技术特征：
1.一种深紫外led动态水杀菌模块，其特征在于，包括：壳体(1)、底座(10)、锁紧部(11)、透光部(5)和设有灯珠的电路板(8)，灯珠用于发射深紫外线；壳体(1)的内部设有消杀腔，消杀腔与壳体(1)上设置的第一出入口(1-1)连通；底座(10)插入壳体(1)内，锁紧部(11)与壳体(1)拆卸连接，且锁紧部(11)配合壳体(1)夹持底座(10)；底座(10)内部设有安装腔和过流通道，底座(10)上还设有第二出入口(10-1)和过线口(10-2)，第二出入口(10-1)伸出锁紧部(11)；安装腔和过流通道相互隔离，安装腔和过线口(10-2)连通；电路板(8)设置在安装腔内，透光部(5)设置在底座(10)上以密封安装腔，灯珠发射的光线穿过透光部(5)射入消杀腔；锁紧部(11)上设有用于连通过线口(10-2)和外部环境的出线孔(11-1)；第二出入口(10-1)、过流通道、消杀腔和第一出入口(1-1)依次连通以形成流道。2.如权利要求1所述的深紫外led动态水杀菌模块，其特征在于，所述底座(10)为由底板(10-3)和设置在底板(10-3)上的围坝(10-4)构成的敞口容器结构，围坝(10-4)内周设有将围坝上下分隔的隔板(10-5)；第二出入口(10-1)设置在底板(10-3)上并位于底板(10-3)远离围坝(10-4)的一侧；隔板(10-5)和底板(10-3)之间设有分隔部，隔板(10-5)、底板(10-3)和分隔部相互配合形成第一腔室(10-6)，围坝(10-4)上设有与第一腔室(10-6)连通的第一通孔(10-7)，第一腔室(10-6)与第一通孔(10-7)配合形成过流通道；隔板(10-5)与围坝(10-4)配合在远离底板(10-3)的一侧形成安装腔，隔板(10-5)上设有第二通孔(10-8)，过线口(10-2)设置在底板(10-3)上，电路板(8)连接线经第二通孔(10-8)从第一腔室(10-6)外侧穿过过线口(10-2)。3.如权利要求2所述的深紫外led动态水杀菌模块，其特征在于，围坝(10-4)外周设有向外凸起的加强筋(10-9)，使得围坝(10-4)和壳体(1)内壁之间形成连通第一通孔(10-7)和消杀腔的间隙。4.如权利要求3所述的深紫外led动态水杀菌模块，其特征在于，隔板(10-5)上还设有凸起以托承电路板(8)。5.如权利要求3所述的深紫外led动态水杀菌模块，其特征在于，所述底板(10-3)上还设有套设在围坝(10-4)外周的第一密封圈(9)，第一密封圈(9)夹持在壳体(1)和底板(10-3)之间，第一密封圈(9)外周抵靠锁紧部(11)。6.如权利要求5所述的深紫外led动态水杀菌模块，其特征在于，壳体(1)上设有外螺纹，锁紧部(11)上设有内螺纹，锁紧部(11)与壳体(1)螺纹配合；壳体(1)上位于外螺纹外周设有远离锁紧部(11)的台阶，所述台阶可配合锁紧部(11)夹持设备壳体，使得所述杀菌模块安装在设备的进出口处。7.如权利要求3所述的深紫外led动态水杀菌模块，其特征在于，围坝(10-4)内周设有用于托承透光部(5)的台阶结构，台阶结构上设有第二密封圈(6)，第二密封圈(6)夹持在台阶结构和透光部(5)之间。8.如权利要求7所述的深紫外led动态水杀菌模块，其特征在于，消杀腔内设有反光管(4)和透光管(3)，反光管(4)内周设有反光层，反光管(4)夹持在壳体(1)和透光部(5)之间，反光管(4)内周作为消杀腔，反光管(4)用于反射灯珠发射的光线；透光管(3)安装在壳体(1)上并位于反光管(4)内周，透光管(3)与透光部(5)之间有间隙，反光管(4)远离透光部
(5)的一端与壳体(1)之间有间隙，使得反光管(4)内外连通。9.如权利要求8所述的深紫外led动态水杀菌模块，其特征在于，透光管(3)与第一出入口(1-1)连通，透光管(3)与壳体(1)之间设有硅胶套(2)；第一出入口(1-1)和第二出入口(10-1)中心轴线共线。10.如权利要求1所述的深紫外led动态水杀菌模块，其特征在于，电路板(8)上设有散热铝件(7)，散热铝件(7)位于灯珠外周。
技术总结
一种深紫外LED动态水杀菌模块，涉及深紫外线杀菌领域，其包括：壳体、底座、锁紧部、透光部和设有灯珠的电路板，灯珠用于发射深紫外线；壳体的内部设有消杀腔，消杀腔与壳体上设置的第一出入口连通；底座插入壳体内，锁紧部与壳体拆卸连接，且锁紧部配合壳体夹持底座。本实用新型提出的提出的一种深紫外LED动态水杀菌模块，可通过壳体和锁紧部配合以夹持设备壳体，从而将该杀菌模块安装在具有孔结构的净化设备上，也可通过第一出入口或者第二出入口与净化设备的孔结构、水龙头等连接，实现该杀菌模块的加装。通过本实用新型，可快捷、简单的实现现有净化设备的升级改造。实现现有净化设备的升级改造。实现现有净化设备的升级改造。
技术研发人员：沈帅 钱凌龙 苗延镇 亓培剑 吴化胜 陈益凯 符益科 燕佳丰
受保护的技术使用者：宁波安芯美半导体有限公司
技术研发日：2022.10.18
技术公布日：2023/3/23