本实用新型涉及单晶硅生产技术领域，具体涉及一种单晶硅片烘烤专用烤箱。
背景技术：
硅片在清洗完后需要对其表面进行烘干作业，由于硅片厚度较薄，采用常规烤箱进行烘干极易因受热不均而造成裂片，同时在烘烤过程中也会出现各种脏污，如果不对烤箱结构进行专门设计脏污就会聚集在烤箱内，随着时间的积累烤箱变得越来越脏，烘烤后的硅片表面也不干净。
技术实现要素：
本实用新型所要解决的技术问题在于克服现有的技术缺陷，提供一种单晶硅片烘烤专用烤箱。
本实用新型所要解决的技术问题采用以下的技术方案来实现：
一种单晶硅片烘烤专用烤箱，包括箱体，在所述箱体顶部设置有加热装置，所述加热装置内部为加热丝或者加热棒并与电源连接，加热装置上端有冷气进口，与冷气进口成对角线位置有热气出口，所述箱体两边分别为进气通道、排气通道，中空隔板将箱体分割成单独的隔层，加热装置下方的热气出口与进气通道连通，进气通道与中空隔板连通，在中空隔板下端面设置有出气孔，出气孔为圆形或者方形，紧密排列在中空隔板下端面，在隔层底部靠近排气通道处设置排气口，排气口与排气通道连通，排气通道上端为盲端，下端出口与排气装置连接。
将待烤硅片置于箱体内的隔层中，气体从冷气进口进入加热装置，经加热装置后气体温度升高并从热气出口进入进气通道，再沿着中空隔板从出气孔进入到隔层，对隔层内的硅片进行加热，再从隔层底部的排气口进入排气通道，排出箱体，完成一个循环。
该烤箱所用气体最好为纯氮气。
进一步加热装置与控制器连接，所述控制器与电源连接，通过控制器控制加热丝或加热棒温度。
本实用新型的有益效果为：通过使用经过加热的气体对硅片进行烘烤，使得硅片受热均匀，不会产生裂片，同时气体在隔层内循环可以带走粘附在硅片表面的脏污，保持隔层内的清洁。
附图说明
图1为本实用新型示意图。
具体实施方式
为了使本实用新型实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体图示，进一步阐述本实用新型。
如图1所示，一种单晶硅片烘烤专用烤箱，包括箱体1，在箱体1顶部设置有加热装置2，加热装置2内部为加热丝5或者加热棒并与电源连接，加热装置2上端有冷气进口3，与冷气进口3成对角线位置有热气出口4，箱体1两边分别为进气通道6、排气通道7，中空隔板8将箱体1分割成单独的隔层，加热装置2下方的热气出口4与进气通道6连通，进气通道6与中空隔板8连通，在中空隔板8下端面设置有出气孔9，出气孔9为圆形或者方形，紧密排列在中空隔板8下端面，在隔层底部靠近排气通道7处设置排气口10，排气口10与排气通道7连通，排气通道7上端为盲端，下端出口11与排气装置连接。
将待烤硅片置于箱体1内的隔层中，气体从冷气进口3进入加热装置2，经加热装置2后气体温度升高并从热气出口4进入进气通道6，再沿着中空隔板8从出气孔9进入到隔层，对隔层内的硅片进行加热，再从隔层底部的排气口10进入排气通道7，排出箱体1，完成一个循环。
该烤箱所用气体最好为纯氮气。
进一步加热装置与控制器12连接，控制器12连接到电源上，通过控制器控制加热丝或加热棒温度。
由于使用经过加热的气体对硅片进行烘烤，使得硅片受热均匀，不会产生裂片，同时气体在隔层内循环可以带走粘附在硅片表面的脏污，保持隔层内的清洁。
以上显示和描述了本实用新型的基本原理和主要特征和本实用新型的优点。本行业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下，本实用新型还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。