专利名称：辐射选择性吸收体涂层和具有辐射选择性吸收体涂层的吸收体管的制作方法
技术领域：
本发明涉及根据本专利权利要求1的前序部分的辐射选择性吸收体涂层。本发明 还涉及具有此种辐射选择性涂层的吸收体管，和涉及使用此种吸收体管操作抛物槽集热器 的方法。
背景技术：
常用的吸收体涂层由以下层构成在红外范围内是反射性的并且被施加在基底上 的层，所述基底尤其是金属管，在太阳光谱范围内具有高吸收性的金属陶瓷层和施加在所 述金属陶瓷层上的保护层，该保护层被称为抗反射层并且由于所述金属陶瓷层的高折射率 而被提供用于降低在所述金属陶瓷层上的表面反射。主要的努力是要实现尽可能高的能量收益。所述能量收益还尤其取决于吸收率α 和发射率ε的系数，总是力求使所述吸收体涂层有高的吸收率(α >95%)和低的发射率(ε < 10% )。另外，所述集热器的效率由其运行时的温度来确定。考虑到这一点，希望有尽可能 高的温度。然而与此相反，所述吸收体涂层的层系统的耐用性却随着操作温度的升高由于 老化和/或扩散过程而降低，因而，例如，所述金属陶瓷层的吸收性能和在红外范围内是反 射性的层的反射性能可能显著地降低。在Michael Lanxner 和 Zvi Elgat 在 SPIE 第 1272 卷，Optical Materials Technology for Energy Efficiency and Solar Energy Conversion IX (1990), % 240 至249页，所著的标题为“用于高应用温度的太阳光选择性的吸收体涂层，由等离子溅射产 生(Solar selective absorber coating for high service temperatures,produced by plasma sputtering) ”的论文中描述了一种施加在钢基底上的吸收体涂层，该涂层包含由 SiO2组成的抗反射层、金属陶瓷层和在红外范围内是反射性的钼层，由Al2O3构成的扩散阻 挡层布置在所述在红外范围内是反射性的层和所述基底之间。在这样的层系统内，存在应 力，该应力具有粘附性降低效应或导致所述层系统的破坏和结块。DE 102004010689B3公开了一种吸收器，它包括辐射选择性吸收体涂层，该涂层具 有金属基底、扩散阻挡层、金属反射层、金属陶瓷层和抗反射层。所述扩散阻挡层是由所述 金属基底的氧化组分构成的氧化物层。钼通常用于在红外范围内是反射性的层。然而，钼层的反射性能不是最佳的，所以 希望使用更好的反射性材料。已知的吸收体管的操作温度在真空中是300-400°C。由于前面所列的原因，主要的 努力是要进一步提高所述操作温度，但并不影响例如所述金属陶瓷层的吸收性能和所述在 红外范围内是反射性的层的反射性能。这样的努力总结在C. E. Kennedy的“中至高温的太阳光选择性吸收体材料的综述 (Review of Mid—to High-Temperature Solar Seletive Absorber Materials)，TechnicalReport of the National Renewable Energy Laboratory (国家可再生能源实验室的技术 报告)，2002年7月出版”中。其公开了一种层构造，该层构造由&0xNy或^CxNy吸收层和 在顶范围内是反射性的Ag或Al层组成，所述层构造由于Al2O3扩散阻隔层的引入而具有 改进的在空气中的热稳定性。此外还确定的是所述红外反射层在降低的压力下的热稳定性 可以通过在该层下引入扩散阻挡层而被改善。对于这种阻挡层，提出了 Cr203、Al203或S^2 作为所述层材料。希望使银反射层的稳定性达到最高至500°C。然而，这没有结束对更耐用并同时改善了吸收率和发射率的层的追求。因此，DE 102006056536A1描述了辐射选择性吸收体涂层，该涂层包含至少两个阻 挡层，布置在其上的并在顶范围内是反射性的层，布置在所述反射层之上的吸收层，并包 含布置在所述吸收层之上的抗反射层，所述辐射选择性吸收体涂层具有高太阳光吸收率和 低的热发射率。虽然这种吸收体涂层的粘附性是足够的，但是它仍需要改进。
发明内容
就此而言，本发明的目的是提供一种吸收体涂层，其各个层具有非常好的粘附性， 以致所述吸收体涂层是内在稳定的。另外，本发明的目的是提供具有此种涂层的吸收体管 和操作其中使用了此种吸收体管的抛物槽集热器的方法。这些目的借助于本专利独立权利要求，即由于以下事实达到，所述事实为布置在 所述第一阻挡层之上的第二阻挡层由金属陶瓷材料构成，该金属陶瓷材料由至少一种选自 氧化铝、氧化硅、氧化镍、氧化铬的成分和至少一种选自钼、镍、钨、钒的成分组成。优选地，所述第二阻挡层由金属陶瓷材料构成，该金属陶瓷材料由氧化铝和钼组 成。所述氧化物也可以低于化学计量地产生。在铝和钼的情况下，存在Alx0y/Al/Mo金属陶 瓷，其中χ可以呈1至2的值，和y可以呈2至3的值。这种金属陶瓷层优选具有5nm至200nm的厚度，尤其优选IOnm至50歷的厚度。 在厚度大于200nm的情况下，在所述层系统中的机械应力变得太大以致于在粘附性增强层 (25)之上的层剥落或可能在胶带试验中用非常低的力剥离。在厚度小于5nm的情况下，不 再提供阻挡作用，即，不再提供该层作为扩散阻挡层的功能。由氧化铝和钼组成的金属陶瓷层优选具有20%至70%，尤其优选30%至50%的 钼填充系数。在填充系数高于70%的情况下，在所述层中的金属比例过高并且阻挡作用消 除。在填充系数低于20%的情况下，在阻挡层(Mb)上的IR-反射层的粘附性出现问题。优选地，作为第二阻挡层的金属陶瓷层具有恒定填充系数。通过双层阻挡(其中第一阻挡层由热氧化物构成，例如含有氧化铬和/或氧化铁， 由例如铬铁氧化物组成)实现的所述在顶范围中反射的层相对于所述基底的屏蔽更有效 地阻止了所述基底材料，尤其是铁，从所述钢吸收体管扩散到，尤其是受热影响地扩散到所 述在顶范围内是反射性的层中，并且因此提高了所述涂层的长期热稳定性。由于第二阻挡层由所述的金属陶瓷材料形成，尤其是由氧化铝和钼组成，所述阻 挡层的粘附性与在现有技术中的那些相比得到显著地改进。由于在第一和第二阻挡层之间 布置至少一个粘附提高层(其优选存在)，整个层的粘附性可被进一步显著地改进。在所述阻挡层之间的这种粘附性增强层包含钼。优选地，它由钼构成。这种粘附 性增强层优选具有2nm至40nm，尤其优选5nm至20nm的厚度。
钼在该层堆叠体中的这一位置中没有光学功能。这种粘附性增强层是非活性的。优选地，所述至少两个阻挡层的第一阻挡层的厚度在20nm至IOOnm之间。在厚度 小于20nm的情况下，阻挡作用不令人满意，这取决于相邻层的组成。在厚度大于IOOnm的 情况下，产生热应力，该热应力在某些情况下可能导致层分离。可以在所述在顶范围内是反射性的层和所述吸收层之间布置第三阻挡层，所述 吸收层优选由金属陶瓷材料构成，该金属陶瓷层优选体现为梯度层，所述第三阻挡层优选 由AlxOy化合物构成，其中χ可以呈1或2的值，y可以呈1、2或3的值。它优选具有IOnm 至50nm的厚度。所述在红外范围内是反射性的层嵌入在阻挡层之间和与之相关联的形成夹层结 构所具有的优点在于任何材料也不能从所述在红外范围内是反射性的层扩散到其上面的 吸收层中，以及不可能以此方式损害到所述吸收层的吸收性能。因此可以确保很大程度上 抑制在所述层系统内的扩散，尤其是扩散到所述在红外范围内是反射性的层中或从该层扩 散出来，以及扩散到所述吸收层中。以此方式，可以在降低的压力下在400°C的操作温度下达到其中α >95. 5%的高 吸收率和其中ε <9%的低发射率。这些性能保持不变，甚至在590°C下加速老化3000小 时之后仍如此。因此可以同时从二个方面改进包括设有这种涂层的吸收体管的集热器的效 率改进的选择性比α / ε >0. 95/0. 1意味着较高的辐射能收益，和提高的操作温度可以 实现更有效地转换成电能，只有这样的涂层长的使用寿命才能确保包含以此方式涂覆的吸 收体管的相应抛物槽集热器经济地运行。具体来说，所述吸收体涂层的耐高温性允许使用廉价的载热介质。所述吸收体涂 层的高热稳定性允许所述吸收体管的操作温度> 450°C直至550°C。有利地，可以使用沸点<110°C的载热介质，尤其是水。在这样高的操作温度下，产 生水蒸汽，它可以直接被引到蒸气涡轮机中。不再需要将热量从以前所应用的油传递至水 的附加的热交换器，因此按照这种观点，根据本发明的包括具有吸收体涂层的吸收体管的 抛物槽集热器可以非常经济地可行地运行。另一个优点在于所述载热流体经过所述吸收体管的流动速度可以被降低，这是 因为较高的操作温度是允许的，而对于所述吸收体管涂层没有损害。以此方式可以节省用 于操作抛物槽集热器的泵的能量。所述在红外范围内是反射性的层嵌入在阻挡层之间具有以下另外的优点对于所 述层可以采用例如银、铜、钼或金的材料，它们虽然更容易扩散，但相比于钼来说具有以下 决定性优点即它们在红外范围内显著更好地反射，以致可以达到发射率ε <10%。优选地，所述在顶范围内是反射性的层包含金，银、钼或铜或由金，银、钼或铜构 成。所述在红外范围内是反射性的层的厚度优选是50nm至250nm，这取决于所述材 料。在这种厚度范围内，如果使用尤其是铜或银，则IOOnm至150nm的层厚度是优选的。具 体地说，当使用银时，还可以优选60nm至150nm，优选80nm至150nm的层厚度。IlOnm士 IOnm 是特别优选的。在其它情况下，50nm至lOOnm，尤其是50至SOnm的层厚度也是适当的。对于所述在红外范围内是反射性的层，可以采用这些小的层厚，因为材料金、银、 钼和铜都具有显著更高的反射性，并且由于堆叠在二个阻挡层之间，其不可能扩散进入到其它层中，或者说不会由于其它干扰性元素的扩散而影响它们有利的性能。贵金属Au、Ag和Pt的较高成本可以通过对于所述在红外范围内是反射性的层的 已知层厚相比明显更小的层厚来补偿，在有些情况下甚至是过度补偿。所述吸收层的厚度优选是60nm至180nm，尤其优选SOnm至150nm。所述吸收层优 选是由氧化铝与钼组成的或由氧化锆与钼组成的金属陶瓷层。也可以提供多个具有不同组 成的吸收层(尤其是具有减少的金属比例)或者也可以提供逐渐变化的吸收层代替均勻的 吸收层。这种金属陶瓷层优选是梯度层，这种梯度层应理解为是指在所述层内金属比例连 续地增加或连续地减小(以及在实践中逐步增加或减小)的层。位于所述吸收层上的抗反射层的层厚度优选是60至120nm，优选70nm至llOnm。 该层优选由氧化硅或氧化铝构成。吸收体管，尤其是用于抛物槽集热器的吸收体管，包含钢管，在该钢管外侧上布置 了辐射选择性吸收体涂层，该涂层包含至少一个在红外范围内是反射性的层，包含至少一 个布置在所述反射层之上的吸收层(其尤其由金属陶瓷材料组成)，并包含施加在所述吸 收层之上的抗反射层，所述在红外范围内是反射性的层布置在至少两个阻挡层上，并且所 述至少两个阻挡层的第一阻挡层由热产生的氧化物构成，其特征在于，所述至少两个阻挡 层的第二阻挡层由金属陶瓷材料构成，该金属陶瓷材料由氧化铝和钼组成。在对所述吸收体涂层概括为优选的实施方案中，所述吸收体管优选具有辐射选择 性吸收体涂层。优选地，由氧化铝和钼组成的金属陶瓷层具有20%至70%，优选30%至50%的钼 填充系数。优选地，包含钼，优选由钼构成的粘附性增强层布置在所述吸收体管上在所述第 一和第二阻挡层之间。采用根据本发明的吸收体涂层和根据本发明的吸收体管，可以进行操作抛物槽集 热器的方法，所述抛物槽集热器具有载热介质流经的吸收体管，其中使用具有辐射选择性 吸收体涂层的吸收体管，所述辐射选择性吸收体涂层具有至少一个在红外范围内是反射的 层，至少一个布置在该反射层之上的吸收层，尤其是由金属陶瓷材料组成的吸收层，和布置 在所述吸收层之上的抗反射层，至少两个阻挡层布置在所述吸收体管和所述反射层之间， 所述阻挡层中的面对所述吸收体管的第一阻挡层由热产生的氧化物构成，并且布置在所述 第一阻挡层之上的第二阻挡层由金属陶瓷材料构成，该金属陶瓷材料由氧化铝和钼组成。具有沸点< 110°C的载热液体，尤其是水可以用作通过所述吸收体管的载热液体。 然而，也可以使用具有更高沸点的载热液体。根据另一个实施方案，用于操作抛物槽集热器的方法规定了 所述吸收体管的操 作温度应设定为450°C至550°C，尤其是设定为480°C至520°C。用于运行抛物槽集热器的方法优选用吸收体管操作，所述吸收体管在对所述吸收 体涂层概括为优选的实施方案中具有辐射选择性吸收体涂层。
下面根据附图更详细地说明本发明的示例性的实施方案。在附图中
图1示出了抛物槽集热器，和图2示出了根据本发明一个实施方案的穿过吸收体管的剖面。图1显示了抛物槽集热器10，它包含具有抛物面轮廓的细长的抛物面反射器11。 抛物面反射器11由支承结构12固定住。沿着抛物面反射器11的焦线，延伸着吸收体管13， 它被固定在支架14上，该支架与所述抛物槽集热器相连接。抛物面反射器11与支架14和 吸收体管13形成单元，该单元围绕吸收体管13的轴线转动并因此单轴地追踪太阳S的位 置。太阳S射入的平行太阳光辐射被抛物面反射器11聚焦到吸收体管13上。载热介质， 尤其是水流过吸收体管13，该吸收体管被所吸收的太阳光加热。在所述收体管的出口端可 以取出所述传热介质并将其输送给耗能器或者能量转换器。图2示意性地显示了穿过吸收体管13的剖面。吸收体管13具有载热介质2流过 的钢管1，并且此钢管形成了施加在管子1外侧上的吸收体涂层20的基底。吸收体涂层20 的各层的层厚为了简单说明而被放大描绘，并具有近似相等的厚度。吸收体涂层20从里向外具有借助于热氧化施加在钢管1上的由铬铁氧化物组成 的第一阻挡层或扩散阻挡层Ma。在其上施加了由钼组成的粘附性增强层。在其上，在由 金属陶瓷材料(该金属陶瓷材料由氧化铝和钼组成)组成的第二阻挡层24b和第三阻挡层 24c之间嵌入在红外范围内是反射性的并由金、银、钼或铜组成的层21。在第三阻挡层2 上施加了金属陶瓷层22，并且该层状系统向外以抗反射层23终止。通过下述方法涂覆根据图2的实施方案的吸收体管。将钢管1，优选是不锈钢管抛光并然后清洗。在抛光过程中表面粗糙度优选达到 Ra < 0. 2μπι。随后使所述不锈钢管在温度为> 400°C下热氧化半小时到2小时，尤其是在 500°C下热氧化大约1小时。在该过程中，形成15nm至50nm，优选为30nm士 IOnm厚的氧化 物层，作为第一阻挡层Ma。随后，将所述钢管装入到真空涂层设备中并将该设备抽真空。在达到小于5X 10_4 毫巴，优选为1 X 10_4毫巴的压力之后，借助于物理蒸气沉积(PVD)，尤其是借助于阴极溅射 施加随后的层。为此使所述钢管以旋转的方式引导通过溅射源，也就是通过由所述涂层物 质，例如Al，Ag和Mo组成的靶。在第一沉积步骤中，通过将所述钢管以旋转的方式引导通过所述靶而施加由Mo 组成的粘附性增强层。所述层的厚度是5nm至20nm。在第二沉积步骤中，通过使所述管以旋转方式引导通过彼此相对布置的源之间， 而以多层的形式施加第二阻挡层Mb。在这种情况下设定10_2毫巴至10_3毫巴，优选4X10_3 毫巴至7X10_3毫巴的气室压力(氩气)。将氧气供给铝靶以产生氧化铝。这种第二阻挡 层的优选的层厚度是IOnm至50nm，并且非常尤其优选30nm士 lOnm。所述钼填充系数在层 厚度内以恒定方式具有20 %至70 %的值。在随后的第三沉积步骤中，施加在红外范围内是反射性的层21，所述施加是通过 使金、银、钼或铜，优选银，以60nm至150nm，尤其优选IlOnm士 IOnm的厚度沉积在第二阻挡 层24b上而进行的。在第四沉积步骤中施加另一个SiOx-或AlxOy层形式的第三阻挡层Mc，所述施加 是通过使硅或铝溅射并在输入氧气的情况下反应性地沉积而进行的。这种第三阻挡层的优 选层厚是至多50nm，特别优选IOnm士5nm。然而，这种阻挡层也可以完全省去，因为已经发现如果施加在反射层21上的吸收层22的组成适合，就不必通过一个附加的阻挡层来阻止 扩散。在第五沉积步骤中，通过将铝和钼从一个共同的坩埚里或者由二个分开的靶同时 蒸发/溅镀而施加所述吸收层，即在此的金属陶瓷层22。在这种情况下，同时将氧气引入到 铝靶的溅射区域中，以便除了钼之外还沉积氧化铝。在这种情况下，在第五沉积步骤中，通过适当选择所述工作参数(溅射速率和氧 气的量)可以不同地设定以及在层沉积过程中改变组成。尤其是在使用分开的靶时，可以 在吸收层22中相对于氧化铝部分的沉积有变化地设定钼部分的沉积。换句话说，吸收层22 的钼比例被设定为梯度，在这种情况下，它优选在施加吸收层22过程中降低。所述金属陶 瓷层因此由多个薄独立层组成，它们以交替序列由氧化铝和钼构成，所述钼层的厚度沿向 外方向降低。在里面，钼比例优选为25%至70% (体积)，特别优选40士 15% (体积)，并 且向外减小到10%至30% (体积)，尤其优选20士 10% (体积)。相对于沉积的铝部分来说，氧气的添加优选按不足化学计算地进行，以致在吸收 层22中保留未氧化的铝部分。这然后适用作为氧化还原电位或氧吸气剂，以致没有氧化 钼形成。吸收层22中的未氧化的铝部分相对于吸收层的总组成而言优选为低于10% (体 积)，尤其优选在0和5% (体积)之间。所述未氧化的铝部分同样也可以在吸收层之内通 过改变操作参数而改变，所述操作参数为氧气的蒸发速率和量。
总体上，优选施加厚度为60nm至180nm，尤其优选80nm至150nm，特别优选 120 士 30nm的吸收层22。在第六沉积步骤中，通过借助于在供氧气的同时物理蒸气沉积硅而沉积SW2层， 施加以SW2层形式的抗反射层23。如此沉积的抗反射层23的优选厚度是70nm至llOnm， 尤其优选90 士 IOnm。将按此方式生产出的吸收体管在真空加热装置中在550°C下加热了 250小时。真 空腔中的压力在此加热期间小于1X10_4毫巴。在250小时之后将加热关闭。在将样品冷 却到100°C以下之后，使所述真空腔室通风并移除样品。接着对样品进行了光谱分析，在 此过程中，可以确定AM 1.5直接太阳光谱和波长范围350-2500nm的整体太阳光吸收率为 95.5% 士0.5%。对于400°C的基底温度，热发射率被测定为8% 士2%。除根据上述方法涂覆的样品之外，还涂覆在金属反射层之下没有第二阻挡 层的样品和具有纯氧化硅层或纯Al2O3层作为第二阻挡层替代根据本发明的金属陶瓷层的 样品。在涂覆后，在所述涂层上进行使用粘合剂膜带的粘附强度测试(“粘合带测试”)。在 没有第二阻挡层的样品的情况下和在具有纯氧化硅层作为第二阻挡层的样品的情况下，在 < ION的扯下值时确认所述涂层的分离。在具有纯Al2O3层的样品的情况下，可以检测到高 达约20N的粘附力，但是在M小时内由于在所述涂层中的高的内在应力而出现开裂。在根 据上述方法产生的样品的情况下，可以进行高达40N的扯下试验而没有层分离。在590°C下 使样品老化10小时后重复这些实验具有相同结果。因此根据本发明的吸收涂层不但具有其它需要的性能例如高太阳光吸收率和低 热发射率，而且具有各个层彼此间的良好粘附性。尤其是阻挡层的粘附性与现有技术相比得到显著改进。附图标记列表
1 钢管2 载热液体10 抛物槽集热器11 抛物面反射器12 支承结构13 吸收体管14 支架20 辐射选择性吸收体涂层21 在红外范围内是反射性的层22 吸收层23 抗反射层24a 第一阻挡层24b第二阻挡层24c第三阻挡层25粘附性增强层
权利要求
1.辐射选择性吸收体涂层(20)，尤其是用于抛物槽集热器(10)的吸收体管(13)的辐 射选择性吸收体涂层，该涂层包含在红外范围内是反射性的层(21)、至少一个布置在反射 层之上的吸收层(22)，并包含布置在吸收层02)之上的抗反射层(23)，其中反射层 (21)布置在至少两个阻挡层上，并且所述至少两个阻挡层中的第一阻挡层0 )由热产生 的氧化物构成，其特征在于，所述至少两个阻挡层中的布置在所述第一阻挡层之上的第二 阻挡层04b)由金属陶瓷材料构成，该金属陶瓷材料由至少一种选自氧化铝、氧化硅、氧化 镍、氧化铬的成分和至少一种选自钼、镍、钨、钒的成分组成。
2.根据权利要求1的吸收体涂层(20)，其特征在于，第二阻挡层由金属陶瓷材 料构成，该金属陶瓷材料由氧化铝和钼组成。
3.根据权利要求2的吸收体涂层(20)，其特征在于，第二阻挡层(Mb)具有20%至 70%的钼填充系数。
4.根据上述权利要求中任一项的吸收体涂层(20)，其特征在于，在第一阻挡层(Ma) 和第二阻挡层(Mb)之间布置至少一个粘附性增强层(25)，该层优选由钼组成。
5.根据上述权利要求中任一项的吸收体涂层(20)，其特征在于，第二阻挡层的 厚度为5nm至200nm。
6.根据上述权利要求中任一项的吸收体涂层(20)，其特征在于，吸收层02)由金属陶 瓷材料构成。
7.根据上述权利要求中任一项的吸收体涂层(20)，其特征在于，在红外范围内是反射 性的层包含金、银、钼或铜，或者由金、银、钼或铜构成。
8.根据上述权利要求中任一项的吸收体涂层(20)，其特征在于，在红外范围内是反射 性的层的厚度为50nm至150nm。
9.根据上述权利要求中任一项的吸收体涂层(20)，其特征在于，第一阻挡层(Ma)是 铬铁氧化物层。
10.根据上述权利要求中任一项的吸收体涂层(20)，其特征在于，吸收层02)具有 60nm至140nm的厚度。
11.吸收体管(13)，尤其是用于抛物槽集热器的吸收体管，该吸收体管包含钢管(1)， 在该钢管外侧上施加了辐射选择性吸收体涂层(20)，该涂层具有至少一个在红外范围内是 反射性的层(21)、至少一个布置在反射层之上的吸收层(22)，和布置在吸收层02) 之上的抗反射层(23)，至少两个阻挡层04)布置在钢管(1)和反射层之间，所述阻 挡层中施加在钢管(1)上的第一阻挡层0 )由热产生的氧化物组成，布置在第一阻挡层 (24a)上的第二阻挡层04b)由金属陶瓷材料构成，该金属陶瓷材料由至少一种选自氧化 铝、氧化硅、氧化镍、氧化铬的成分和至少一种选自钼、镍、钨、钒的成分组成。
12.根据权利要求11的吸收体管(13)，其特征在于，第二阻挡层由金属陶瓷材 料构成，该金属陶瓷材料由氧化铝和钼组成。
13.根据权利要求11或12的吸收体管(13)，其特征在于，在第一阻挡层(Ma)和第二 阻挡层(Mb)之间布置至少一个粘附性增强层(25)，其优选由钼组成。
14.根据权利要求12的吸收体管(13)，其特征在于，第二阻挡层(Mb)具有20%至 70%的钼填充系数。
全文摘要
本发明涉及辐射选择性吸收体涂层和具有辐射选择性吸收体涂层的吸收体管。具体地，本发明涉及辐射选择性吸收体涂层，尤其是用于抛物槽集热器的吸收体管的辐射选择性吸收体涂层，该涂层包含在红外范围内是反射性的层，至少一个布置在所述反射层之上的吸收层，并包含布置在所述吸收层之上的抗反射层，所述反射层布置在至少两个阻挡层上，并且所述至少两个阻挡层的第一阻挡层由热产生的氧化物构成，和所述至少两个阻挡层的布置在所述第一阻挡层之上的第二阻挡层由金属陶瓷材料构成，该金属陶瓷材料由至少一种选自氧化铝、氧化硅、氧化镍、氧化铬的成分和至少一种选自钼、镍、钨、钒的成分组成。本发明还涉及包含此种吸收体涂层的吸收体管。
文档编号F24J2/50GK102042705SQ20101051335
公开日2011年5月4日 申请日期2010年10月15日 优先权日2009年10月15日
发明者卡梅尔·希尔米, 塞巴斯蒂安·德赖尔, 托马斯·库克尔科恩 申请人:肖特太阳能控股公司