晶圆贴片环清洗装置及方法、晶圆切割装置及方法与流程

本发明涉及半导体，特别涉及一种晶圆贴片环清洗装置及方法、晶圆切割装置及方法。

背景技术：

1、在3d堆叠技术中，若要实现芯片和晶圆之间的键合，就要求将晶圆上的芯片进行分离，从而能够将不同功能的芯片键合到晶圆上，以极大程度地提高集成度。

2、在对晶圆进行切割之前，需要将晶圆通过承载膜(例如uv膜)和晶圆贴片环进行固定，如图1所示，在晶圆11背面贴上承载膜12，并将承载膜12外周固定在晶圆贴片环13上。在对晶圆进行切割时，会先在晶圆表面涂覆激光保护胶，以对晶圆表面进行保护，再采用激光工艺对晶圆上的芯片进行初步分离；但是，在涂胶过程中，激光保护胶会残留在晶圆贴片环上，因此，需要对晶圆贴片环上的激光保护胶进行清洗，以避免导致机台污染以及晶圆贴片环的使用寿命缩短等问题。

3、现有清洗晶圆贴片环上的激光保护胶的方法包括：通过机械臂带动喷嘴转动到晶圆贴片环上方，同时缓慢旋转涂胶载台，载台带动晶圆贴片环旋转，喷嘴向晶圆贴片环喷出溶剂，以溶解晶圆贴片环上的激光保护胶，在旋转过程中溶解了激光保护胶的液体会从晶圆贴片环上甩出，从而对晶圆贴片环实现清洗。

4、但是，上述清洗方法存在如下缺陷：

5、(1)晶圆贴片环的位置会影响清洗效果：晶圆贴片环必须放置在涂胶载台的正中心，若晶圆贴片环的位置放偏，很容易导致晶圆贴片环的某些位置无法被清洗到，导致清洗不充分；

6、(2)溶剂容易流到承载膜上：晶圆贴片环的位置相对于涂胶载台发生偏移、机械臂移动喷嘴时的角度精度差以及溶剂流速不稳定(溶剂流入/甩出晶圆贴片环的状态不能维持动态平衡)等因素都会导致溶剂流到承载膜上，进而导致在清洗完成后的涂胶载台加速旋转以甩干晶圆贴片环的过程中，承载膜上的溶剂会溅到晶圆表面，从而导致晶圆表面上的部分激光保护胶被溶解而影响涂胶均匀性，降低工艺稳定性；

7、(3)清洗和甩干晶圆贴片环的时间长，增加了单片晶圆涂胶的时间，降低了wph。

8、因此，如何改进晶圆贴片环的清洗方法，以在减少清洗时间的同时提高清洗效果和工艺稳定性是亟需解决的问题。

技术实现思路

1、本发明的目的在于提供一种晶圆贴片环清洗装置及方法、晶圆切割装置及方法，使得在减少清洗时间的同时，还提高清洗效果和工艺稳定性。

2、为实现上述目的，本发明提供了一种晶圆贴片环清洗装置，用于清洗晶圆贴片环，所述晶圆贴片环清洗装置包括：

3、擦拭部，所述擦拭部吸附有清洗溶剂，所述擦拭部与所述晶圆贴片环挤压接触；

4、运动单元，用于使得所述擦拭部与所述晶圆贴片环之间相对挤压运动，以使得所述擦拭部向所述晶圆贴片环释放所述清洗溶剂，进而擦拭所述晶圆贴片环。

5、可选地，所述晶圆贴片环清洗装置包括：

6、至少两个所述擦拭部，各个所述擦拭部的所述清洗溶剂的吸附量相同或不同。

7、可选地，所述擦拭部的材质为柔性吸附材料。

8、可选地，所述运动单元包括可旋转载台，所述晶圆贴片环固定于所述可旋转载台上，以通过所述可旋转载台的旋转带动所述晶圆贴片环旋转，进而使得所述擦拭部与所述晶圆贴片环之间相对挤压运动。

9、可选地，所述晶圆贴片环清洗装置还包括：

10、机械臂，与所述擦拭部连接，以带动所述擦拭部移动。

11、可选地，所述晶圆贴片环清洗装置还包括：

12、湿度控制单元，用于控制所述擦拭部的所述清洗溶剂的吸附量，使得所述擦拭部向所述晶圆贴片环释放所述清洗溶剂。

13、可选地，所述湿度控制单元包括空槽、供液模块、抽液模块、输入管路和输出管路，所述供液模块通过所述输入管路向所述空槽中输入所述清洗溶剂，以使得所述空槽中的所述清洗溶剂浸泡所述擦拭部；所述抽液模块通过所述输出管路从所述空槽中抽出多余的所述清洗溶剂。

14、可选地，所述湿度控制单元还包括剂量控制模块和/或湿度测试模块，所述剂量控制模块用于控制所述供液模块向所述空槽中输入的所述清洗溶剂的量以及用于控制所述抽液模块从所述空槽中抽出的所述清洗溶剂的量，所述湿度测试模块用于在所述抽液模块从所述空槽中抽出所述清洗溶剂之后测试所述空槽中的环境湿度和/或所述擦拭部的湿度。

15、本发明还提供一种晶圆贴片环清洗方法，采用所述的晶圆贴片环清洗装置清洗晶圆贴片环，所述晶圆贴片环清洗方法包括：

16、将吸附有所述清洗溶剂的所述擦拭部移动至与所述晶圆贴片环挤压接触的位置；

17、将所述擦拭部与所述晶圆贴片环之间相对挤压运动，以使得所述擦拭部释放所述清洗溶剂，进而擦拭所述晶圆贴片环。

18、可选地，采用至少两个所述擦拭部同时或先后擦拭所述晶圆贴片环。

19、可选地，从初始位置将吸附有所述清洗溶剂的所述擦拭部移动至与所述晶圆贴片环挤压接触的位置；在擦拭所述晶圆贴片环之后，所述晶圆贴片环清洗方法还包括：

20、将所述擦拭部移动回所述初始位置。

21、可选地，在擦拭所述晶圆贴片环之后，所述晶圆贴片环清洗方法还包括：

22、甩干所述晶圆贴片环残留的所述清洗溶剂。

23、可选地，在擦拭所述晶圆贴片环之后，所述晶圆贴片环清洗方法还包括：

24、清洗所述擦拭部以及使得清洗后的所述擦拭部吸附设定量的所述清洗溶剂，进而使得所述擦拭部向所述晶圆贴片环释放所述清洗溶剂。

25、本发明还提供一种晶圆切割装置，包括：

26、承载膜，所述承载膜固定于晶圆贴片环，晶圆贴附于所述承载膜上，所述晶圆贴片环环绕所述晶圆；

27、保护层形成单元，用于向所述晶圆表面形成保护层，所述晶圆贴片环表面残留有所述保护层；

28、所述的晶圆贴片环清洗装置，用于清洗去除所述晶圆贴片环表面残留的保护层；

29、切割单元，用于对所述晶圆进行切割。

30、本发明还提供一种晶圆切割方法，包括：

31、将承载膜固定于晶圆贴片环，晶圆贴附于所述承载膜上，所述晶圆贴片环环绕所述晶圆；

32、向所述晶圆表面形成保护层，所述晶圆贴片环表面残留有所述保护层；

33、采用所述的晶圆贴片环清洗方法清洗去除所述晶圆贴片环表面残留的保护层；

34、对所述晶圆进行切割。

35、与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下有益效果：

36、1、本发明的晶圆贴片环清洗装置，由于包括：擦拭部，所述擦拭部吸附有清洗溶剂，所述擦拭部与所述晶圆贴片环挤压接触；运动单元，用于使得所述擦拭部与所述晶圆贴片环之间相对挤压运动，以使得所述擦拭部向所述晶圆贴片环释放所述清洗溶剂，进而擦拭所述晶圆贴片环，使得在减少清洗时间的同时，还提高清洗效果和工艺稳定性。

37、2、本发明的晶圆贴片环清洗方法，采用所述的晶圆贴片环清洗装置清洗晶圆贴片环，所述晶圆贴片环清洗方法包括：将吸附有所述清洗溶剂的所述擦拭部移动至与所述晶圆贴片环挤压接触的位置；将所述擦拭部与所述晶圆贴片环之间相对挤压运动，以使得所述擦拭部释放所述清洗溶剂，进而擦拭所述晶圆贴片环，使得在减少清洗时间的同时，还提高清洗效果和工艺稳定性。

38、3、本发明的晶圆切割装置，由于采用所述晶圆贴片环清洗装置清洗去除所述晶圆贴片环表面残留的保护层，使得晶圆的切割效率得到提高，且使得切割得到的芯片的质量得到提高。

39、4、本发明的晶圆切割方法，由于采用所述晶圆贴片环清洗方法清洗去除所述晶圆贴片环表面残留的保护层，使得晶圆的切割效率得到提高，且使得切割得到的芯片的质量得到提高。