一种避免空洞发生的EMC生产方法与流程

本发明涉及半导体领域，尤其是涉及封装材料成型，具体为一种避免空洞发生的emc生产方法。

背景技术：

1、当rg 8g ddr4进行量产之后，随着产量的逐月渐增，产品质检过程中，存在空洞问题，随着量产的上去，品质问题亟需改善，避免影响整体生产效率和成本。

2、emc产品的空洞通常是因为在生产过程中，树脂浇注不均匀或者没有完全填充到产品内部造成的。

3、通常在emc产品中，为了保证其电磁性能，会使用金属板和金属带等金属材料与热固性树脂进行复合构成一个整体。在这个生产过程中，当树脂的揉捏合不均匀时有气泡的存在，在固化过程中，气泡会形成空洞，从而导致复合材料的内部形成空冷却，影响电磁性能。

技术实现思路

1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种避免空洞发生的emc生产方法，用于解决现有技术的难点。

2、为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种避免空洞发生的emc生产方法，包括以下工序：

3、步骤s1：原材料混合；将二氧化硅、二甲基溴、增溶剂、碳和其他液体倒入料斗中；

4、步骤s2：一次混合；对步骤s1中的成分进行预搅拌；

5、步骤s3：一次过滤；对经过步骤s2搅拌后的物料进行初筛，分离出杂质和颗粒大的成分；

6、步骤s4：揉捏合；将经过步骤s3混合后的成分送入揉捏合设备中进行混合成型；

7、步骤s5：粉碎；对混合成型的物料进行粉碎细化并对中间物性进行检查，检查通过的进入下一步骤；

8、步骤s6：二次混合，对经过s5筛选后的物料进行重新混合；

9、步骤s7：按照物料所需要的量进行出料获得bin，剩余的物料进行贮存。

10、根据优选方案，对所述步骤s1中，碳和其他液体先进行预混合。

11、根据优选方案，对所述步骤s1中的每个成分在倒入之前都需要进行称重。

12、根据优选方案，物料采用v形料斗进行入料混合。

13、根据优选方案，在所述步骤s4中揉捏合的过程中依次包括预冷却、快速升温、精准升温、恒温和冷却成型的工序。

14、根据优选方案，步骤s4中揉捏合的升温温度最高不超过100℃。

15、根据优选方案，步骤s4中揉捏合的时间在41-50秒之间。

16、根据优选方案，经过所述步骤步骤s6混合后的物料，在出料之前还需要进行三次分离。

17、根据优选方案，在经过揉捏合之后的物料进行冷却降温后再进行粉碎操作。

18、根据优选方案，在所述步骤s7中还贮存的温度在5℃。

19、根据优选方案，在所述步骤s7中还可以通过压片成型进行贮存。

20、本发明通过预混合、多次筛选过滤，以及分区域温度管理，达到有效改善emc制程中原材料揉捏合不均匀和温度偏差问题，从而有效避免emc空洞情况的发生。

21、下文中将结合附图对实施本发明的最优实施例进行更详尽的描述，以便能容易地理解本发明的特征和优点。

技术特征：

1.一种避免空洞发生的emc生产方法，其特征在于，包括以下工序：

2.根据权利要求1所述的避免空洞发生的emc生产方法，其特征在于，对所述步骤s1中的每个成分在倒入之前都需要进行称重。

3.根据权利要求2所述的避免空洞发生的emc生产方法，其特征在于，在所述步骤s4中揉捏合的过程中依次包括预冷却、快速升温、精准升温、恒温和冷却成型的工序。

4.根据权利要求3所述的避免空洞发生的emc生产方法，其特征在于，经过所述步骤步骤s6混合后的物料，在出料之前还需要进行三次分离。

5.根据权利要求4所述的避免空洞发生的emc生产方法，其特征在于，在经过所述揉捏合之后的物料进行冷却降温后再进行粉碎操作。

6.根据权利要求5所述的避免空洞发生的emc生产方法，其特征在于，在所述步骤s7中还贮存的温度在5℃。

7.根据权利要求6所述的避免空洞发生的emc生产方法，其特征在于，在所述步骤s7中还可以通过压片成型进行贮存。

技术总结
本发明提供一种避免空洞发生的EMC生产方法，包括以下工序：步骤S1：原材料混合；将二氧化硅、二甲基溴、增溶剂、碳和其他液体倒入料斗中；步骤S2：一次混合；对步骤S1中的成分进行预搅拌；步骤S3：一次过滤；对经过步骤S2搅拌后的物料进行初筛，分离出杂质和颗粒大的成分；步骤S4：揉捏合；将经过步骤S3混合后的成分送入揉捏合设备中进行混合成型；步骤S5：粉碎；对混合成型的物料进行粉碎细化并对中间物性进行检查，检查通过的进入下一步骤；步骤S6：二次混合，对经过S5筛选后的物料进行重新混合；步骤S7：按照物料所需要的量进行出料获得Bin，剩余的物料进行贮存。本发明有效的改善EMC制程中原材料揉捏合不均匀和温度偏差问题，从而改善EMC空洞发生。

技术研发人员：张浩
受保护的技术使用者：海太半导体（无锡）有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15