一种等离子表面改性用的真空室的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种等离子表面改性用的真空室。
【背景技术】
[0002]在聚合物材料改性及加工中，等离子体技术是一种符合环保要求的新型工艺，越来越受到人们的重视。等离子体处理高分子材料可以改善其表面性能、机械性能、印染性能等。如等离子体处理可使PP、PET、PBT纤维织物具有高亲水性；等离子体的部分净化和激活作用可提高涂层剂粘合力；常压等离子体处理不会影响织物的原有色泽和表面粗糙度等。
[0003]在现有的高分子材料的等离子表面处理都是在真空室中进行，现有的真空室的结构一般都包括有真空室舱体，真空室舱体上设置有抽真空接口，同时真空室舱体内设置有加热机构，在等离子处理时，一般需要将待处理的高分子材料产品置于真空室舱体的中间，然后将等离子体源对称设置于高分子材料产品的两侧，以便使得真空室舱体内等离子分布均匀，以保障等离子表面改性的质量。
[0004]然而，现有的用于等离子体改性处理的真空室的结构较为简单，在实际布置两个等离子体源时，很难将两个等离子源做完全对称分布，影响了等离子体表面处理的效果。
[0005]此外，现有的真空室的加热机构的布置也不合理，无法使得真空室内的温度保持均匀分布。
【发明内容】
[0006]本实用新型的目的是为了克服现有技术存在的缺点和不足，而提供一种结构设置合理，并能保障两个等离子源做完全对称分布，且加热均匀稳定的等离子表面改性用的真空室。
[0007]为实现上述目的，本实用新型的技术方案是包括有真空室舱体，所述的真真空室舱体上设置有进气接口和抽真空接口，该真空室舱体内设置有加热装置，所述的真空室舱体包括有底舱和底舱密封盖，该底舱内设置有横截面为正八边形且上端开口的真空腔，所述的底舱密封盖密封盖设于底舱的真空腔上端，所述的底舱的侧壁呈正八边形分布，该底舱的侧壁包括有相互对称的一对第一侧壁，以及与第一侧壁相邻并相互平行的一对第二侧壁和一对第三侧壁，余下的一对侧壁为第四侧壁，所述的两个第一侧壁上分别对应设置有刻度尺，其中一只第一侧壁对应于刻度尺的上方水平设置有燕尾槽，所述的燕尾槽上水平滑移设置有滑移座，该滑移座上固定设置有与另一第一侧壁相垂直的激光笔。
[0008]通过本设置，真空室在进行等离子体改性处理时，将两只等离子体源分别置于一对第一侧壁边，然后，利用驱动滑移座移动并通过激光笔发出的光线在第一侧壁的刻度尺上进行准确定位，从而保障两只等离子体源的对称分布，提高了等离子改性作业的质量。
[0009]进一步设置是所述的一对第二侧壁和一对第三侧壁上呈中心对称分布有红外加热管。通过本设置，红外加热管完全中心对称分布，因此，发热均匀稳定，使得真空室内的各处温度保持一致。
[0010]进一步设置是所述的进气接口和抽真空接口分别设置于两只第四侧壁上。
[0011]综上所述，本实用新型的优点是结构设计合理，等离子源位置分布精准，且加热均匀。
[0012]下面结合说明书附图和【具体实施方式】对本实用新型做进一步介绍。
【附图说明】
[0013]图1本实用新型【具体实施方式】立体图；
[0014]图2本实用新型【具体实施方式】隐藏底舱密封盖后的俯视图；
[0015]图3本实用新型【具体实施方式】隐藏底舱密封盖后的立体图；
[0016]图4本实用新型【具体实施方式】隐藏底舱密封盖后的另一视角的立体图。
【具体实施方式】
[0017]下面通过实施例对本实用新型进行具体的描述，只用于对本实用新型进行进一步说明，不能理解为对本实用新型保护范围的限定。
[0018]如图1-3所示的本实用新型的【具体实施方式】，包括有真空室舱体，所述的真空室舱体上设置有进气接口 13和抽真空接口 14，所述的真空室舱体I包括有底舱11和底舱密封盖12，该底舱11内设置有横截面为正八边形且上端开口的真空腔111，所述的底舱密封盖12密封盖设于底舱11的真空腔111上端，所述的底舱11的侧壁呈正八边形分布，该底舱11的侧壁包括有相互对称的一对第一侧壁112，以及与第一侧壁112相邻并相互平行的一对第二侧壁113和一对第三侧壁114，余下的一对侧壁为第四侧壁115，所述的两个第一侧壁112上分别对应设置有刻度尺1121，其中一只第一侧壁112对应于刻度尺1121的上方水平设置有燕尾槽1122，所述的燕尾槽1122上水平滑移设置有滑移座1123，该滑移座1123上固定设置有与另一第一侧壁相垂直的激光笔1124。
[0019]此外，本实施例所述的一对第二侧壁113和一对第三侧壁114上呈中心对称分布有红外加热管2。
[0020]另外，本实施例所述的进气接口 13和抽真空接口 14分别设置于两只第四侧壁115上。
【主权项】
1.一种等离子表面改性用的真空室，包括有真空室舱体，所述的真空室舱体上设置有进气接口和抽真空接口，其特征在于:所述的真空室舱体包括有底舱和底舱密封盖，该底舱内设置有横截面为正八边形且上端开口的真空腔，所述的底舱密封盖密封盖设于底舱的真空腔上端，所述的底舱的侧壁呈正八边形分布，该底舱的侧壁包括有相互对称的一对第一侧壁，以及与第一侧壁相邻并相互平行的一对第二侧壁和一对第三侧壁，余下的一对侧壁为第四侧壁，所述的两个第一侧壁上分别对应设置有刻度尺，其中一只第一侧壁对应于刻度尺的上方水平设置有燕尾槽，所述的燕尾槽上水平滑移设置有滑移座，该滑移座上固定设置有与另一第一侧壁相垂直的激光笔。
2.根据权利要求1所述的一种等离子表面改性用的真空室，其特征在于:所述的一对第二侧壁和一对第三侧壁上呈中心对称分布有红外加热管。
3.根据权利要求1所述的一种等离子表面改性用的真空室，其特征在于:所述的进气接口和抽真空接口分别设置于两只第四侧壁上。
【专利摘要】本实用新型公开了一种等离子表面改性用的真空室，包括有真空室舱体，所述的真空室舱体上设置有进气接口和抽真空接口，所述的真空室舱体包括有底舱和底舱密封盖，该底舱内设置有横截面为正八边形且上端开口的真空腔，所述的底舱密封盖密封盖设于底舱的真空腔上端，所述的底舱的侧壁呈正八边形分布，两个第一侧壁上分别对应设置有刻度尺，其中一只第一侧壁对应于刻度尺的上方水平设置有燕尾槽，所述的燕尾槽上水平滑移设置有滑移座，该滑移座上固定设置有与另一第一侧壁相垂直的激光笔。本实用新型的优点是结构设计合理，等离子源位置分布精准，且加热均匀。
【IPC分类】B29C71-00
【公开号】CN204471898
【申请号】CN201520051671
【发明人】王向红
【申请人】温州职业技术学院
【公开日】2015年7月15日
【申请日】2015年1月26日