本发明涉及一种药品生产装置，具体涉及一种能处理废水的生产装置。
背景技术：
近些年，甾体激素原料药的用途越来越广泛，主要包括地塞米松系列药物、甲基泼尼松龙系列药物、倍他米松系列药物等等。甾体激素原料药、中间产物和合成药生产厂家所排出的废水中含有有害金属，如重金属Cr6+和Zn2+等，且废水的CODcr（化学需氧量）较高。
在废水排放之前，必须首先对废水进行处理，去除其中绝大部分的重金属、降低CODcr才能达到排放标准。
另外。在化工生产中经常需要处理废水，需要一种生产装置，能用于处理废水。
技术实现要素：
本发明的目的是针对上述现有技术的不足，提供一种能处理废水的生产装置，能够去除废水中的大部分的重金属、降低CODcr值。
本发明的内容包括：一种能处理废水的生产装置，包括混合罐、发酵罐、提纯罐和浓缩罐，发酵罐、提纯罐和浓缩罐底部连有废水管，废水管与废水回收装置相连，所述废水回收装置包括反应池和盖体，反应池上连有进水管和出水管，废水回收装置还包括臭氧发生装置，与臭氧发生装置相连的进气管的出口端设置在反应池底部，盖体上设有催化光源，臭氧回收管一端设置在反应池上方、另一端通入臭氧回收池内，出水管的出水端连入过滤池上部，过滤池内设有过滤层，过滤池下部设有输出管。
反应池上还连有催化剂输入管。
所述进气管与多孔板相连，多孔板上设有出气孔，多孔板设置在反应池底部。
所述盖体上设有观察窗。
所述臭氧回收管上设有第一控制阀，出水管上设有第二控制阀。
所述过滤层为至少两层
本发明的有益效果是：与现有技术相比，本发明将生产中的废水中所含有的重金属离子去除，同时降低了CODcr值，符合国家环保要求和行业规定。
附图说明
附图为本发明的结构示意图。
在图中，图号具体指代如下：1. 臭氧发生装置，2. 反应池，3. 多孔板，4. 进气管，5. 盖体，6. 催化光源，7. 观察窗，8. 臭氧回收管，9. 第一控制阀，10. 臭氧回收池，11. 出水管，12. 第二控制阀，13. 过滤池，14. 过滤层，15. 输出管，16. 进水管，17. 混合罐，18. 发酵罐，19. 提纯罐，20. 浓缩罐，21. 废水管。
具体实施方式
如图1所示，一种能处理废水的生产装置，包括混合罐17、发酵罐18、提纯罐19和浓缩罐20，发酵罐18、提纯罐19和浓缩罐20底部连有废水管21，废水管21与废水回收装置相连，所述废水回收装置包括反应池2和盖体5，反应池2上连有进水管16和出水管11，废水回收装置还包括臭氧发生装置1，与臭氧发生装置1相连的进气管4的出口端设置在反应池2底部，盖体5上设有催化光源6，臭氧回收管8一端设置在反应池2上方、另一端通入臭氧回收池10内，出水管11的出水端连入过滤池13上部，过滤池13内设有过滤层14，过滤池13下部设有输出管15。
本发明工作原理如下：在合成的过程中，多需要将原料经过混合罐17的混合、发酵罐18的发酵、提纯罐19的提纯、浓缩罐20的浓缩等几个工序。其中发酵、提纯和浓缩过程中多会产生废液，这些废液经过废水管21与进水管16相连，之后进入反应池2中，反应池2顶部的催化光源6启动，同时臭氧发装置1通过进气管4向反应池底部通入臭氧，在光催化的作用下，臭氧与废水中的重金属离子发生反应，使得Cr6+还原转化为Cr3+，然后直接加碱生成Cr(OH)3沉淀，Zn2+也生成Zn（OH）2，使得废水中的绝大部分有害金属离子得到控制，同时降低了CODcr值。之后废水经过出水管11进入过滤池13，其中过滤层14内含有铁屑和焦炭的混合物，进一步对废水进行过滤。处理过后的废水经过输出管15排出，重新加以利用。
反应池2上还连有催化剂输入管。通过催化剂输入管还可以向反应池2内加入其它催化剂，使得催化反应更加彻底、快速。
为了使得反应池2内的催化反应更加均匀，本发明将进气管4的出口与多孔板3相连，多孔板3上设有出气孔，多孔板3设置在反应池2底部，多孔板3可以使得臭氧通过多个小出气孔均匀的进入废水溶液中，使得臭氧在废水中分布均匀，催化反应的效果更好。
为了便于随时观察反应池2内部的情况，在盖体5上设有观察窗7，通过观察窗可以看到反应池2内部状况，并且打开观察窗还可以随时取样。
优选的，所述臭氧回收管8上设有第一控制阀9，出水管11上设有第二控制阀12。一般来说，臭氧不宜直接排放入空气，臭氧回收池10可以吸收多余的臭氧。当需要清理反应池2或者关闭反应池2内的反应的时候，先停止臭氧发生器1的工作，而第一阀门9仍处于打开状态一端时间，使得反应池2内的臭氧几乎都进入臭氧回收池10，之后才能关闭第一阀门9，进行其他作业。另外，通过控制第二阀门12，可以选择将催化反应后的废水直接通入过滤池，也可以再次回到反应池内。
所述过滤层14为至少两层，过滤层14内的过滤物质是铁和焦炭的混合物，不同过滤层14内物质的目数不同。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。