在包含不含有意添加的混合氧化物的辅助无机材料。例如，该辅助无机材料可以包含小于0.1重量％的混合氧化物，例如小于0.05重量％，小于0.01重量％，或小于0.005重量％的混合氧化物。例如，该辅助无机材料可以不含有意添加的混合氧化物。如本文所使用，术语“基本上没有混合金属化合物”应当类似地解释。例如，该辅助无机材料可以是基本上无玻璃的。除了另有规定之外，本文所述的无机化合物含量作为重量百分比给出。这些重量百分比相对于无机颗粒混合物的总重量。重量百分比是制备无机颗粒混合物或导电糊剂中用作起始材料的组分的百分比，基于氧化物计，除非另有规定。本文所述的辅助无机材料通常没有限制。适用于太阳能电池的导电糊剂的许多不同氧化物是本领域公知的。优选的是，辅助无机材料可以是基本上无铅的，例如，该辅助无机材料可以包含小于0.1重量％的pbo，例如小于0.05重量％，小于0.01重量％，或小于0.005重量％的pbo。无铅材料提供了低毒性的最终产物。优选的是，辅助无机材料可以是基本上无硼的。如本文所使用，术语“基本上无硼”意在包含不含有意添加的硼的辅助无机材料。例如，该辅助无机材料可以包含小于0.1重量％的硼(按b2o3计算)，例如小于0.05重量％，小于0.01重量％，或小于0.005重量％(按b2o3计算)。在一些实施方案中，辅助无机材料包含碲的化合物，例如teo2。无机颗粒混合物可以包含至少20重量％，至少25重量％，或至少30重量％的碲的化合物(按teo2计算)。该无机颗粒混合物可以包含80重量％或更低，75重量％或更低，70重量％或更低，65重量％或更低，或者60重量％或更低的碲的化合物(按teo2计算)。例如，该无机颗粒混合物可以包含30-65重量％的碲的化合物(按teo2计算)。在一些实施方案中，辅助无机材料包含铋的化合物，例如bi2o3。无机颗粒混合物可以包含至少10重量％，至少15重量％，至少18重量％，至少20重量％，或至少25重量％的铋的化合物(按bi2o3计算)。该无机颗粒混合物可以包含60重量％或更低，55重量％或更低，50重量％或更低，或者45重量％或更低的铋的化合物(按bi2o3计算)。例如，该无机颗粒混合物可以包含20-50重量％的铋化合物(按bi2o3计算)。可选地，铋的化合物可以是硝酸铋，例如bi5o(oh)9(no3)4。铋的硝酸盐(例如bi5o(oh)9(no3)4)在无机颗粒混合物中的用量可以是至少10重量％，至少15重量％，至少18重量％，至少20重量％，或至少25重量％。它的用量可以是60重量％或更低，55重量％或更低，50重量％或更低，或者45重量％或更低。例如，它的用量可以是20-50重量％。在一些实施方案中，可以优选使用bi2o3。在一些实施方案中，辅助无机材料包括铈的化合物(例如ceo2)。无机颗粒混合物可以包含0重量％或更大，例如至少00.1重量％，至少0.2重量％，至少0.5重量％，至少1重量％，至少1.5重量％，至少2重量％，至少2.5重量％，或至少3重量％的铈的化合物(按ceo2计算)。该无机颗粒混合物可以包含22重量％或更低，20重量％或更低，17重量％或更低，15重量％或更低，14重量％或更低，13重量％或更低，12重量％或更低，11重量％或更低，10重量％或更低，或者8重量％或更低的铈的化合物(按ceo2计算)。一种特别合适的ceo2含量是1重量％-15重量％。辅助无机材料可以包含硅的化合物(例如sio2)。例如，无机颗粒混合物可以包含0重量％或更高，0.1重量％或更高，0.5重量％或更高，或1重量％或更高，2重量％或更高，或者2.5重量％或更高的硅的化合物(按sio2计算)。该无机颗粒混合物可以包含20重量％或更低，15重量％或更低，10重量％或更低，7重量％或更低，或者5重量％或更低的硅的化合物(按sio2计算)。例如，该无机颗粒混合物可以包含0.1-7重量％的sio2。在一些实施方案中，优选的是辅助无机材料可以是基本上无硅的。如本文所使用，术语“基本上无硅”意在包含不含有意添加的硅的辅助无机材料。例如，该辅助无机材料可以包含小于0.1重量％的硅(按sio2计算)，例如小于0.05重量％，小于0.01重量％，或小于0.005重量％的硅(按sio2计算)。辅助无机材料可以包含碱金属化合物，例如选自锂、钠、钾和铷的化合物的一种或多种，优选选自锂、钠和钾的化合物的一种或多种，更优选地，锂和钠的化合物的一种或两种。一种或多种(例如每个)碱金属化合物可以便利地是碱金属碳酸盐。在一些实施方案中，优选的是该辅助无机材料包含锂的化合物，例如碳酸锂。辅助无机材料可以包含0重量％或更高，0.1重量％或更高，0.5重量％或更高，或者1重量％或更高的碱金属化合物，基于氧化物计算。该辅助无机材料可以包含20重量％或更低，19重量％或更低，18重量％或更低，15重量％或更低，12重量％或更低的碱金属化合物，基于氧化物计算。要注意的是，可以用于制备包含锂的化合物的辅助无机材料和导电糊剂的一种特别的原材料是li2co3。它可以用作原材料，其量是无机颗粒混合物的0重量％或更高，1重量％或更高，2重量％或更高，4重量％或更高，5重量％或更高，或者6重量％或更高。它可以以无机颗粒混合物的20重量％或更低，15重量％或更低，13重量％或更低，6重量％或更低，10重量％或更低，或者8重量％或更低的量用作原材料。例如，它可以以无机颗粒混合物的5-12.5重量％的量用作原材料。要注意的是，可以用于制备包含钠的化合物的辅助无机材料和导电糊剂的一种特别的原材料是na2co3。它可以以无机颗粒混合物的0重量％或更高，0.05重量％或更高，0.1重量％或更高，1重量％或更高，2重量％或更高，或者3重量％或更高的量用作原材料。它可以以无机颗粒混合物的20重量％或更低，15重量％或更低，13重量％或更低，6重量％或更低，10重量％或更低，8重量％或更低，7重量％或更低，6重量％或更低，或者5重量％或更低的量用作原材料。例如，它可以以无机颗粒混合物的0.05-4重量％的量用作原材料。在一些实施方案中，辅助无机材料包含碲的化合物和锂的化合物二者。例如，可以包含氧化碲和氧化锂二者。这些锂和碲的化合物的比率也可以在本发明的方面中加以控制。例如，无机颗粒混合物中的te与li摩尔比(te:li比)可以是1:1至100:1。te:li比可以是至少2:1，至少3:1，至少4:1，至少5:1，或至少6:1。te:li比可以是100:1或更低，50:1或更低，25:1或更低，20:1或更低，15:1或更低，10:1或更低，8:1或更低，7.5:1或更低，或7:1或更低。例如，无机颗粒混合物中te与li摩尔比(te:li比)可以是3:1至10:1，例如5:1至8:1。辅助无机材料可以包含锌的化合物(例如zno)。例如，无机颗粒混合物可以包含0重量％或更高，0.1重量％或更高，0.5重量％或更高，1重量％或更高，或者1.2重量％或更高的锌的化合物(按zno计算)。无机颗粒混合物可以包含15重量％或更低，10重量％或更低，7重量％或更低，或者5重量％或更低的锌的化合物(按zno计算)。例如，无机颗粒混合物可以包含0.5-7重量％的锌的化合物，按zno计算。在一些实施方案中，优选的是辅助无机材料是基本上无锌的。如本文所使用，术语“基本上无锌”意在包含不含有意添加的锌的辅助无机材料。例如，辅助无机材料可以包含小于0.1重量％的锌(按zno计算)，例如小于0.05重量％，小于0.01重量％，或小于0.005重量％的锌(按zno计算)。辅助无机材料可以包含钼的化合物(例如moo3)。例如，无机颗粒混合物可以包含0重量％或更高，0.1重量％或更高，0.5重量％或更高的钼的化合物(按moo3计算)。无机颗粒混合物可以包含10重量％或更低，5重量％或更低，或3重量％或更低的钼的化合物(按moo3计算)。例如，无机颗粒混合物可以包含0.1-5重量％的钼(按moo3计算)。在一些实施方案中，优选的是辅助无机材料可以是基本上无钼的。如本文所使用，术语“基本上无钼”意在包含不含有意添加的钼的辅助无机材料。例如，辅助无机材料可以包含小于0.1重量％的钼(按moo3计算)，例如小于0.05重量％，小于0.01重量％，或小于0.005重量％的钼(按moo3计算)。辅助无机材料可以包含铬的化合物(例如cr2o3)。例如，无机颗粒混合物可以包含0重量％或更高，0.1重量％或更高，0.5重量％或更高的铬的化合物(按cr2o3计算)。无机颗粒混合物可以包含10重量％或更低，5重量％或更低，或者3重量％或更低的铬(按cr2o3计算)。例如，无机颗粒混合物可以包含0.1-5重量％的铬(按cr2o3计算)。在一些实施方案中，优选的是辅助无机材料可以是基本上无铬的。如本文所使用，术语“基本上无铬”意在包含不含有意添加的铬的辅助无机材料。例如，辅助无机材料可以包含小于0.1重量％的铬(按cr2o3计算)，例如小于0.05重量％，小于0.01重量％，或小于0.005重量％的铬(按cr2o3计算)。辅助无机材料可以包含钨的化合物(例如wo3)。例如，无机颗粒混合物可以包含0重量％或更高，0.1重量％或更高，0.5重量％或更高的钨的化合物(按wo3计算)。无机颗粒混合物可以包含15重量％或更低，10重量％或更低，或5重量％或更低的钨的化合物(按wo3计算)。例如，无机颗粒混合物可以包含0.1-5重量％的钨的化合物(按wo3计算)。在一些实施方案中，优选的是辅助无机材料可以是基本上无钨的。如本文所使用，术语“基本上无钨”意在包含不含有意添加的钨的辅助无机材料。例如，辅助无机材料可以包含小于0.1重量％的钨(按wo3计算)，例如小于0.05重量％，小于0.01重量％，或小于0.005重量％的钨(按wo3计算)。辅助无机材料可以包含钡的化合物(例如bao或baco3)。例如，无机颗粒混合物可以包含0重量％或更高，0.1重量％或更高，0.5重量％或更高的钡的化合物(分别按bao或baco3计算)。无机颗粒混合物可以包含10重量％或更低，5重量％或更低，或者3重量％或更低的钡的化合物(分别按bao或baco3计算)。例如，无机颗粒混合物可以包含0.1-5重量％的钡的化合物(分别按bao或baco3计算)。辅助无机材料可以包含磷化合物(例如p2o5)。例如，无机颗粒混合物可以包含0重量％或更高，0.1重量％或更高，0.5重量％或更高，或者1重量％或更高的磷的化合物(按p2o5计算)。无机颗粒混合物可以包含10重量％或更低，7重量％或更低，5重量％或更低，或者3重量％或更低的磷的化合物(按p2o5计算)。辅助无机材料可以包含另外的组分例如另外的氧化物组分。典型地，该辅助无机材料将包含20重量％或更低，10重量％或更低，7重量％或更低，5重量％或更低，3重量％或更低，2重量％或更低，或者1重量％或更低的总量的另外的组分。该辅助无机材料可以包含至少0.1重量％的另外的组分。该另外的组分可以是选自锗、钙、锆、铜、银和铝的化合物中的一种或多种，例如geo2、cao、zro2、cuo、ag2o和al2o3。无机颗粒混合物的成分的选择可以通过烧制时期望的流动行为来引导。本发明人已经发现某些混合物特别合适。例如，无机颗粒混合物可以优选含有提供碲源(例如teo2)和碱金属源，优选锂(例如li2co3或li2o)的成分的混合物。还可以包含铋源(例如bi2o3或bi5o(oh)9(no3)4)。还可以包含锌源(例如zno)。含量可以如上所述。在一些实施方案中，无机颗粒混合物包含上述的具有通式axbyoz的化合物的充分结晶的颗粒，以及辅助无机材料，其中辅助无机材料提供了不同于a和b二者的至少一种金属或类金属的源。因此，例如在a是锂和b是碲的情况中，在这些实施方案中，辅助无机材料包含提供非li或te(因此可以是例如bi和/或ce和/或zn和/或ba)的金属/类金属的源的至少一种金属或类金属化合物。在一些实施方案中，无机颗粒混合物包含上述的具有通式axbyoz的化合物的充分结晶的颗粒，以及辅助无机材料，其中该辅助无机材料提供了2、3、4或5种不同的金属/类金属的源，其每个不同于a和b二者。在一些实施方案中，无机颗粒混合物包含上述的具有通式axbyoz的化合物的充分结晶的颗粒，以及辅助无机材料，其中该辅助无机材料由至少一种金属/类金属氧化物和/或碳酸盐化合物组成，每个含有单个金属/类金属，和其中该辅助无机材料提供至少一种金属或类金属的源，其不同于a和b二者。本发明人已经发现，当无机颗粒混合物包含axbyoz作为a和b的源时，形成的银触点的接触电阻低于(即优于)相应的无机颗粒混合物，其含有相同摩尔量的全部金属/类金属但其中a和b仅分别通过a和b分别的化合物提供。无机颗粒混合物可以基本上本文所述的组合物，和偶然的杂质组成。在那种情况中，如本领域技术人员将容易理解，所述的成分的总重量％将是100重量％，任何余量是偶然的杂质。例如，在一个实施方案中，无机颗粒混合物可以由上述的具有通式axbyoz的化合物的充分结晶的颗粒、上述的辅助无机材料和偶然的杂质组成。在另一实施方案中，无机颗粒混合物可以由上述的具有通式axbyoz的化合物的充分结晶的颗粒、上述的具有通式dmon的化合物的充分结晶的颗粒、上述的辅助无机材料和偶然的杂质组成。典型地，任何偶然的杂质的存在量将是0.1重量％或更低，0.05重量％或更低，0.01重量％或更低，0.05重量％或更低，0.001重量％或更低，或者0.0001重量％或更低。本发明的导电糊剂的固体部分可以包含0.1-15重量％的无机颗粒混合物。导电糊剂的固体部分可以包含至少0.5重量％，或至少1重量％的无机颗粒混合物。导电糊剂的固体部分可以包含10重量％或更低，7重量％或更低，或者5重量％或更低的无机颗粒混合物。可以优选的是，无机颗粒混合物包含至少锂和碲的化合物。可以优选的是，无机颗粒混合物包含至少锂、碲和铋的化合物。可以优选的是，无机颗粒混合物包含至少锂、碲和锌的化合物。可以优选的是，无机颗粒混合物包含至少锂、碲、锌和铋的化合物。可以优选的是，无机颗粒混合物包含至少锂、碲、钠、铋和锌的化合物。可以优选的是，无机颗粒混合物包含至少锂、碲和铈的化合物。可以优选的是，无机颗粒混合物包含至少锂、碲、铈和铋的化合物。可以优选的是，无机颗粒混合物包含至少锂、碲、铈和锌的化合物。可以优选的是，无机颗粒混合物包含至少锂、碲、锌、铈和铋的化合物。可以优选的是，无机颗粒混合物包含至少锂、碲、钠、铋、铈和锌的化合物。无机颗粒混合物-粒度在一些实施方案中，无机颗粒混合物具有粒度分布，其中(a)d10≤0.41μm；(b)d50≤1.6μm；(c)d90≤4.1μm；(d)(d50-d10)≤1.15μm；(e)(d90-d50)≤2.5μm；(f)(d90-d10)≤3.7μm；或(g)(d50/d10)≤3.85。这些要求中的一种或多种、两种或更多种、三种或更多种、四种或更多种、五种或更多种或者六种或更多种可以在本发明中满足。在一些实施方案中，满足要求(a)。在一些实施方案中，满足要求(b)。在一些实施方案中，满足要求(c)。在一些实施方案中，满足要求(d)。在一些实施方案中，满足要求(e)。在一些实施方案中，满足要求(f)。在一些实施方案中，满足要求(g)。这些要求的任意组合可以在本发明的一些实施方案中满足。关于要求(a)，d10是0.41μm或更低，例如0.4μm或更低，0.39μm或更低，0.35μm或更低，0.32μm或更低，0.3μm或更低，0.28μm或更低，0.25μm或更低，或者0.24μm或更低。d10值优选是0.4μm或更低。典型地，d10粒度可以是至少0.1μm，至少0.12μm，至少0.14μm，至少0.17μm，或至少0.2μm。因此，在一些实施方案中，d10在0.2μm≤d10≤0.4μm的范围内。关于要求(b)，无机颗粒混合物的d50优选小于或等于1.6μm。d50可以是1.55μm或更低，1.5μm或更低，1.45μm或更低，1.4μm或更低，1.35μm或更低，1.3μm或更低，1.25μm或更低，1.2μm或更低，1.15μm或更低，1.1μm或更低，1.05μm或更低，1μm或更低，或者0.95μm或更低。d50值优选是1.05μm或更低。典型地，d50粒度可以是至少0.1μm，至少0.3μm，至少0.5μm，或至少0.8μm。因此，在一些实施方案中，d50在0.3μm≤d50≤1.05μm的范围内。关于要求(c)，无机颗粒混合物的d90优选小于或等于4.1μm。d90可以是4μm或更低，3.8μm或更低，3.6μm或更低，3.4μm或更低，3.2μm或更低，3μm或更低，2.8μm或更低，2.6μm或更低，2.4μm或更低，2.2μm或更低，2.1μm或更低，2μm或更低，或者1.9μm或更低。d90值优选是2.2μm或更低。典型地，d90粒度可以是至少1μm，至少1.2μm，至少1.4μm，或至少1.5μm。因此，在一些实施方案中，d90在1.4μm≤d90≤2.2μm的范围内。关于要求(d)，(d50-d10)是1.15μm或更低，例如1.1μm或更低，1μm或更低，0.8μm或更低，0.6μm或更低，0.59μm或更低，0.58μm或更低，0.57μm或更低，0.56μm或更低，0.55μm或更低，0.54μm或更低，或者0.53μm或更低。(d50-d10)值优选是0.6μm或更低。典型地，d50与d10的差值可以是至少0.1μm，至少0.2μm，至少0.3μm，或至少0.35μm。因此，在一些实施方案中，(d50-d10)在0.3μm≤(d50-d10)≤0.6μm的范围内。关于要求(e)，(d90-d50)是2.5μm或更低，例如2μm或更低，1.75μm或更低，1.5μm或更低，1.25μm或更低，1.15μm或更低，1.1μm或更低，1.05μm或更低，1μm或更低，或者0.95μm或更低。(d90-d50)值优选是1.15μm或更低。典型地，d90与d50的差值可以是至少0.5μm，至少0.6μm，至少0.7μm，或至少0.75μm。因此，在一些实施方案中，(d90-d50)在0.6μm≤(d90-d50)≤1.15μm的范围内。关于要求(f)，(d90-d10)，即d90与d10的差值，优选小于或等于3.7μm。(d90-d10)值可以是3.5μm或更低，3μm或更低，2.5μm或更低，2μm或更低，1.8μm或更低，1.6μm或更低，1.5μm或更低，1.45μm或更低，1.4μm或更低，或者1.35μm或更低。(d90-d10)值优选是1.8μm或更低。典型地，(d90-d10)可以是至少1μm，至少1.1μm，至少1.2μm，或至少1.3μm。因此，在一些实施方案中，(d90-d10)在1.1μm≤(d90-d10)≤1.8μm的范围内。关于要求(g)，(d50/d10)，即d50除以d10所得的值，小于或等于3.85。(d50/d10)的值可以是3.8或更低，3.7或更低，3.6或更低，3.5或更低，3.4或更低，3.3或更低，3.2或更低，3.1或更低，3或更低，2.8或更低，或者2.6或更低。(d50/d10)的值优选是3.6或更低。典型地，(d50/d10)可以是至少1，至少1.5，至少2，或至少2.3μm。因此，在一些实施方案中，(d50/d10)在2.2≤(d50/d10)≤3.6的范围内。本文所述的粒度和分布可以使用激光衍射方法(例如使用malvernmastersizer2000)测定。玻璃粉虽然在本发明的一些实施方案中优选固体部分是基本上无玻璃的，但是其他实施方案中，如上所述，除了导电材料和无机颗粒混合物之外，本发明的固体部分可以进一步包含玻璃粉的颗粒。本文所述的玻璃粉组成以重量百分比给出。这些重量百分比相对于玻璃粉的总重量。重量百分比是制备玻璃粉组合物中用作起始材料的组分的百分比，基于氧化物计。如本领域技术人员将理解的，起始材料例如氧化物、碳酸盐或硝酸盐可以用于制备本发明的玻璃。在使用非氧化物起始材料来将具体元素供给到玻璃粉的情况中，使用适量的起始材料来提供等摩尔量的元素，该元素的氧化物已经以所述的重量％提供。这种限定玻璃组成的方案是本领域常规的。如本领域技术人员将容易理解的，挥发性物质(例如氧)会在玻璃粉制造方法中损失，因此形成的玻璃粉的组成不能精确对应于起始材料的重量百分比，其在此基于氧化物计给出。通过本领域技术人员已知的方法例如感应耦合等离子体发射光谱(icp-es)分析烧制玻璃粉，可以用于计算所述的玻璃粉组合物的起始组分。本文所述的玻璃粉通常没有限制。适用于太阳能电池的导电糊剂的许多不同的玻璃粉组合物是本领域公知的。可以优选的是，玻璃粉是基本上无铅的，例如该玻璃粉可以包含小于0.1重量％的pbo，例如小于0.05重量％，小于0.01重量％，或小于0.005重量％的pbo。可以优选的是，玻璃粉是基本上无硼的。如本文所使用，术语“基本上无硼”意在包含不含有意添加的硼的玻璃组合物。例如，该玻璃粉可以包含小于0.1重量％b2o3，例如小于0.05重量％，小于0.01重量％，或小于0.005重量％的b2o3。在一些实施方案中，玻璃粉包含teo2。该玻璃粉可以包含至少20重量％，至少25重量％，至少30重量％，至少35重量％，至少40重量％，或至少45重量％的teo2。该玻璃粉可以包含70重量％或更低，65重量％或更低，或者60重量％或更低的teo2。例如，该玻璃粉可以包含35-65重量％的teo2。在一些实施方案中，玻璃粉包含bi2o3。该玻璃粉可以包含至少10重量％，至少15重量％，至少18重量％，至少20重量％，或至少25重量％的bi2o3。该玻璃粉可以包含60重量％或更低，55重量％或更低，50重量％或更低，或者45重量％或更低的bi2o3。例如，该玻璃粉可以包含20-50重量％的bi2o3。在某些实施方案中，玻璃粉可以是碲-铋玻璃粉。在一些实施方案中，玻璃粉包含ceo2。该玻璃粉可以包含0重量％或更高，例如至少00.1重量％，至少0.2重量％，至少0.5重量％，至少1重量％，至少1.5重量％，至少2重量％，至少2.5重量％，至少3重量％的ceo2，至少3.5重量％的ceo2，至少4重量％的ceo2，至少4.5重量％的ceo2，至少5重量％的ceo2，至少6重量％的ceo2，或至少7重量％的ceo2。该玻璃粉可以包含22重量％或更低，20重量％或更低，17重量％或更低，15重量％或更低，14重量％或更低，13重量％或更低，12重量％或更低，11重量％或更低，10重量％或更低，或者5重量％或更低的ceo2。一种特别合适的ceo2含量是1重量％-15重量％。玻璃粉可以包含sio2。例如，该玻璃粉可以包含0重量％或更高，0.1重量％或更高，0.5重量％或更高，或1重量％或更高，2重量％或更高，或者2.5重量％或更高的sio2。该玻璃粉可以包含20重量％或更低，15重量％或更低，10重量％或更低，7重量％或更低，或者5重量％或更低的sio2。例如，该玻璃粉可以包含0.1-7重量％的sio2。在一些实施方案中，可以优选的是，玻璃粉是基本上无硅的。如本文所使用，术语“基本上无硅”意在包含不含有意添加的硅的玻璃组合物。例如，该玻璃粉可以包含小于0.1重量％的sio2，例如小于0.05重量％，小于0.01重量％，或者小于0.005重量％的sio2。玻璃粉可以包含碱金属氧化物，例如选自li2o、na2o、k2o、和rb2o的一种或多种，优选选自li2o、na2o和k2o的一种或多种，更优选li2o和na2o的一种或两种。在一些实施方案中，优选该玻璃粉包含li2o。玻璃粉可以包含0重量％或更高，0.1重量％或更高，0.5重量％或更高，或者1重量％或更高的碱金属氧化物。该玻璃粉可以包含10重量％或更低，8重量％或更低，7重量％或更低，5重量％或更低，4重量％或更低的碱金属氧化物。玻璃粉可以包含0重量％或更高，0.1重量％或更高，0.5重量％或更高，或者1重量％或更高的li2o。该玻璃粉可以包含10重量％或更低，8重量％或更低，7重量％或更低，6重量％或更低，5重量％或更低，4重量％或更低的li2o。例如，该玻璃粉可以包含0.5-6重量％的li2o。在一些实施方案中，可以优选的是，玻璃粉包含li2o和na2o二者。该玻璃粉可以包含0.1重量％或更高，0.5重量％或更高，1重量％或更高，2重量％或更高，或者3重量％或更高的总量的li2o和na2o。该玻璃粉可以包含10重量％或更低，8重量％或更低，7重量％或更低，6重量％或更低，5重量％或更低，4重量％或更低的总量的li2o和na2o。该玻璃粉可以包含至少0.1重量％或至少0.5重量％的li2o，和至少0.1重量％或至少0.5重量％的na2o。该玻璃粉可以包含5重量％或更低，4重量％或更低，3重量％或更低，或者2.5重量％或更低的li2o，和5重量％或更低，4重量％或更低，3重量％或更低，或者2.5重量％或更低的na2o。玻璃粉可以包含zno。例如，该玻璃粉可以包含0重量％或更高，0.1重量％或更高，0.5重量％或更高，1重量％或更高，或者1.5重量％或更高的zno。该玻璃粉可以包含15重量％或更低，10重量％或更低，7重量％或更低，或者5重量％或更低的zno。例如，该玻璃粉可以包含0.5-7重量％的zno。在一些实施方案中，可以优选的是，玻璃粉是基本上无锌的。如本文所使用，术语“基本上无锌”意在包含不含有意添加的锌的玻璃粉。例如，该玻璃粉可以包含小于0.1重量％的zno，例如小于0.05重量％，小于0.01重量％，或小于0.005重量％的zno。玻璃粉可以包含moo3。例如，该玻璃粉可以包含0重量％或更高，0.1重量％或更高，0.5重量％或更高的moo3。该玻璃粉可以包含10重量％或更低，5重量％或更低，或者3重量％或更低的moo3。例如，该玻璃粉可以包含0.1-5重量％的moo3。在一些实施方案中，可以优选的是，玻璃粉是基本上无钼的。如本文所使用，术语“基本上无钼”意在包含不含有意添加的钼的玻璃粉。例如，该玻璃粉可以包含小于0.1重量％的moo3，例如小于0.05重量％，小于0.01重量％，或小于0.005重量％的moo3。玻璃粉可以包含cr2o3。例如，该玻璃粉可以包含0重量％或更高，0.1重量％或更高，0.5重量％或更高的cr2o3。该玻璃粉可以包含10重量％或更低，5重量％或更低，或者3重量％或更低的cr2o3。例如，该玻璃粉可以包含0.1-5重量％的cr2o3。在一些实施方案中，可以优选的是，玻璃粉是基本上无铬的。如本文所使用，术语“基本上无铬”意在包含不含有意添加的铬的玻璃粉。例如，该玻璃粉可以包含小于0.1重量％的cr2o3，例如小于0.05重量％，小于0.01重量％，或小于0.005重量％的cr2o3。玻璃粉可以包含wo3。例如，该玻璃粉可以包含0重量％或更高，0.1重量％或更高，0.5重量％或更高的wo3。该玻璃粉可以包含10重量％或更低，5重量％或更低，或者3重量％或更低的wo3。例如，该玻璃粉可以包含0.1-5重量％的wo3。在一些实施方案中，可以优选的是，玻璃粉是基本上无钨的。如本文所使用，术语“基本上无钨”意在包含不含有意添加的钨的玻璃粉。例如，该玻璃粉可以包含小于0.1重量％的wo3，例如小于0.05重量％，小于0.01重量％，或小于0.005重量％的wo3。玻璃粉可以包含bao。例如，该玻璃粉可以包含0重量％或更高，0.1重量％或更高，0.5重量％或更高的bao。该玻璃粉可以包含10重量％或更低，5重量％或更低，或者3重量％或更低的bao。例如，该玻璃粉可以包含0.1-5重量％的bao。玻璃粉可以包含p2o5。例如，该玻璃粉可以包含0重量％或更高，0.1重量％或更高，0.5重量％或更高，或者1重量％或更高的p2o5。该玻璃粉可以包含10重量％或更低，7重量％或更低，5重量％或更低，或者3重量％或更低的p2o5。玻璃粉可以包含另外的组分，例如另外的氧化物组分。典型地，该玻璃粉将包含20重量％或更低，10重量％或更低，7重量％或更低，5重量％或更低，3重量％或更低，2重量％或更低，或者1重量％或更低的总量的另外的组分。该玻璃粉可以包含至少0.1重量％的另外的组分。该另外的组分可以是选自geo2、cao、zro2、cuo、ag2o和al2o3的一种或多种。在一个优选的实施方案中，玻璃粉可以包含：35-65重量％的teo2；20-50重量％的bi2o3；0.1-5重量％的li2o；0-5重量％的na2o；0-5重量％的sio2；0.1-5重量％的zno；0-5重量％的moo3；0-5重量％的cr2o3和0-15重量％的ceo2。玻璃粉可以基本上由本文所述的组合物，和偶然的杂质组成。在那种情况中，如本领域技术人员将容易理解的，所述的成分的总重量％是100重量％，任何余量是偶然的杂质。典型地，任何偶然的杂质的存在量将是0.1重量％或更低，0.05重量％或更低，0.01重量％或更低，0.05重量％或更低，0.001重量％或更低，或者0.0001重量％或更低。玻璃粉组合物可以基本由以下组成：35-65重量％的teo2；20-50重量％的bi2o3；0.1-5重量％的li2o；0-5重量％的na2o；0-5重量％的sio2；0.1-5重量％的zno；0-5重量％的moo3；0-5重量％的cr2o3；0-15重量％的ceo2；0-3重量％的wo3；0-5重量％的bao；0-10重量％的p2o5；0-10重量％的另外的组分，其可以任选地选自geo2、cao、zro2、cuo、ag2o和al2o3；和偶然的杂质。本发明的导电糊剂的固体部分可以包含0.1-15重量％的玻璃粉。导电糊剂的固体部分可以包含至少0.5重量％，或至少1重量％的玻璃粉。该导电糊剂的固体部分可以包含10重量％或更低，7重量％或更低，或者5重量％或更低的玻璃粉。典型地，玻璃粉将具有200℃-400℃的范围内的软化点。例如，该玻璃粉可以具有250℃-350℃的范围内的软化点。软化点可以例如使用dsc测量，根据标准astme1356“standardtestmethodforassignmentoftheglasstransitiontemperaturebydifferentialscanningcalorimetry”来测量。玻璃粉粉末的粒度在本发明中没有特别限制。典型地，d50粒度可以是至少0.1μm，至少0.5μm，或至少1μm。d50粒度可以是15μm或更低，10μm或更低，5μm或更低，4μm或更低，3μm或更低，或2μm或更低，或者1μm或更低。该粒度可以使用激光衍射方法(例如使用malvernmastersizer2000)测定。使用x射线衍射技术，本发明人已经发现，已经制备的玻璃粉的一些实际上包含结晶部分。因此，将理解的戳。除了无定形玻璃相之外，本文所述和所定义的玻璃粉可以包含结晶部分。特特别地，本发明人已经发现，除了无定形玻璃相之外，包含ceo2作为组分的一些玻璃粉实际上报警结晶ceo2的一部分。这特别存在于玻璃粉配方包含大重量百分比的ceo2(例如5重量％或更高)的情况中。因此，将理解的是，本文所述的玻璃粉可以包含结晶ceo2，和玻璃粉的所述的ceo2含量涉及玻璃粉的无定形玻璃相和结晶相中的总ceo2。类似地，在另一组分存在于结晶部分的情况中，玻璃粉中组分所述的含量涉及玻璃粉的无定形玻璃相和结晶相中的组分的总量。该玻璃粉通常通过或通过本文所述或所定义的方法来获得。典型地，通过将原材料混合在一起，和熔融它们来形成熔融玻璃混合物，然后冷却来形成玻璃粉，来制备玻璃粉。该方法可以进一步包括研磨玻璃粉来提供期望的粒度。本领域技术人员知晓制备玻璃粉的可选的合适方法。合适的可选的方法包括水冷却、溶胶-凝胶方法和喷雾水解。导电糊剂典型地，导电糊剂是前侧导电糊剂。导电糊剂包含导电金属、无机颗粒混合物和有机载体。该导电糊剂可以由导电金属、无机颗粒混合物和有机载体组成。本发明的导电糊剂的固体部分可以包含80-99.9重量％的导电金属。例如，该固体部分可以包含至少80重量％，至少82重量％，至少85重量％，或至少87重量％，至少90重量％，至少93重量％，或至少95重量％的导电金属。该固体部分可以包含99.9重量％或更低，99.5重量％或更低，99重量％或更低，或者98重量％或更低的导电金属。导电金属可以包含选自银、铜、镍和铝的一种或多种金属。优选地，该导电金属包含银，或者由银组成。导电金属可以以金属颗粒的形式提供。对金属颗粒的形式没有特别限制，但是可以为薄片、球形颗粒、粒料、晶体、粉末或其他不规则颗粒或者其混合物的形式。导电金属的粒度在本发明中没有限制。典型地，d50粒度可以是至少0.1μm，至少0.5μm，或至少1μm。d50粒度可以是15μm或更低，10μm或更低，5μm或更低，4μm或更低，3μm或更低或2μm或更低。该粒度可以使用激光衍射方法(例如使用malvernmastersizer2000)测定。导电材料的表面积在本发明中没有限制。例如，它可以是至少0.1m2/g，至少0.2m2/g，至少0.3m2/g，至少0.4m2/g，或至少0.5m2/g。例如，它可以是5m2/g或更低，3m2/g或更低，2m2/g或更低，1m2/g或更低，0.8m2/g或更低，或者0.7m2/g或更低。在导电材料是或包含银的情况中，合适地可以使用银粉末。合适的银粉末是554-2。可选的合适的银粉末商购自technic。本发明的导电糊剂的固体部分可以包含0.01-5重量％的无机颗粒混合物。例如，固体部分可以包含至少0.05重量％，至少0.1重量％，至少0.5重量％，至少1重量％，至少1.5重量％，或至少2重量％的无机颗粒混合物。该固体部分可以包含4重量％或更低，3.5重量％或更低，或者3重量％或更低的无机颗粒混合物。在一些实施方案中，本发明的导电糊剂的固体部分可以包含0.1-15重量％的玻璃粉。例如，该固体部分可以包含至少0.2重量％，至少0.5重量％，或至少重量％的玻璃粉。该固体部分可以包含10重量％或更低，7重量％或更低，或者5重量％或更低的玻璃粉。有机介质本发明的导电糊剂的固体部分分散在有机介质中。该有机介质优选是液体有机介质。该有机介质可以占导电糊剂的例如至少2重量％，至少5重量％，或至少9重量％。该有机介质可以占导电糊剂的20重量％或更低，15重量％或更低，13重量％或更低，或者10重量％或更低。因此，将理解的是，固体部分可以占导电糊剂的至少80重量％，至少85重量％，至少87重量％，或至少90重量％。该固体部分可以占导电糊剂的98重量％或更低，95重量％或更低，或者91重量％或更低。在一些实施方案中，导电糊剂由固体部分和有机介质组成。有机介质典型地包含有机溶剂和溶解或分散在其中的一种或多种添加剂。如本领域技术人员将容易理解的，通常选择该有机介质的组分来提供合适的浓度和流变性，来允许导电糊剂打印在半导体基材上，和赋予糊剂在运输和存储过程中的稳定性。用于有机介质的合适的溶剂包括选自丁二醇、丁二醇乙酸酯、萜品醇、二亚烷基二醇烷基醚(例如二甘醇二丁基醚和三丙二醇单甲基醚)、酯醇(例如)、2-(2-甲氧基丙氧基)-1-丙醇及其混合物的一种或多种溶剂。合适的添加剂的例子包括那些分散剂来帮助将固体部分分散在糊剂、粘度/流变改性剂、触变改性剂、润湿剂、增稠剂、稳定剂和表面活性剂中。例如，有机介质可以包含选自以下的一种或多种：松香(松香树脂)、丙烯酸树脂(例如)、聚羧酸聚合物的烷基铵盐(例如110或111)、聚酰胺蜡(例如thixatrol或thixatrol)、硝基纤维素、乙基纤维素、羟丙基纤维素和卵磷脂。典型地，通过将上述固体部分的组分和有机介质的组分以任何顺序混合在一起来制备导电糊剂。在另一优选的方面，本发明提供一种制备根据第一方面的导电糊剂的方法，其中该方法包括将上述固体部分的组分和有机介质的组分以任何顺序混合在一起。制备导电糊剂的方法在一些实施方案中，制备导电糊剂的方法包括共研磨无机颗粒混合物的充分结晶的颗粒，然后将它们与有机介质和导电金属混合。在一些实施方案中，制备导电糊剂的方法包括分别研磨无机颗粒混合物的每个组分，然后将有机介质、导电材料和无机颗粒混合物的组分混合。制造光接收表面电极和太阳能电池本领域技术人员熟知制造太阳能电池的光接收表面电极的合适的方法。类似地，本领域技术人员熟知制造太阳能电池的合适的方法。制造太阳能电池的光接收表面电极的合适的方法通常包括将导电糊剂施用到半导体基材表面上，和烧制所施用的导电糊剂。可以通过任何合适的方法来施用导电糊剂。例如，可以通过印刷例如丝网印刷或喷墨印刷来施用导电糊剂。可以将导电糊剂施用到半导体基材来形成太阳能电池的光接收表面电极。可选地，可以将导电糊剂施用到半导体基材来形成太阳能电池的背侧表面电极。太阳能电池可以是n型或p型太阳能电池。可以将糊剂施用到n型发射器(在p型太阳能电池中)，或者施用到p型发射器(在n型太阳能电池中)。一些太阳能电池被称作背结(backjunction)电池。在这种情况中，优选可以将本发明的导电糊剂施用到太阳能电池的半导体基材的背侧表面。这样的背侧表面典型地覆盖有绝缘钝化层(例如sin层)，类似于施用到太阳能电池的光接收表面的抗反射涂层。可选地，可以将导电糊剂施用到薄膜太阳能电池，或者可以将导电糊剂施用到非太阳能电池的电子装置的基材。本领域技术人员知晓用于烧制施用的导电糊剂的合适技术。一种示例性烧制曲线显示在图1中。一个典型的烧制过程持续约30秒，并且光接收表面电极的表面达到约800℃的峰值温度。典型地，炉温将更高来实现这个表面温度。烧制可以例如持续1小时或更少，30分钟或更少，10分钟或更少，或者5分钟或更少。烧制可以持续至少10秒。例如，光接收表面电极的峰值表面温度可以是1200℃或更低，1100℃或更低，1000℃或更低，950℃或更低，或者900℃或更低。光接收表面电极的峰值表面温度可以是至少600℃。光接收表面电极的半导体基材可以是硅基材。例如，它可以是单晶半导体基材或多晶半导体基材。可选的基材包括cdte。半导体可以例如是p型半导体或n型半导体。半导体基材可以在其表面上包含绝缘层。典型地，将本发明的导电糊剂施用到绝缘层上面来形成光接收表面电极。典型地，绝缘层将是非反射性的。合适的绝缘层是sinx(例如sin)。其他合适的绝缘层包括si3n4、sio2、al2o3和tio2。制造p型太阳能电池的方法通常包括将背侧导电糊剂(例如包含铝)施用到半导体基材的表面，和烧制背侧导电糊剂来形成背侧电极。典型地，将背侧导电糊剂施用到半导体基材光接收表面电极的相对面。在制造p型太阳能电池中，典型地，将背侧导电糊剂施用到半导体基材的背侧(非光接收侧)，和在基材上干燥，其后将前侧导电糊剂施用到半导体基材的前侧(光接收侧)，和在基材上干燥。可选地，可以首先施用前侧糊剂，随后施用背侧糊剂。典型地，将导电糊剂共烧制(即烧制其上施用有前侧和背侧糊剂二者的基材)，以形成包含前侧和背侧导电轨的太阳能电池。可以通过在基材背侧上提供钝化层来改进太阳能电池的效率。合适的材料包括sinx(例如sin)、si3n4、sio2、al2o3和tio2。典型地，局部除去(例如通过激光烧蚀)钝化层的区域，来允许半导体基材与背侧导电轨之间的接触。可选地，在将本发明的糊剂施用到背侧的情况中，糊剂可以用于蚀刻钝化层，以使得半导体基材与导电轨之间可以形成电接触。在本文规定的范围中，它意在该范围的每个端点是独立的。因此，明确可以预期的是，范围的所述上端点每个可独立地与所述下端点每个组合，反之亦然。实施例无机共混物制备使用商购的原材料制备无机共混物。无机共混物的组成在下表1和2中给出。表1-无机共混物组成(基于氧化物的重量％的组成)组成x(对比)ateo2/重量％54.654.8li2co3/重量％6.96.5bi2o3/重量％27.327.4ceo2/重量％3.33.4na2co3/重量％3.83.8wo3/重量％4.00li0.6wo3/重量％04.1使用实验室混合器将氧化物和碳酸盐混合来生产混合材料，随后在二醇类型溶剂(例如丁二醇)中湿磨该混合材料来生产共研磨的材料，以制备无机共混物a、b、c、d、x、y和z。表2进一步显示共混物y、b和c的研磨条件和粒度分布。然后，形成的共混粉末在托盘干燥机中干燥，并过筛。通过混合li2wo4(7.986g)、wo3(14.10g)和w(1.87g)来制造li0.6wo3结晶化合物，其全部是商购的产品。用手将这些组分研磨在一起，然后在60℃加热60分钟，随后是在750℃在氩气氛下加热1000分钟的进一步加热步骤。通过将碳酸锂和氧化碲共混，在900℃熔融15分钟，和干燥冷却，来制备li2teo3结晶化合物。通过将碳酸锂、碳酸钠和氧化碲共混，在900℃熔融15分钟，和干燥冷却，来制备li1.45na0.55teo3结晶化合物。图2是对li2teo3所取的x射线衍射图。它显示存在单个混合的氧化物结晶相。其他组分是商购的。x和a的金属原子组成相同。共混物之间的差异是，在组合物a中，通过提供li0.6wo3来代替一些锂(其通过组合物x中的li2co3提供)和全部钨(其通过组合物x中的wo3提供)。换言之，两种组合物中的金属的相对量相同，但是金属的源不同——在组合物x中，全部金属源是结晶化合物，其含有仅一种金属，而在组合物a中一种金属源是含有两种不同金属的三元氧化物。组合物y、b和c同样如此。全部三种组合物具有在金属含量方面相同的原子组成。区别是用li2teo3(组合物b)或li1.45na0.55teo3(组合物c)部分代替teo2和na2co3和全部代替li2co3。组合物z和d同样如此。两种组合物在金属含量方面具有相同的原子组成。区别是用li2mno3部分代替li2co3和完全代替mno2。太阳能电池形成将具有90ohm/sq的薄膜电阻，6英寸尺寸的多晶晶片用商购的铝糊剂在它们的背侧上丝网印刷，在irmass带式干燥机中干燥，并随机分组。这些组的每个用本文所述的导电糊剂之一的前侧银糊剂来丝网印刷，在上面有更详细的阐述。用于前侧糊剂的丝网具有50μm的指状开口。在印刷了前侧之后，将电池在irmass带式干燥机中干燥，并在despatch带式炉中烧制。despatch炉具有6个有上部和下部加热器的烧制区。前面三个区编程为在500℃左右从糊剂烧掉粘合剂，第四和第五区处于更高的温度，最后的区中的最高温度是945℃(炉温)。用于这个实验的炉带速是610cm/分钟。记录的温度通过使用热电偶测量烧制过程中太阳能电池表面的温度来测定。太阳能电池表面的温度不超过800℃。这典型地是用于包含玻璃的糊剂的烧制温度，玻璃典型地具有约600℃的软化点。令人惊讶的是，观察到在本发明的结晶无机颗粒混合物这样良好的流动行为和触点形成。在冷却后，在来自于halm的型号cetispv-ctl1的i-v曲线追踪仪中测试烧制的太阳能电池。结果通过i-v曲线追踪仪，通过直接测量或者使用它的内部软件计算来提供。(为了使接触面积的影响最小化，在每个单个的测试组中，使用与印刷相同的丝网，和相同粘度的糊剂来制备电池。这确保所比较的糊剂的线宽基本上相同，并且不影响测量)。太阳能电池性能填充因子指示太阳能电池相对于理论的理想(0电阻)系统的性能。填充因子与接触电阻相关——接触电阻越低，填充因子越高。但是如果导电糊剂的无机添加剂过于强力，则它会损坏半导体的p-n结。在这种情况中，接触电阻将是低的，但是由于p-n结的损坏(复合效应和较低的分流电阻)，将产生较低的填充因子。因此，高的填充因子指示，在硅晶片与导电轨之间存在低的接触电阻，和半导体上糊剂的烧制不会不利地影响半导体的p-n结(即分流电阻高)。可以通过测量假填充因子(sunsvocff)来测定p-n结的品质。这是独立于由电池中的电阻引起的损失的填充因子。因此，接触电阻越低和sunsvocff越高，则形成的填充因子将越高。使用来自于sintoninstruments的suns-voc测量工具来测量sunsvocff。sunsvocff在开路条件下测量，并且独立于串联电阻效应。eta表示太阳能电池的效率，其将太阳能输入与电能输出做比较。效率的小变化在商业太阳能电池中是非常有价值的。实施例1使用87.5重量％的商购的银粉末，2.5重量％的上面详述的组合物a，和余量的常规有机介质来制备导电银糊剂(实施例1)。制造对比糊剂(对比例1)，其含有87.5重量％的银粉末，2.5重量％的对比组合物x和余量的有机介质。通过turbula混合无机共混物组合物30分钟，然后将10g混合的粉末与10g的zro2的2mm球在3000rpm快速混合两次，每次30s，产生均匀的糊，来制备糊剂。然后在640℃使用快速热加工炉烧制在si3n4涂覆的硅晶片上打印的触点。烧制过程非常短暂(30-60秒)，在此期间产生打印的银糊剂与硅晶片的p-n结之间的触点。使用用于测量比接触电阻的tlm方法进行si3n4/si晶片上的银触点的比接触电阻测量(ω·mm-2)。结果显示在下表3中。表3-比接触电阻测量结果显示，本发明的组合物的比接触电阻得以改进(即降低)，其中无机颗粒混合物中的一些金属通过结晶的混合氧化物源来提供，而非结晶的单个金属氧化物源。实施例2使用87.75重量％的商购的银粉末，2.25重量％的上面详述的组合物b，和余量的常规有机介质来制备导电银糊剂(实施例2a)。使用87.75重量％的商购的银粉末，2.25重量％的上面详述的组合物c，和余量的常规有机介质来制备导电银糊剂(实施例2b)。制造对比糊剂(对比例2)，其包含87.75重量％的银粉末，2.25重量％的对比组合物y和余量的有机介质。以与实施例1相同方式制备糊剂。使用上述方法在多晶晶片，高欧姆发射器中印刷，干燥和烧制糊剂。进行si3n4/si晶片上的银触点的串联电阻测量(ω·cm2)。结果显示在下表4中。表4-串联电阻测量结果表明，本发明的组合物的串联电阻得到改进(即降低)，其中无机颗粒混合物的一些金属通过结晶的混合氧化物源来提供，而非结晶的单个金属氧化物源。实施例3使用87.75重量％的商购的银粉末，2.25重量％的上面详述的组合物d，和余量的常规有机介质来制备导电银糊剂(实施例3a)。制造对比糊剂(对比例3)，其包含87.75重量％的银粉末，2.25重量％的对比组合物z和余量的有机介质。以与实施例1相同方式制备糊剂。使用tlm丝网设计进行糊剂的印刷，并且在rtp炉中在640℃烧制经印刷的糊剂。制备了七个分别的样品。测定每个样品的比接触电阻和确定了平均值；结果在下表5中给出。表5-比接触电阻测量对两种组合物也使用sunsvoc丝网设计进行印刷，随后在rtp炉中在640℃烧制。制备了十个分别的样品，测定每个的sunsvocff，并且计算平均值；结果提供在下表6中。表6-sunsvocff测量结果表明，将li2mno3替代为mno2对于比接触电阻或sunsvoc测量没有产生不利影响。很显然，糊剂中存在li2mno3代替mno2对于比接触电阻和sunsvoc测量二者具有积极影响。当前第1页12