一种磁芯清洗装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种清洗装置，具体的说是一种磁芯清洗装置。
【背景技术】
[0002]在磁芯生产线上有一清洗工序，目前清洗方式是将磁芯放置到超声波清洗设备中进行清洗，或者是直接用热水冲洗传送带上的磁芯。这两种方法虽然都能够完成对磁芯的清洗工作，但是如果采用超声波清洗设备，不仅购置成本高，且需要对设备进行定期的保养维护；如果直接用热水冲洗传送带上的磁芯，一方面只能冲洗到磁芯表面，清洗效果不理想，另一方面还要对水进行加热处理，成本也高。
【实用新型内容】
[0003]针对上述问题，本实用新型拟解决的问题是提供一种结构简单合理、成本低且清洗效果好的磁芯清洗装置。
[0004]为达到上述目的，本实用新型采用以下技术方案:一种磁芯清洗装置，包括磁芯清洗槽、传送带、磁振装置、支架、冲洗管和氮窑热水排出槽，磁芯清洗槽形状为长方体，传送带设置在磁芯清洗槽中，且所述传送带两端往上翘起呈圆弧状，所述传送带中间位置架设有磁振装置，所述传送带上位于所述磁振装置的两侧对称的架设有支架，每个所述支架上均固定有冲洗管，每根所述冲洗管一端均对准传送带，另一端均与氮窑热水排出槽相连。
[0005]本实用新型的有效成果:本实用新型结构简单合理，将传送带设置成圆弧状，且设置了两个冲洗管和磁振装置，当磁芯随着传送带到达第一个冲洗管位置时，冲洗管对其进行斜度冲洗，然后到达磁振装置中进行深一步的振动清洗，再到达第二个冲洗管位置时，进行最后的斜度冲洗，不仅冲洗效果好，且冲洗管中的热水是通过氮窑热水排出槽中过来的，将氮窑排出的热水进行了充分的利用，不需要再另外对水进行加热处理，大大降低成本。
【附图说明】
[0006]图1是本实用新型的结构示意图。
[0007]图中:1_磁芯清洗槽，2-传送带，3-磁振装置，4-支架，5-冲洗管，6-氮窑热水排出槽。
【具体实施方式】
[0008]为了使本技术领域的人员更好的理解本实用新型方案，下面将结合本实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述。
[0009]如图1所示，本实用新型公开了一种磁芯清洗装置，包括磁芯清洗槽1、传送带2、磁振装置3、支架4、冲洗管5和氮窑热水排出槽6，磁芯清洗槽I形状为长方体，传送带2设置在磁芯清洗槽I中，且传送带2两端往上翘起呈圆弧状，传送带2中间位置架设有磁振装置3，传送带2上位于磁振装置3的两侧对称的架设有支架4，每个支架4上均固定有冲洗管5，每根冲洗管5 —端均对准传送带2，另一端均与氮窑热水排出槽6相连。
[0010]本实用新型结构简单合理，将传送带2设置成圆弧状，且设置了两个冲洗管5和磁振装置3，当磁芯随着传送带2到达第一个冲洗管5位置时，冲洗管5对其进行斜度冲洗，然后到达磁振装置3中进行深一步的振动清洗，再到达第二个冲洗管5位置时，进行最后的斜度冲洗，不仅冲洗效果好，且冲洗管5中的热水是通过氮窑热水排出槽6中过来的，将氮窑排出的热水进行了充分的利用，不需要再另外对水进行加热处理，大大降低成本。
[0011]显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应属于本实用新型保护的范围。
【主权项】
1.一种磁芯清洗装置，包括磁芯清洗槽(1)、传送带(2)、磁振装置(3)、支架(4)、冲洗管(5)和氮窑热水排出槽(6)，其特征在于:磁芯清洗槽⑴形状为长方体，传送带(2)设置在磁芯清洗槽(I)中，且所述传送带(2)两端往上翘起呈圆弧状，所述传送带(2)中间位置架设有磁振装置(3)，所述传送带(2)上位于所述磁振装置(3)的两侧对称的架设有支架(4)，每个所述支架(4)上均固定有冲洗管(5)，每根所述冲洗管(5) —端均对准传送带(2)，另一端均与氮窑热水排出槽(6)相连。
【专利摘要】本实用新型公开了一种磁芯清洗装置，包括磁芯清洗槽、传送带、磁振装置、支架、冲洗管和氮窑热水排出槽，传送带设置在磁芯清洗槽中，且传送带两端往上翘起呈圆弧状，传送带中间位置架设有磁振装置，传送带上位于磁振装置的两侧对称的架设有支架，每个支架上均固定有冲洗管，每根冲洗管一端均对准传送带，另一端均与氮窑热水排出槽相连。当磁芯随着传送带到达第一个冲洗管位置时，冲洗管对其进行斜度冲洗，然后到达磁振装置中进行深一步的振动清洗，再到达第二个冲洗管位置时，进行最后的斜度冲洗，不仅冲洗效果好，且冲洗管中的热水是通过氮窑热水排出槽中过来的，不需要再另外对水进行加热处理，大大降低成本。
【IPC分类】F27D17-00, B08B3-10, B08B3-02
【公开号】CN204276423
【申请号】CN201420792060
【发明人】徐仲达, 郑金良, 许锡坤, 胡建荣
【申请人】浙江春晖复合材料有限公司
【公开日】2015年4月22日
【申请日】2014年12月2日