本发明涉及电容器加工技术领域，尤其涉及一种直流滤波电容器金属化薄膜清洗方法。
背景技术：
电容器是电子设备和电力设备必不可少的基础元件，其广泛应用于音像设备、计算机终端设备、通讯设备、节能光源、汽车电子、电器设备、电子系统、军工产品和航空航天等领域，电容器的需求量逐年增加，要求其容量大、耐压高、质量好且可靠性强。因此，相应要求电容器卷绕方法具备高性能、高效率、高精度和高可靠性。
目前，现有技术在卷绕过程中对金属化薄膜表面的金属采用电火花清洗的方式，但是这种清洗方法存在清洗不完全的问题，金属镀层在薄膜表面的残留较多，当电容器通入接触高电压时，存在被击穿的风险，电容器的寿命得不到保证。
技术实现要素：
基于背景技术存在的技术问题，本发明提出了一种直流滤波电容器金属化薄膜清洗方法；
本发明提出的一种直流滤波电容器金属化薄膜清洗方法，包括：
S1、将电容器金属化薄膜传送至真空室；
S2、对所述真空室进行抽真空，使所述真空室内的真空度维持在预定真空度；
S3、在真空室内对金属化薄膜进行卷绕；
S4、在真空室内通过激光对卷绕过程中的金属化薄膜进行杂质清洗。
优选地，步骤S3，具体包括：在真空室内对金属化薄膜进行卷绕，并获取金属化薄膜卷绕过程中的实时张力，基于预设的张力范围调节金属化薄膜卷绕过程中的实时张力。
优选地，步骤S4，具体包括：通过多道激光对卷绕过程中的金属化薄膜进行杂质清洗，且多道激光照射位置相异。
优选地，步骤S4，具体包括：在真空室内通过激光发射器发射激光对卷绕过程中的金属化薄膜进行杂质清洗，且所述激光发射器可根据预设的路径进行移动。
优选地，步骤S2，具体包括：对所述真空室进行抽真空，使所述真空室内的真空度维持在10pa以下。
优选地，步骤S3，还包括：对所述真空室进行温度调节，使所述真空室内的温度维持在预设温度。
本发明通过将电容器金属化薄膜传送至真空室，对所述真空室进行抽真空，使所述真空室内的真空度维持在预定真空度，在真空室内对金属化薄膜进行卷绕，在真空室内通过激光对卷绕过程中的金属化薄膜进行杂质清洗。如此，在薄膜卷绕过程中，通过真空操作以减少薄膜卷绕过程中的外界环境中的各种水气、空气、杂质等，通过激光清洗保证了清洗后的薄膜表面的清洁度，将金属及金属氧化物残留降至非常低的水准，进一步的，采用激光清洗具有较好的通用性，不会存在无法清洗的问题。
附图说明
图1为本发明提出的一种直流滤波电容器金属化薄膜清洗方法的流程示意图。
具体实施方式
参照图1，本发明提出的一种直流滤波电容器金属化薄膜清洗方法，包括：
步骤S1，将电容器金属化薄膜传送至真空室。
在具体方案中，通过传送机构将待卷绕的电容器薄膜传送至真空室。
步骤S2，对所述真空室进行抽真空，使所述真空室内的真空度维持在预定真空度，具体包括：对所述真空室进行抽真空，使所述真空室内的真空度维持在10pa以下，进一步的，还包括：对所述真空室进行温度调节，使所述真空室内的温度维持在预设温度。
在具体方案中，通过抽真空机对真空室进行抽真空，使得真空室内的真空度维持在预定真空度，对真空室进行温度调节使真空室内的温度维持在预设温度，其中，预设温度、预定真空度可由用户编辑，目的是为了减少薄膜卷绕过程中的外界环境中的各种水气、空气、杂质等。
步骤S3，在真空室内对金属化薄膜进行卷绕，具体包括：在真空室内对金属化薄膜进行卷绕，并获取金属化薄膜卷绕过程中的实时张力，基于预设的张力范围调节金属化薄膜卷绕过程中的实时张力。
在具体方案中，在卷绕过程中，由于薄膜宽度、薄膜厚度、张力系数、机器运转状态不同会薄膜张力产生变化，为了使薄膜张力均匀，需要对薄膜卷绕过程中的实时张力进行监控，根据预设的张力范围调节薄膜卷绕过程中的实时张力，使整个卷绕过程中的张力恒定。
步骤S4，在真空室内通过激光对卷绕过程中的金属化薄膜进行杂质清洗，具体包括：通过多道激光对卷绕过程中的金属化薄膜进行杂质清洗，且多道激光照射位置相异。
具体的，在真空室内通过激光发射器发射激光对卷绕过程中的金属化薄膜进行杂质清洗，且所述激光发射器可根据预设的路径进行移动。
在具体方案中，通过移动激光对薄膜表面上的杂质进行清洗，保证了清洗后的薄膜表面的清洁度，将金属及金属氧化物残留降至非常低的水准，采用多道激光同时照射提高清洗的效率和效果，进一步的，采用激光清洗具有较好的通用性。
本实施方式通过将电容器金属化薄膜传送至真空室，对所述真空室进行抽真空，使所述真空室内的真空度维持在预定真空度，在真空室内对金属化薄膜进行卷绕，在真空室内通过激光对卷绕过程中的金属化薄膜进行杂质清洗。如此，在薄膜卷绕过程中，通过真空操作以减少薄膜卷绕过程中的外界环境中的各种水气、空气、杂质等，通过激光清洗保证了清洗后的薄膜表面的清洁度，将金属及金属氧化物残留降至非常低的水准，进一步的，采用激光清洗具有较好的通用性，不会存在无法清洗的问题。
以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本发明的保护范围之内。