1.一种发光器件，包括：
第一电极与第二电极之间的el层，
其中，所述第一电极为反射电极，所述第二电极为透反射电极，
所述el层发射在750nm以上且1000nm以下的波长范围内具有发光峰的光，
并且，所述第一电极和所述第二电极中的一个或两个对波长为850nm的光的反射率高于对波长为500nm的光的反射率。
2.一种发光器件，包括：
第一电极与第二电极之间的el层，
其中，所述第一电极为反射电极，所述第二电极为透反射电极，
所述el层发射在750nm以上且1000nm以下的波长范围内具有发光峰的光，
所述第一电极和所述第二电极中的一个或两个对波长为850nm的光的反射率高于对波长为500nm的光的反射率，
并且，所述第二电极的厚度为20nm以上且60nm以下。
3.根据权利要求1或2所述的发光器件，
还包括与所述第二电极接触并与所述el层夹持所述第二电极的有机层，
并且所述有机层的折射率为1.7以上。
4.根据权利要求3所述的发光器件，
其中所述有机层的厚度为80nm以上且160nm以下。
5.一种发光器件，包括：
第一电极与第二电极之间的el层，
其中，所述第一电极为反射电极，所述第二电极为透反射电极，
所述el层包含在750nm以上且1000nm以下的波长范围内具有发光峰的发光物质，
并且，所述el层所发射的光的波长长于所述发光物质的发光峰波长。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的发光器件，
其中所述第一电极和所述第二电极中的至少一个含有金(au)、银(ag)及铜(cu)中的至少一个。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的发光器件，
其中所述第一电极对波长为850nm的光的反射率为90％以上。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的发光器件，
其中所述第二电极对波长为850nm的光的反射率为90％以上。
9.根据权利要求5至8中任一项所述的发光器件，
其中所述发光物质为磷光发光物质。
10.根据权利要求5至9中任一项所述的发光器件，
其中所述发光物质为由通式(g1)表示的有机金属配合物：
r1至r11分别独立地表示氢或者碳原子数为1以上且6以下的烷基，
r1至r4中的至少两个表示碳原子数为1以上且6以下的烷基，
r5至r9中的至少两个表示碳原子数为1以上且6以下的烷基，
x表示取代或未取代的苯环或萘环，
n为2或3，
并且l表示单阴离子配体。
11.一种发光装置，包括：
权利要求1至10中任一项所述的发光器件；以及
fpc。
12.一种电子设备，包括：
权利要求11所述的发光装置；以及
麦克风、相机、操作按钮、外部连接部及扬声器中的至少一个。
13.一种照明装置，包括：
权利要求1至10中任一项所述的发光器件；以及
外壳和覆盖物中的至少一个。