本实用新型涉及多晶硅领域，特别涉及一种多晶硅原料清洗装置。
背景技术：
现有的多晶硅原料处理过程中，设有原料清洗工序，目的是清洗原料中含有的酸碱及其它杂质，该工序通常的做法是将原料放入清洗槽内通入清水进行清洗，有的还需要利用酸液或碱液进行冲洗。但是目前大多数清洗装置设置不太合理，清洗后的杂质难以去除，酸碱中和后形成盐类会积淀在底壁上，难以清理，另外，由于水流平缓，清洗效果并不理想。由于表面张力的作用，特别是大件板装物料，清洗完毕后不好取出。
技术实现要素：
本实用新型提供一种多晶硅原料清洗装置，可以解决背景技术中所指出的问题。
一种多晶硅原料清洗装置，包括：
皮带输送机构，其为由第一输送段和第二输送段构成的V字形结构，所述第一输送段倾斜设置，所述第二输送段水平设置；
清洗池，其底壁倾斜设置且倾斜方向与所述皮带输送机构的倾斜方向相同，所述清洗池的底壁较低的一端设置有泄淤阀，所述皮带输送机构至少部分位于所述清洗池内，所述第二输送段露出于所述清洗池，所述清洗池的侧壁具有缓冲层，所述底壁上设置有震动电机。
更优地，所述缓冲层为橡胶层。
本实用新型提供一种多晶硅原料清洗装置，利用皮带输送机构，第一输送段没在水面之下，不影响原料的清洗，当物料增多，原来漂浮至后端时一端接触皮带输送机构的皮带，在皮带的带动下实现自动输送，最终落入预定的物料区，倾斜的底壁可以将中和后的盐类或污物由于重力作用而自动向较低一端滑动，通过震动电机可以防止污物或盐类在底壁上沉淀，影响清除效果，另外，通过震动电机可以使水体产生波动，从而实现更好的清洗效果。
附图说明
图1为本实用新型提供的一种多晶硅原料清洗装置结构示意图。
附图标记说明：
10-清洗池，11-底壁，20-第一支架，21-驱动电机，22-皮带，23-第二支架，24-第三支架，25-第四支架，30-缓冲层，40-震动电机。
具体实施方式
下面结合附图，对本实用新型的一个具体实施方式进行详细描述，但应当理解本实用新型的保护范围并不受具体实施方式的限制。
如图1所示，本实用新型实施例提供的一种多晶硅原料清洗装置，包括：
皮带22输送机构，其为由第一输送段和第二输送段构成的V字形结构，第一输送段倾斜设置，第二输送段水平设置，清洗池10内设置有第一支架20和第二支架23，输送方向的末端设置有第三支架24和第四支架25，每个支架上设置有滚轮，皮带22安装在滚轮上，第一支架20的高度较第二支架23的高度低，第二支架23较第三支架24的高度低，第三支架24和第四支架25等高，由此形成大V字形结构，第二支架23的设置可以使皮带22较长段地没入水下，第三支架24上设置有驱动电机21，用于驱动第三支架24上的滚轮转动从而带动皮带22转动；
清洗池10，其底壁11倾斜设置且倾斜方向与皮带输送机构的倾斜方向相同，清洗池10的底壁11较低的一端设置有泄淤阀，皮带输送机构至少部分位于清洗池10内，第二输送段露出于清洗池10，清洗池10的侧壁具有缓冲层30，底壁11上设置有震动电机40。
进一步地，缓冲层30为橡胶层。
本实用新型提供一种多晶硅原料清洗装置，利用皮带输送机构，第一输送段没在水面之下，不影响原料的清洗，当物料增多，原来漂浮至后端时一端接触皮带输送机构的皮带，在皮带的带动下实现自动输送，最终落入预定的物料区，倾斜的底壁可以将中和后的盐类或污物由于重力作用而自动向较低一端滑动，通过震动电机可以防止污物或盐类在底壁上沉淀，影响清除效果，另外，通过震动电机可以使水体产生波动，从而实现更好的清洗效果。
以上公开的仅为本实用新型的几个具体实施例，但是，本实用新型实施例并非局限于此，任何本领域的技术人员能思之的变化都应落入本实用新型的保护范围。