1.一种核-壳量子点，包括：
核，包括第一半导体纳米晶体材料；以及
半导体纳米晶体壳，设置在所述核上，
其中所述核-壳量子点不包括镉，并且包括锌、碲、硒和铝。
2.根据权利要求1所述的核-壳量子点，其中所述核-壳量子点的紫外-可见吸收光谱具有第一吸收峰以及与所述第一吸收峰相邻的谷，以及
(absfirst-absvalley)/absfirst≥0.01，
其中，absfirst是在第一吸收峰波长处的吸收强度，absvalley是在所述谷的最低点处的吸收强度。
3.根据权利要求1所述的核-壳量子点，其中所述核-壳量子点具有大于或等于5％的量子效率。
4.根据权利要求1所述的核-壳量子点，其中在所述核-壳量子点中，碲相对于硒的摩尔比大于0.05:1。
5.根据权利要求1所述的核-壳量子点，其中所述第一半导体纳米晶体材料包括锌、碲和硒，以及所述半导体纳米晶体壳包括硒和硫中的至少一种以及锌。
6.根据权利要求5所述的核-壳量子点，其中所述第一半导体纳米晶体或所述核-壳量子点不包括锰、铜或其组合。
7.权利要求1的核-壳量子点，其中所述核包括zntexse1-x，其中x大于或等于0.5且小于或等于0.9，并且所述半导体纳米晶体壳包括znse、zns、znses或其组合。
8.根据权利要求1所述的核-壳量子点，其中所述核-壳量子点具有在大于或等于490纳米的波长范围内的最大光致发光峰，以及其中所述最大光致发光峰的半峰全宽小于或等于50纳米，以及其中所述核-壳量子点具有大于或等于10％的量子效率。
9.根据权利要求1所述的核-壳量子点，其中在所述核-壳量子点中，相对于1摩尔的碲，铝的量大于或等于0.01摩尔。
10.根据权利要求1所述的核-壳量子点，其中所述核-壳量子点包括有机配体，并且所述有机配体不包括包含硫醇部分以及氨基基团、羧酸基团或其组合的有机化合物。
11.一种量子点，包括：
锌；
碲；
硒；以及
铝，
其中所述量子点不包括镉，并且在所述量子点中，相对于1摩尔的碲的铝的量可以大于或等于0.01。
12.根据权利要求11所述的量子点，其中所述量子点包括zntexse1-x，其中x大于或等于0.5且小于或等于0.95。
13.根据权利要求11所述的量子点，其中所述量子点不包括锰、铜或其组合。
14.根据权利要求11所述的量子点，其中所述量子点不包括iii-v族化合物。
15.根据权利要求11所述的量子点，其中所述量子点被配置为表现出具有小于或等于40纳米的半峰全宽的最大光致发光峰，并且所述量子点具有大于或等于2％的量子效率。
16.根据权利要求11所述的量子点，其中所述量子点的紫外-可见吸收光谱具有第一吸收峰以及与所述第一吸收峰相邻的谷，以及
(absfirst-absvalley)/absfirst≥0.1
其中，absfirst是在所述第一吸收峰的波长处的吸收强度，absvalley是在所述谷的最低点处的吸收强度。
17.根据权利要求11所述的量子点，其中所述第一吸收峰和所述谷的所述最低点存在于大于或等于410纳米且小于或等于500纳米的波长范围内。
18.一种量子点聚合物复合物，包括
聚合物基质；以及
分散在所述聚合物基质中的多个量子点，
其中所述多个量子点包括根据权利要求1所述的核-壳量子点。
19.根据权利要求18所述的量子点聚合物复合物，其中所述聚合物基质包括交联聚合物、具有羧酸基团的粘结剂聚合物或其组合。
20.一种显示装置，包括
光源；以及
光发射元件，
其中所述光发射元件包括根据权利要求18所述的量子点-聚合物复合物，以及
所述光源被配置为向所述光发射元件提供入射光。