锅炉二次喷淋装置的制作方法

文档序号:12115305阅读:255来源:国知局
锅炉二次喷淋装置的制作方法

技术领域

本发明涉及的是锅炉技术领域,具体涉及锅炉二次喷淋装置。



背景技术:

在燃料的燃烧过程中,大气中的NOx会对空气严重污染,它刺激人的眼、鼻、气管和肺等器官,产生眼红流泪、气喘咳嗽等症状,长期慢性危害使肺机能减退、支气管发炎,以至发展成癌,NOx经太阳紫外线照射与汽车尾气中的碳氢化合物同时存在时,能生成一种浅蓝色的有毒物质硝基化合物会形成光化学烟雾。

燃烧时,空气中氮在高温下氧化产生,其中的生成过程是一个不分支连锁反应。其生成机理可用捷里多维奇反应式表示。随着反应温度T的升高,其反应速率按指数规律增加。当温度T<1500 ℃时,NO 的生成量很少, 而当温度T>1500 ℃ 时,温度T每增加 100 ℃,反应速率增大 6-7 倍。

热力型氮氧化物生成机理: O2 + N →2O + N

O + N2 → NO + N

N + O2 → NO + O

在高温下总生成 : N2 + O2 → 2NO

2NO + O2 → NO2

高温燃烧时,尤其当燃烧温度高于800℃时,会产生大量的氮氧化物(NOx),对环境污染较重,基于此,设计一种新型的锅炉二次喷淋装置还是很有必要的。



技术实现要素:

针对现有技术上存在的不足,本发明目的是在于提供一种锅炉二次喷淋装置,结构简单,设计合理,利于降低NOX的排放量,并利于对烟气进行二次利用,降温及余热回收,为企业节能降耗,创造效益,降低锅炉烟气对环境的污染,实用性强,易于推广使用。

为了实现上述目的,本发明是通过如下的技术方案来实现:锅炉二次喷淋装置,包括上层喷头主体、下层喷头主体、总进水管、上层喷头控制法兰和下层喷头控制法兰,上层喷头主体设置在下层喷头主体的上部,上层喷头主体、下层喷头主体分别通过二次喷淋进水管、一次喷淋进水管连通至总进水管,总进水管上安装有下层喷头控制法兰,二次喷淋进水管上安装有上层喷头控制法兰。

作为优选,所述的上层喷头主体上设置有圆形喷嘴,下层喷头主体上设置有十字形交叉喷嘴,可根据情况集中喷淋降温。

本发明的有益效果:利于降低NOX的排放量,并利于对烟气进行二次利用,降温及余热回收,为企业节能降耗,创造效益,降低锅炉烟气对环境的污染。

附图说明

下面结合附图和具体实施方式来详细说明本发明;

图1为本发明的结构示意图;

图2为本发明上层喷头主体的结构示意图;

图3为本发明下层喷头主体的结构示意图;

图4为本发明的应用示意图。

具体实施方式

为使本发明实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解,下面结合具体实施方式,进一步阐述本发明。

参照图1-4,本具体实施方式采用以下技术方案:锅炉二次喷淋装置,包括上层喷头主体1、下层喷头主体2、总进水管3、上层喷头控制法兰4和下层喷头控制法兰5,上层喷头主体1设置在下层喷头主体2的上部,上层喷头主体1、下层喷头主体2分别通过二次喷淋进水管6、一次喷淋进水管7连通至总进水管3,总进水管3上安装有下层喷头控制法兰5,二次喷淋进水管6上安装有上层喷头控制法兰4。

值得注意的是,所述的上层喷头控制法兰4、下层喷头控制法兰5分别控制上层喷头主体1、下层喷头主体2排水,上层喷头主体1上设置有圆形喷嘴8,下层喷头主体2上设置有十字形交叉喷嘴9,可根据情况集中喷淋降温。

本具体实施方式安装在锅炉外壳10上,锅炉外壳10为圆柱形炉体,锅炉外壳10内部设置有燃烧室11,燃烧室11上部设置有下排烟口12,下排烟口12上方设有烟气帽13,烟气帽13上方设有下层喷头主体2,下层喷头主体2上方设有上层喷头主体1,其为二次喷头和二次喷淋进水管组合。

本具体实施方式的工作流程:火焰在燃烧室11内充分燃烧后,烟气经过下排烟口12排出燃烧室11,烟气在上升过程中经过下排烟口12,通过烟气帽13,并经下层喷头主体2的喷雾后,到达二次喷淋室,经过上层喷头主体1的喷雾后,排出锅炉外壳10,同时,热水在锅炉内循环,经总进水管3、一次喷淋进水管7、二次喷淋进水管6由圆形喷嘴8和十字形交叉喷嘴9进入炉水中,形成循环,即有利于余热回收,又以低成本有效的控制NOx的排放量,既节约了企业成本,又最大程度降低锅炉烟气对环境的污染。

本具体实施方式在一次喷淋基础上对烟气进行二次喷淋,确保烟气在排出前,NOx排放量达到锅炉大气污染物排放标准,并使NOx排放低于30mg/m³,更利于对烟气进行二次利用,降温及余热回收,为企业节能降耗,创造效益,具有广阔的市场应用前景。

以上显示和描述了本发明的基本原理和主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解,本发明不受上述实施例的限制,上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理,在不脱离本发明精神和范围的前提下,本发明还会有各种变化和改进,这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。

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