粗颗粒立方氮化硼单晶的合成方法

文档序号:5050405阅读:187来源:国知局
专利名称:粗颗粒立方氮化硼单晶的合成方法
技术领域
本发明涉及一种粗颗粒立方氮化硼(CBN)单晶(峰值40/45,最粗粒达25/30) 的合成方法,该种CBN单晶常被用于深吃刀量的高效率粗磨加工中。
背景技术
CBN单晶的生长较难,在通常的高温高压合成CBN单晶方法中,其峰值在 70/80左右就比较粗了,尽管张铁臣等人曾报道过大颗粒CBN单晶的合成,但是 生长的量却很少,高效率粗磨加工一直被粗颗粒CBN单晶原材料所限制。

发明内容
本发明的目的在于提供一种用于高效率粗磨加工用的粗颗粒CBN单晶的合 成方法。本发明的目的是这样实现的使用G. *1二2-4的六角氮化硼(hBN)重量比 80-90%与重量比10-20%的触媒充分混合均匀,并一起放入模具中压制成预合成 棒,该预合成棒与碳管、碳片、导电钢圈、叶腊石块组装成预合成块,在六面 顶压机上,保持压力4-6GPa,温度1500-2000°C,时间20-25分钟合成即可得 到粗颗粒单晶。本发明可制造粗颗粒CBN单晶峰值40/45,最粗粒达25/30,该种CBN单 晶用于深吃刀量粗磨加工中,为高效率粗磨加工提供客观条件。
具体实施例方式实施例1:使用G. ,1=2-4的六角氮化硼(hBN) 80千克与20千克的触媒 充分混合均匀,并一起放入模具中压制成预合成棒,该预合成棒、碳管、碳片、 导电钢圈、叶腊石块组装成预合成块,在六面顶压机上,保持压力4-6GPa,温度1500-2000°C,时间20-25分钟合成即可得到粗颗粒单晶。实施例2:使用G. *I=2-4的六角氮化硼(hBN) 90千克与10千克的触媒 充分混合均匀,并一起放入模具中压制成预合成棒,该预合成棒、碳管、碳片、 导电钢圈、叶腊石块组装成预合成块,在六面顶压机上,保持压力4-6GPa, 温度1500-2000°C,时间20-25分钟合成即可得到粗颗粒单晶。
权利要求
1、一种粗颗粒立方氮化硼单晶的合成方法,其特征在于使用G.·I=2-4的六角氮化硼(hBN)重量比80-90%与重量比10-20%的触媒充分混合均匀,并一起放入模具中压制成预合成棒,该预合成棒与碳管、碳片、导电钢圈、叶腊石块组装成预合成块,在六面顶压机上,保持压力4-6GPa,温度1500-2000℃,时间20-25分钟合成即可得到粗颗粒单晶。
2、 根据权利要求1所述的粗颗粒立方氮化硼单晶的合成方法,其特征在 于合成得到的粗颗粒单晶峰值40/45,最粗粒达25/30,用于深吃刀量粗 磨加工中。
全文摘要
本发明涉及一种粗颗粒立方氮化硼(CBN)单晶(峰值40/45,最粗粒达25/30)的合成方法,该种CBN单晶常被用于深吃刀量的高效率粗磨加工中,使用G.·I=2-4的六角氮化硼(hBN)重量比80-90%与重量比10-20%的触媒充分混合均匀,并一起放入模具中压制成预合成棒,该预合成棒与碳管、碳片、导电钢圈、叶腊石块组装成预合成块,在六面顶压机上,保持压力4-6GPa,温度1500-2000℃,时间20-25分钟合成即可得到粗颗粒单晶,本发明可制造粗颗粒CBN单晶峰值40/45,最粗粒达25/30,该种CBN单晶用于深吃刀量粗磨加工中,为高效率粗磨加工提供客观条件。
文档编号B01J3/06GK101234317SQ200710190000
公开日2008年8月6日 申请日期2007年11月16日 优先权日2007年11月16日
发明者宋家起, 张辉建, 张铁臣, 覃连才 申请人:河南黄河实业集团股份有限公司
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