半导体加工用粘合片及半导体装置的制造方法与流程

技术特征：

1.一种半导体加工用粘合片，其依次具有表面涂层、缓冲层、基材及粘合剂层，

2.根据权利要求1所述的半导体加工用粘合片，其中，

3.根据权利要求1或2所述的半导体加工用粘合片，其中，

4.根据权利要求1或2所述的半导体加工用粘合片，其中，

5.根据权利要求1或2所述的半导体加工用粘合片，其中，

6.根据权利要求1或2所述的半导体加工用粘合片，其中，

7.根据权利要求1或2所述的半导体加工用粘合片，其用于半导体晶片的背面磨削。

8.一种半导体装置的制造方法，该方法包括：

9.一种半导体装置的制造方法，该方法包括：

10.一种半导体加工用粘合片，其依次具有表面涂层、缓冲层、基材及粘合剂层，

11.一种半导体加工用粘合片，其依次具有表面涂层、缓冲层、基材及粘合剂层，

技术总结
本发明涉及半导体加工用粘合片以及使用该半导体加工用粘合片的半导体装置的制造方法，所述半导体加工用粘合片依次具有表面涂层、缓冲层、基材及粘合剂层，所述表面涂层含有苯乙烯类树脂，所述苯乙烯类树脂中的源自苯乙烯类化合物的结构单元的含量为50质量％以上。

技术研发人员：梅泽昌弘,安达一政
受保护的技术使用者：琳得科株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/3/5