一种溢流式微波辐射饮用水消毒系统的制作方法

文档序号:17263909发布日期:2019-03-30 09:51阅读:142来源:国知局
一种溢流式微波辐射饮用水消毒系统的制作方法

本发明涉及一种饮用水消毒系统,尤其涉及一种溢流式微波辐射饮用水消毒系统。



背景技术:

微波在照射细菌时,会导致细菌体内的蛋白质和其他生理活动所需物质发生变异,从而杀死细菌或使细菌的生长受阻。

在饮用水消毒领域,微波已得到一定应用。实践证明,微波灭菌效果较好,但微波在水中的穿透深度限制了消毒效果的进一步提高。当水深超过微波的穿透深度后,较深处的水就无法接受到微波辐射,导致饮用水消毒效果受到严重影响。



技术实现要素:

本发明的目的是提供一种溢流式微波辐射饮用水消毒系统。

本发明的目的是通过以下技术方案实现的:

本发明的溢流式微波辐射饮用水消毒系统,包括微波发生器腔体,所述微波发生器腔体内设有溢流管和倾斜式集水盘,所述溢流管自上而下依次为待消毒水溢流口、待消毒水流动通道、连接段、待消毒水入口,所述倾斜式集水盘设于所述待消毒水流动通道下部,所述倾斜式集水盘包括集水盘底面和边壁,所述倾斜式集水盘最下端设有排水口。

由上述本发明提供的技术方案可以看出,本发明实施例提供的溢流式微波辐射饮用水消毒系统,通过使待消毒水以水膜形式流动,微波可轻易穿透水膜,有效杀灭待消毒水中的致病微生物;通过将待消毒水流动通道外壁设置为金属材质,使微波穿透水膜后,还会被反射回水膜,对待消毒水进行二次消毒,同时有利于微波在微波发生器腔体中的均匀分布;通过调节倾斜式集水盘底面坡度和边壁高度,可调节该消毒系统对已消毒水的储水量。该系统具有待消毒水消毒效果好,微波能量利用率高,微波辐射均匀的优点。

附图说明

图1为本发明实施例提供的溢流式微波辐射饮用水消毒系统俯视图;

图2为本发明实施例提供的溢流式微波辐射饮用水消毒系统的1-1截面图;

图3为本发明实施例提供的溢流式微波辐射饮用水消毒系统的2-2截面图;

图4为本发明实施例提供的溢流式微波辐射饮用水消毒系统中溢流管的俯视放大图;

图5为本发明实施例中待消毒水在溢流管中的流动示意图;

图6为本发明实施例中已消毒水在倾斜式集水盘上的流动示意图。

图中:

1-溢流管;2-倾斜式集水盘;3-微波发生器腔体;4-排水口;1-1-待消毒水溢流口;1-2-待消毒水流动通道;1-3-连接段;1-4-待消毒水入口;2-1-集水盘底面;2-2-边壁。

具体实施方式

下面将对本发明实施例作进一步地详细描述。本发明实施例中未作详细描述的内容属于本领域专业技术人员公知的现有技术。

本发明的溢流式微波辐射饮用水消毒系统,其较佳的具体实施方式是:

包括微波发生器腔体,所述微波发生器腔体内设有溢流管和倾斜式集水盘,所述溢流管自上而下依次为待消毒水溢流口、待消毒水流动通道、连接段、待消毒水入口,所述倾斜式集水盘设于所述待消毒水流动通道下部,所述倾斜式集水盘包括集水盘底面和边壁,所述倾斜式集水盘最下端设有排水口。

所述微波发生器腔体和所述倾斜式集水盘均为尺寸可调节结构,所述微波发生器腔体内设有多个所述溢流管。

所述待消毒水流动通道外壁为金属材质,所述待消毒水流动通道与连接段合并的高度h3为20-60cm。

所述待消毒水溢流口、待消毒水流动通道、连接段、待消毒水入口的任意横截面在水平面上的投影均为同心圆环。

所述待消毒水溢流口侧壁与水平面夹角α1在1-89°之间,所述连接段侧壁与水平面夹角α2在1-89°之间。

所述倾斜式集水盘设有向排水口方向的集水角α3,集水角α3在1-179°之间,所述集水盘底面与水平面夹角α4在0.1-89.9°之间。

所述待消毒水流动通道内径d2在3-10cm之间,所述待消毒水入口直径d3与所述待消毒水溢流口直径d1之比在0.01-100之间。

所述集水盘底面高点处的边壁高度h1与低点处的边壁高度h2之比在0.99-0.01之间。

相邻两个所述待消毒水流动通道外壁距离l2与两端所述待消毒水流动通道外壁与邻近所述边壁之间的距离l1之比为2:1,相邻两个所述待消毒水流动通道外壁距离l2在3-20cm之间。

所述排水口直径d4在1.0-2.5cm之间。

为解决现有技术中的问题,需要对传统微波法饮用水消毒系统进行改进,一种有效的思路是将待消毒水转换成水膜的形式,这样微波可轻易穿透水膜,有效杀灭水中的致病微生物。

将自来水转换成水膜的一种有效方法是采用外壁为金属的溢流管。该方法会在三方面产生有益效果。首先,形成的水膜较为均匀,使待消毒水可均匀接受到微波辐射;第二,微波穿透水膜后,还会被金属壁面反射回微波发生器腔体空间,使待消毒水接受二次消毒;第三,当有多个溢流体系存在于微波发生器腔体中时,微波会被不断的来回反射,有利于待消毒水的多次消毒和微波在腔体中的均匀分布,也有利于降低微波返回到磁控管中的概率。

本发明的溢流式微波辐射饮用水消毒系统,通过使待消毒水以水膜的形式流动,微波可轻易穿透水膜,有效杀灭待消毒水中的致病微生物;通过将待消毒水流动通道外壁制作成金属材质,可使微波在穿透水膜,到达金属壁面后,被反射回微波发生器腔体,实现对待消毒水的二次消毒;通过调节倾斜式集水盘底面与水平面夹角大小和边壁高度,可调节该消毒系统对已消毒水的储水量;通过设置多个溢流管,可对微波多次反射,使微波在腔体中均匀分布,并大大减少返回到磁控管中的微波量。

具体实施例:

如图1~图6所示,包括微波发生器腔体3,所述微波发生器腔体3内设有溢流管1和倾斜式集水盘2,所述溢流管1自上而下依次为待消毒水溢流口1-1、待消毒水流动通道1-2、连接段1-3、待消毒水入口1-4,所述倾斜式集水盘2设于所述待消毒水流动通道1-2下部,所述倾斜式集水盘2包括集水盘底面2-1和边壁2-2,所述倾斜式集水盘2最下端设有排水口4。。该系统通过使待消毒水以水膜的形式流动,微波可轻易穿透水膜,实现对待消毒水中致病微生物的有效灭杀。

在上述一种溢流式微波辐射饮用水消毒系统中,具体地,所述微波发生器腔体3和所述倾斜式集水盘2均为尺寸可调节结构,所述微波发生器腔体3内设有多个所述溢流管1。通过采取该结构,可使该饮用水消毒系统的适应性大大加强。

在上述一种溢流式微波辐射饮用水消毒系统中,具体地,所述待消毒水流动通道1-2外壁为金属材质,所述待消毒水流动通道1-2与连接段1-3合并的高度h3为20-60cm。通过采取该结构,使微波在穿透水膜后,可再被反射回水膜,实现对待消毒水的二次消毒。另外,当采用多个溢流管时,可实现微波的多次反射,有利于微波的均匀分布和待消毒水的多次消毒。优选地,所述待消毒水流动通道1-2高度h3为40cm。

在上述一种溢流式微波辐射饮用水消毒系统中,具体地,所述待消毒水溢流口1-1、待消毒水流动通道1-2、连接段1-3、待消毒水入口1-4的任意横截面在水平面上的投影均为同心圆环。通过采取该结构,可使待消毒水在溢流管中流动时容易保持比较稳定的流动状态,在溢流口处容易实现稳定的溢流和厚度均匀的水膜。

在上述一种溢流式微波辐射饮用水消毒系统中,具体地,所述待消毒水溢流口1-1侧壁与水平面夹角α1在1-89°之间,所述连接段1-3侧壁与水平面夹角α2在1-89°之间。通过将待消毒水溢流口1-1与水平面之间的夹角设置成锐角,可使水流在溢出溢流口后先比较缓和地在斜坡上流动,防止水流向下流动时,脱离待消毒水流动通道外壁,形成自由落体运动,削弱消毒效果;通过将连接段1-3与水平面之间夹角设置成锐角,可使水流从待消毒水入口进入后,比较平缓的进入待消毒水流动通道。优选地,所述待消毒水溢流口1-1与水平面夹角α1为60°,所述连接段1-3与水平面夹角α2为30°。

在上述一种溢流式微波辐射饮用水消毒系统中,具体地,所述倾斜式集水盘2设有向排水口4方向的集水角α3,集水角α3在1-179°之间,所述集水盘底面2-1与水平面夹角α4在0.1-89.9°之间。通过采取该结构,可使水流集中流向排水口4。优选地,所述倾斜式集水盘2集水角α3为150°,所述集水盘底面2-1与水平面夹角α4为10°。

在上述一种溢流式微波辐射饮用水消毒系统中,具体地,所述待消毒水流动通道1-2内径d2在3-10cm之间,所述待消毒水入口1-4直径d3与所述待消毒水溢流口1-1直径d1之比在0.01-100之间。通过采取该结构,可在保证消毒效果的同时,使溢流管1不会占用过大的微波发生器腔体空间。优选地,待消毒水流动通道1-2内径d2为4cm,待消毒水入口1-4直径d3与所述待消毒水溢流口1-1直径d1之比为0.62。

在上述一种溢流式微波辐射饮用水消毒系统中,具体地,所述集水盘底面2-1高点处的边壁高度h1与低点处的边壁高度h2之比在0.99-0.01之间。通过采取该结构,可使水流在倾斜式集水盘内流动,而不会流到集水盘以外。优选地,h1与h2之比为0.3。

在上述一种溢流式微波辐射饮用水消毒系统中,具体地,相邻两个所述待消毒水流动通道1-2外壁距离l2与两端所述待消毒水流动通道1-2外壁与邻近所述边壁2-2之间的距离l1之比为2:1,相邻两个所述待消毒水流动通道1-2外壁距离l2在3-20cm之间。通过采取该结构,可使溢流管均匀排布在微波发生器腔体中,同时可使微波在微波发生器腔体中被均匀反射,有利于微波的均匀分布。优选地,相邻两个所述待消毒水流动通道1-2外壁距离l2为12cm。

在上述一种溢流式微波辐射饮用水消毒系统中,具体地,所述排水口4直径d4在1.0-2.5cm之间。通过采取该结构,可使已消毒水顺利排出微波辐射饮用水消毒系统。优选地,排水口4直径d4为1.5cm。

以上所述,仅为本发明较佳的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明披露的技术范围内,可轻易想到的变化或替换,都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此,本发明的保护范围应该以权利要求书的保护范围为准。

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